Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type
The kinetics of the formation of perfect n– and p–type silicon single crystals is considered. The peculiarity of the formation of point and linear defects in the process of a controlled phase transformation of a liquid–solid is established. The effect of supersaturation by vacancies of the direction...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2020 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2020
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194344 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 44-50. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862723590832521216 |
|---|---|
| author | Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. |
| author_facet | Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. |
| citation_txt | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 44-50. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The kinetics of the formation of perfect n– and p–type silicon single crystals is considered. The peculiarity of the formation of point and linear defects in the process of a controlled phase transformation of a liquid–solid is established. The effect of supersaturation by vacancies of the direction of predominant growth and concentration of impurities on the formation and removal of edge and screw dislocations is determined. The effect of linear defects on the scattering and recombination of mobile current carriers is revealed. The possibilities of increasing the stability and efficiency of silicon semiconductor devices are discussed.
Розглянута кінетика формування досконалих монокристалів кремнію n– та p–типів. Встановлена особливість утворення точкових і лінійних дефектів у процесі контрольованого фазового перетворення рідина–тверде тіло. Визначено вплив пересичення вакансіями напрямку переважного зростання і концентрації домішок на процес утворення і видалення крайових і гвинтових дислокацій. З’ясовано роль лінійних дефектів на розсіяння і рекомбінацію рухомих носіїв струму. Обговорюються можливості підвищення стабільності роботи, ККД кремнієвих напівпровідникових приладів.
Рассмотрена кинетика формирования совершенных монокристаллов кремния n– и p–типов. Установлена особенность образования точечных и линейных дефектов в процессе контролируемого фазового превращения жидкость–твердое тело. Определено влияние пересыщения вакансиями направления преимущественного роста и концентрации примесей на процесс образования и удаления краевых и винтовых дислокаций. Выяснена роль линейных дефектов на рассеяние и рекомбинацию подвижных носителей тока. Обсуждаются возможности повышения стабильности работы, КПД кремниевых полупроводниковых приборов.
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:42:38Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194344 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T18:42:38Z |
| publishDate | 2020 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. 2023-11-22T16:27:36Z 2023-11-22T16:27:36Z 2020 Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 44-50. — Бібліогр.: 19 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 81.10.Fg, 88.40.jj, 78.40.Fuy, 81.40.-z, 85.40.Ry, 72.10.Fk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194344 The kinetics of the formation of perfect n– and p–type silicon single crystals is considered. The peculiarity of the formation of point and linear defects in the process of a controlled phase transformation of a liquid–solid is established. The effect of supersaturation by vacancies of the direction of predominant growth and concentration of impurities on the formation and removal of edge and screw dislocations is determined. The effect of linear defects on the scattering and recombination of mobile current carriers is revealed. The possibilities of increasing the stability and efficiency of silicon semiconductor devices are discussed. Розглянута кінетика формування досконалих монокристалів кремнію n– та p–типів. Встановлена особливість утворення точкових і лінійних дефектів у процесі контрольованого фазового перетворення рідина–тверде тіло. Визначено вплив пересичення вакансіями напрямку переважного зростання і концентрації домішок на процес утворення і видалення крайових і гвинтових дислокацій. З’ясовано роль лінійних дефектів на розсіяння і рекомбінацію рухомих носіїв струму. Обговорюються можливості підвищення стабільності роботи, ККД кремнієвих напівпровідникових приладів. Рассмотрена кинетика формирования совершенных монокристаллов кремния n– и p–типов. Установлена особенность образования точечных и линейных дефектов в процессе контролируемого фазового превращения жидкость–твердое тело. Определено влияние пересыщения вакансиями направления преимущественного роста и концентрации примесей на процесс образования и удаления краевых и винтовых дислокаций. Выяснена роль линейных дефектов на рассеяние и рекомбинацию подвижных носителей тока. Обсуждаются возможности повышения стабильности работы, КПД кремниевых полупроводниковых приборов. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Pure materials and the vacuum technologies Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type Еволюція дислокаційної структури в процесі вирощування монокристалів кремнію n– та p–типів Эволюция дислокационной структуры в процессе выращивания монокристаллов кремния n– и p–типов Article published earlier |
| spellingShingle | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. Pure materials and the vacuum technologies |
| title | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type |
| title_alt | Еволюція дислокаційної структури в процесі вирощування монокристалів кремнію n– та p–типів Эволюция дислокационной структуры в процессе выращивания монокристаллов кремния n– и p–типов |
| title_full | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type |
| title_fullStr | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type |
| title_full_unstemmed | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type |
| title_short | Evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type |
| title_sort | evolution of a dislocation structure during the growth silicon single crystals of n– and p–type |
| topic | Pure materials and the vacuum technologies |
| topic_facet | Pure materials and the vacuum technologies |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194344 |
| work_keys_str_mv | AT azarenkovna evolutionofadislocationstructureduringthegrowthsiliconsinglecrystalsofnandptype AT semenenkove evolutionofadislocationstructureduringthegrowthsiliconsinglecrystalsofnandptype AT stervoyedovng evolutionofadislocationstructureduringthegrowthsiliconsinglecrystalsofnandptype AT azarenkovna evolûcíâdislokacíinoístrukturivprocesíviroŝuvannâmonokristalívkremníûntaptipív AT semenenkove evolûcíâdislokacíinoístrukturivprocesíviroŝuvannâmonokristalívkremníûntaptipív AT stervoyedovng evolûcíâdislokacíinoístrukturivprocesíviroŝuvannâmonokristalívkremníûntaptipív AT azarenkovna évolûciâdislokacionnoistrukturyvprocessevyraŝivaniâmonokristallovkremniâniptipov AT semenenkove évolûciâdislokacionnoistrukturyvprocessevyraŝivaniâmonokristallovkremniâniptipov AT stervoyedovng évolûciâdislokacionnoistrukturyvprocessevyraŝivaniâmonokristallovkremniâniptipov |