Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K

The effect of electron irradiation on the creep and evolution of the zirconium nanostructure obtained by the SPD method and previously relaxed by ultrasound is studied. It has been shown that the electron irradiation (with a dose of D = 5∙10¹⁹ cm⁻² and energy E = 10 МeV) does not change the characte...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2020
Hauptverfasser: Karaseva, E.V., Mats, A.V., Mats, V.A., Savchuk, E.S., Sokolenko, V.I., Тitоv, D.V.
Format: Artikel
Sprache:Englisch
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2020
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194351
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K / E.V. Karaseva, A.V. Mats, V.A. Mats, E.S. Savchuk, V.I. Sokolenko, D.V. Тitоv // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 91-95. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862730186962763776
author Karaseva, E.V.
Mats, A.V.
Mats, V.A.
Savchuk, E.S.
Sokolenko, V.I.
Тitоv, D.V.
author_facet Karaseva, E.V.
Mats, A.V.
Mats, V.A.
Savchuk, E.S.
Sokolenko, V.I.
Тitоv, D.V.
citation_txt Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K / E.V. Karaseva, A.V. Mats, V.A. Mats, E.S. Savchuk, V.I. Sokolenko, D.V. Тitоv // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 91-95. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description The effect of electron irradiation on the creep and evolution of the zirconium nanostructure obtained by the SPD method and previously relaxed by ultrasound is studied. It has been shown that the electron irradiation (with a dose of D = 5∙10¹⁹ cm⁻² and energy E = 10 МeV) does not change the character of the deformed zirconium nanostructure, but initiates the return processes at the grain boundaries and in the border areas, which leads to the softening of the material. The previously relaxation of internal stresses by ultrasound allows one to preserve a sufficiently high level of the strength and plasticity of nanostructured Zr after electron irradiation by reducing the intensity of dynamic recrystallization and activating an additional slip system in the creep process at 670 K. Виявлено вплив електронного опромінення на повзучість та еволюцію наноструктури цирконію, що отримана методом ІПД і попередньо релаксована ультразвуком. Показано, що опромінення електронами (дозою D = 5∙10¹⁹ см⁻² і енергією E = 10 МеВ) не змінює характер деформаційної наноструктури цирконію, але ініціює релаксаційні процеси на границях зерен і в приграничних областях, що призводить до знеміцнення матеріалу під час повзучості при 670 К. Попередня релаксація внутрішніх напруг ультразвуком дозволяє зберегти достатньо високий рівень міцності та пластичності наноструктурного Zr після електронного опромінення за рахунок зниження інтенсивності динамічної рекристалізації в процесі повзучості при 670 К Изучено влияние электронного облучения на ползучесть и эволюцию наноструктуры циркония, полученной методом ИПД и предварительно релаксированной ультразвуком. Показано, что облучение электронами (дозой D = 5∙10¹⁹ см⁻² и энергией E = 10 МэВ) не изменяет характер деформационной наноструктуры циркония, но инициирует возвратные процессы на границах зерен и в приграничных областях, что приводит к разупрочнению материала в процессе ползучести при 670 К. Предварительная релаксация внутренних напряжений ультразвуком позволяет сохранить достаточно высокий уровень прочности и пластичности наноструктурного Zr после электронного облучения за счет снижения интенсивности динамической рекристаллизации в процессе ползучести при 670 К.
first_indexed 2025-12-07T19:19:00Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194351
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language English
last_indexed 2025-12-07T19:19:00Z
publishDate 2020
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Karaseva, E.V.
Mats, A.V.
Mats, V.A.
Savchuk, E.S.
Sokolenko, V.I.
Тitоv, D.V.
2023-11-22T17:33:53Z
2023-11-22T17:33:53Z
2020
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K / E.V. Karaseva, A.V. Mats, V.A. Mats, E.S. Savchuk, V.I. Sokolenko, D.V. Тitоv // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 91-95. — Бібліогр.: 17 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 62.20.HG, 61.72.FF, 61.10.-I
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194351
The effect of electron irradiation on the creep and evolution of the zirconium nanostructure obtained by the SPD method and previously relaxed by ultrasound is studied. It has been shown that the electron irradiation (with a dose of D = 5∙10¹⁹ cm⁻² and energy E = 10 МeV) does not change the character of the deformed zirconium nanostructure, but initiates the return processes at the grain boundaries and in the border areas, which leads to the softening of the material. The previously relaxation of internal stresses by ultrasound allows one to preserve a sufficiently high level of the strength and plasticity of nanostructured Zr after electron irradiation by reducing the intensity of dynamic recrystallization and activating an additional slip system in the creep process at 670 K.
Виявлено вплив електронного опромінення на повзучість та еволюцію наноструктури цирконію, що отримана методом ІПД і попередньо релаксована ультразвуком. Показано, що опромінення електронами (дозою D = 5∙10¹⁹ см⁻² і енергією E = 10 МеВ) не змінює характер деформаційної наноструктури цирконію, але ініціює релаксаційні процеси на границях зерен і в приграничних областях, що призводить до знеміцнення матеріалу під час повзучості при 670 К. Попередня релаксація внутрішніх напруг ультразвуком дозволяє зберегти достатньо високий рівень міцності та пластичності наноструктурного Zr після електронного опромінення за рахунок зниження інтенсивності динамічної рекристалізації в процесі повзучості при 670 К
Изучено влияние электронного облучения на ползучесть и эволюцию наноструктуры циркония, полученной методом ИПД и предварительно релаксированной ультразвуком. Показано, что облучение электронами (дозой D = 5∙10¹⁹ см⁻² и энергией E = 10 МэВ) не изменяет характер деформационной наноструктуры циркония, но инициирует возвратные процессы на границах зерен и в приграничных областях, что приводит к разупрочнению материала в процессе ползучести при 670 К. Предварительная релаксация внутренних напряжений ультразвуком позволяет сохранить достаточно высокий уровень прочности и пластичности наноструктурного Zr после электронного облучения за счет снижения интенсивности динамической рекристаллизации в процессе ползучести при 670 К.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Physics and the technology of construction materials
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
Вплив електронного опромінення на еволюцію наноструктури та повзучість Zr при температурі 670 К
Влияние электронного облучения на эволюцию наноструктуры и ползучесть Zr при температуре 670 К
Article
published earlier
spellingShingle Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
Karaseva, E.V.
Mats, A.V.
Mats, V.A.
Savchuk, E.S.
Sokolenko, V.I.
Тitоv, D.V.
Physics and the technology of construction materials
title Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
title_alt Вплив електронного опромінення на еволюцію наноструктури та повзучість Zr при температурі 670 К
Влияние электронного облучения на эволюцию наноструктуры и ползучесть Zr при температуре 670 К
title_full Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
title_fullStr Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
title_full_unstemmed Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
title_short Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
title_sort effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of zr at the temperature of 670 k
topic Physics and the technology of construction materials
topic_facet Physics and the technology of construction materials
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194351
work_keys_str_mv AT karasevaev effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k
AT matsav effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k
AT matsva effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k
AT savchukes effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k
AT sokolenkovi effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k
AT titovdv effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k
AT karasevaev vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k
AT matsav vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k
AT matsva vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k
AT savchukes vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k
AT sokolenkovi vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k
AT titovdv vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k
AT karasevaev vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k
AT matsav vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k
AT matsva vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k
AT savchukes vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k
AT sokolenkovi vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k
AT titovdv vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k