Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K
The effect of electron irradiation on the creep and evolution of the zirconium nanostructure obtained by the SPD method and previously relaxed by ultrasound is studied. It has been shown that the electron irradiation (with a dose of D = 5∙10¹⁹ cm⁻² and energy E = 10 МeV) does not change the characte...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2020 |
| Hauptverfasser: | , , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194351 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K / E.V. Karaseva, A.V. Mats, V.A. Mats, E.S. Savchuk, V.I. Sokolenko, D.V. Тitоv // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 91-95. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194351 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Karaseva, E.V. Mats, A.V. Mats, V.A. Savchuk, E.S. Sokolenko, V.I. Тitоv, D.V. 2023-11-22T17:33:53Z 2023-11-22T17:33:53Z 2020 Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K / E.V. Karaseva, A.V. Mats, V.A. Mats, E.S. Savchuk, V.I. Sokolenko, D.V. Тitоv // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 91-95. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 62.20.HG, 61.72.FF, 61.10.-I https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194351 The effect of electron irradiation on the creep and evolution of the zirconium nanostructure obtained by the SPD method and previously relaxed by ultrasound is studied. It has been shown that the electron irradiation (with a dose of D = 5∙10¹⁹ cm⁻² and energy E = 10 МeV) does not change the character of the deformed zirconium nanostructure, but initiates the return processes at the grain boundaries and in the border areas, which leads to the softening of the material. The previously relaxation of internal stresses by ultrasound allows one to preserve a sufficiently high level of the strength and plasticity of nanostructured Zr after electron irradiation by reducing the intensity of dynamic recrystallization and activating an additional slip system in the creep process at 670 K. Виявлено вплив електронного опромінення на повзучість та еволюцію наноструктури цирконію, що отримана методом ІПД і попередньо релаксована ультразвуком. Показано, що опромінення електронами (дозою D = 5∙10¹⁹ см⁻² і енергією E = 10 МеВ) не змінює характер деформаційної наноструктури цирконію, але ініціює релаксаційні процеси на границях зерен і в приграничних областях, що призводить до знеміцнення матеріалу під час повзучості при 670 К. Попередня релаксація внутрішніх напруг ультразвуком дозволяє зберегти достатньо високий рівень міцності та пластичності наноструктурного Zr після електронного опромінення за рахунок зниження інтенсивності динамічної рекристалізації в процесі повзучості при 670 К Изучено влияние электронного облучения на ползучесть и эволюцию наноструктуры циркония, полученной методом ИПД и предварительно релаксированной ультразвуком. Показано, что облучение электронами (дозой D = 5∙10¹⁹ см⁻² и энергией E = 10 МэВ) не изменяет характер деформационной наноструктуры циркония, но инициирует возвратные процессы на границах зерен и в приграничных областях, что приводит к разупрочнению материала в процессе ползучести при 670 К. Предварительная релаксация внутренних напряжений ультразвуком позволяет сохранить достаточно высокий уровень прочности и пластичности наноструктурного Zr после электронного облучения за счет снижения интенсивности динамической рекристаллизации в процессе ползучести при 670 К. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Physics and the technology of construction materials Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K Вплив електронного опромінення на еволюцію наноструктури та повзучість Zr при температурі 670 К Влияние электронного облучения на эволюцию наноструктуры и ползучесть Zr при температуре 670 К Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K |
| spellingShingle |
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K Karaseva, E.V. Mats, A.V. Mats, V.A. Savchuk, E.S. Sokolenko, V.I. Тitоv, D.V. Physics and the technology of construction materials |
| title_short |
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K |
| title_full |
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K |
| title_fullStr |
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K |
| title_full_unstemmed |
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K |
| title_sort |
effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of zr at the temperature of 670 k |
| author |
Karaseva, E.V. Mats, A.V. Mats, V.A. Savchuk, E.S. Sokolenko, V.I. Тitоv, D.V. |
| author_facet |
Karaseva, E.V. Mats, A.V. Mats, V.A. Savchuk, E.S. Sokolenko, V.I. Тitоv, D.V. |
| topic |
Physics and the technology of construction materials |
| topic_facet |
Physics and the technology of construction materials |
| publishDate |
2020 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Вплив електронного опромінення на еволюцію наноструктури та повзучість Zr при температурі 670 К Влияние электронного облучения на эволюцию наноструктуры и ползучесть Zr при температуре 670 К |
| description |
The effect of electron irradiation on the creep and evolution of the zirconium nanostructure obtained by the SPD method and previously relaxed by ultrasound is studied. It has been shown that the electron irradiation (with a dose of D = 5∙10¹⁹ cm⁻² and energy E = 10 МeV) does not change the character of the deformed zirconium nanostructure, but initiates the return processes at the grain boundaries and in the border areas, which leads to the softening of the material. The previously relaxation of internal stresses by ultrasound allows one to preserve a sufficiently high level of the strength and plasticity of nanostructured Zr after electron irradiation by reducing the intensity of dynamic recrystallization and activating an additional slip system in the creep process at 670 K.
Виявлено вплив електронного опромінення на повзучість та еволюцію наноструктури цирконію, що отримана методом ІПД і попередньо релаксована ультразвуком. Показано, що опромінення електронами (дозою D = 5∙10¹⁹ см⁻² і енергією E = 10 МеВ) не змінює характер деформаційної наноструктури цирконію, але ініціює релаксаційні процеси на границях зерен і в приграничних областях, що призводить до знеміцнення матеріалу під час повзучості при 670 К. Попередня релаксація внутрішніх напруг ультразвуком дозволяє зберегти достатньо високий рівень міцності та пластичності наноструктурного Zr після електронного опромінення за рахунок зниження інтенсивності динамічної рекристалізації в процесі повзучості при 670 К
Изучено влияние электронного облучения на ползучесть и эволюцию наноструктуры циркония, полученной методом ИПД и предварительно релаксированной ультразвуком. Показано, что облучение электронами (дозой D = 5∙10¹⁹ см⁻² и энергией E = 10 МэВ) не изменяет характер деформационной наноструктуры циркония, но инициирует возвратные процессы на границах зерен и в приграничных областях, что приводит к разупрочнению материала в процессе ползучести при 670 К. Предварительная релаксация внутренних напряжений ультразвуком позволяет сохранить достаточно высокий уровень прочности и пластичности наноструктурного Zr после электронного облучения за счет снижения интенсивности динамической рекристаллизации в процессе ползучести при 670 К.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194351 |
| citation_txt |
Effect of electronic radiation on the evolution of nanostructure and creep of Zr at the temperature of 670 K / E.V. Karaseva, A.V. Mats, V.A. Mats, E.S. Savchuk, V.I. Sokolenko, D.V. Тitоv // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 1. — С. 91-95. — Бібліогр.: 17 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT karasevaev effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k AT matsav effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k AT matsva effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k AT savchukes effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k AT sokolenkovi effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k AT titovdv effectofelectronicradiationontheevolutionofnanostructureandcreepofzratthetemperatureof670k AT karasevaev vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k AT matsav vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k AT matsva vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k AT savchukes vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k AT sokolenkovi vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k AT titovdv vplivelektronnogoopromínennânaevolûcíûnanostrukturitapovzučístʹzrpritemperaturí670k AT karasevaev vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k AT matsav vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k AT matsva vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k AT savchukes vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k AT sokolenkovi vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k AT titovdv vliânieélektronnogooblučeniânaévolûciûnanostrukturyipolzučestʹzrpritemperature670k |
| first_indexed |
2025-12-07T19:19:00Z |
| last_indexed |
2025-12-07T19:19:00Z |
| _version_ |
1850878344973778944 |