Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV
The main advantages of using silicon semiconductor detectors in dosimetry in comparison with traditional detectors are considered. The shortcomings are analyzed and possible methods for their elimination are proposed. One of the proposed methods makes it possible to increase the efficiency of detect...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2020 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | English |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194575 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV / V.N. Dubina, N.I. Maslov, I.N. Shlyahov // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 5. — С. 105-110. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194575 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Dubina, V.N. Maslov, N.I. Shlyahov, I.N. 2023-11-27T14:43:13Z 2023-11-27T14:43:13Z 2020 Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV / V.N. Dubina, N.I. Maslov, I.N. Shlyahov // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 5. — С. 105-110. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 03.65.Pm, 03.65.Ge, 61.80.Mk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194575 The main advantages of using silicon semiconductor detectors in dosimetry in comparison with traditional detectors are considered. The shortcomings are analyzed and possible methods for their elimination are proposed. One of the proposed methods makes it possible to increase the efficiency of detecting gamma quantum in the energy range 0.1…10MeV. The requirements are formulated to optimize the design of detectors operating in a wide range of dose rates and gamma radiation energies by computer simulation. Mathematical calculations and computer simulations determine the dosimeter design, materials and thicknesses γ–converter. The mechanisms of modeling the absorbed dose in air and ambient dose in silicon detectors with a thickness of 300 μm, sizes (5×5)mm² and (1.8×1.8)mm², in the range of incident γ–ray energies from 5keV to 10 MeV are presented. Розглянуто основні переваги застосування кремнієвих напівпровідникових детекторів у задачах дозиметрії в порівнянні з традиційними детекторами. Проаналізовано недоліки та запропоновані можливі методи їх усунення. Один із запропонованих методів дозволяє збільшити ефективність реєстрації гамма-квантів у діапазоні енергій 0,1…10 МэВ. Сформульовано вимоги, необхідні для оптимізації конструкції детекторів, які працюють у широкому діапазоні потужностей доз і енергії гамма–випромінювання, методом комп’ютерного моделювання. Проведені математичні розрахунки і комп’ютерне моделювання визначають конструкцію дозиметра, матеріали і товщину γ–конвертера. Наводяться механізми моделювання поглиненої дози в повітрі і амбієнтної дози в кремнієвих детекторах товщиною від 300 мкм, розмірами (5×5)мм² и (1,8×1,8)мм², у діапазоні енергій падаючого γ–випромінювання від 5 кеВ до 10 МеВ. Рассмотрены основные преимущества применения кремниевых полупроводниковых детекторов в задачах дозиметрии по сравнению с традиционными детекторами. Проанализированы недостатки и предложены возможные методы их устранения. Один из предложенных методов позволяет увеличить эффективность регистрации гамма-квантов в диапазоне энергий 0,1…10 МэВ. Сформулированы требования, необходимые для оптимизации конструкции детекторов, работающих в широком диапазоне мощностей доз и энергии гамма–излучения, методом компьютерного моделирования. Проведенные математические расчеты и компьютерное моделирование определяют конструкцию дозиметра, материалы и толщину γ–конвертера. Приводятся механизмы моделирования поглощенной дозы в воздухе и амбиентной дозы в кремниевых детекторах толщиной от 300 мкм, размерами (5×5)мм² и (1,8×1,8)мм², в диапазоне энергий падающего γ–излучения от 5 кэВ до 10 МэВ. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Computing and modelling systems Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV Моделювання відгуку планарного кремнієвого детектора при вимірюванні потужності експозиційної дози у діапазоні енергій від 5 кеВ до 10 МеВ Моделирование отклика планарного кремниевого детектора при измерении мощности экспозиционной дозы в диапазоне энергий от 5 кэВ до 10 МэВ Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV |
| spellingShingle |
Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV Dubina, V.N. Maslov, N.I. Shlyahov, I.N. Computing and modelling systems |
| title_short |
Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV |
| title_full |
Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV |
| title_fullStr |
Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV |
| title_full_unstemmed |
Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV |
| title_sort |
modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 kev to 10mev |
| author |
Dubina, V.N. Maslov, N.I. Shlyahov, I.N. |
| author_facet |
Dubina, V.N. Maslov, N.I. Shlyahov, I.N. |
| topic |
Computing and modelling systems |
| topic_facet |
Computing and modelling systems |
| publishDate |
2020 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Моделювання відгуку планарного кремнієвого детектора при вимірюванні потужності експозиційної дози у діапазоні енергій від 5 кеВ до 10 МеВ Моделирование отклика планарного кремниевого детектора при измерении мощности экспозиционной дозы в диапазоне энергий от 5 кэВ до 10 МэВ |
| description |
The main advantages of using silicon semiconductor detectors in dosimetry in comparison with traditional detectors are considered. The shortcomings are analyzed and possible methods for their elimination are proposed. One of the proposed methods makes it possible to increase the efficiency of detecting gamma quantum in the energy range 0.1…10MeV. The requirements are formulated to optimize the design of detectors operating in a wide range of dose rates and gamma radiation energies by computer simulation. Mathematical calculations and computer simulations determine the dosimeter design, materials and thicknesses γ–converter. The mechanisms of modeling the absorbed dose in air and ambient dose in silicon detectors with a thickness of 300 μm, sizes (5×5)mm² and (1.8×1.8)mm², in the range of incident γ–ray energies from 5keV to 10 MeV are presented.
Розглянуто основні переваги застосування кремнієвих напівпровідникових детекторів у задачах дозиметрії в порівнянні з традиційними детекторами. Проаналізовано недоліки та запропоновані можливі методи їх усунення. Один із запропонованих методів дозволяє збільшити ефективність реєстрації гамма-квантів у діапазоні енергій 0,1…10 МэВ. Сформульовано вимоги, необхідні для оптимізації конструкції детекторів, які працюють у широкому діапазоні потужностей доз і енергії гамма–випромінювання, методом комп’ютерного моделювання. Проведені математичні розрахунки і комп’ютерне моделювання визначають конструкцію дозиметра, матеріали і товщину γ–конвертера. Наводяться механізми моделювання поглиненої дози в повітрі і амбієнтної дози в кремнієвих детекторах товщиною від 300 мкм, розмірами (5×5)мм² и (1,8×1,8)мм², у діапазоні енергій падаючого γ–випромінювання від 5 кеВ до 10 МеВ.
Рассмотрены основные преимущества применения кремниевых полупроводниковых детекторов в задачах дозиметрии по сравнению с традиционными детекторами. Проанализированы недостатки и предложены возможные методы их устранения. Один из предложенных методов позволяет увеличить эффективность регистрации гамма-квантов в диапазоне энергий 0,1…10 МэВ. Сформулированы требования, необходимые для оптимизации конструкции детекторов, работающих в широком диапазоне мощностей доз и энергии гамма–излучения, методом компьютерного моделирования. Проведенные математические расчеты и компьютерное моделирование определяют конструкцию дозиметра, материалы и толщину γ–конвертера. Приводятся механизмы моделирования поглощенной дозы в воздухе и амбиентной дозы в кремниевых детекторах толщиной от 300 мкм, размерами (5×5)мм² и (1,8×1,8)мм², в диапазоне энергий падающего γ–излучения от 5 кэВ до 10 МэВ.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194575 |
| citation_txt |
Modeling the response of a planar silicon detector when measuring the exposure dose rate in the energy range from 5 keV to 10MeV / V.N. Dubina, N.I. Maslov, I.N. Shlyahov // Problems of atomic science and tecnology. — 2020. — № 5. — С. 105-110. — Бібліогр.: 9 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT dubinavn modelingtheresponseofaplanarsilicondetectorwhenmeasuringtheexposuredoserateintheenergyrangefrom5kevto10mev AT maslovni modelingtheresponseofaplanarsilicondetectorwhenmeasuringtheexposuredoserateintheenergyrangefrom5kevto10mev AT shlyahovin modelingtheresponseofaplanarsilicondetectorwhenmeasuringtheexposuredoserateintheenergyrangefrom5kevto10mev AT dubinavn modelûvannâvídgukuplanarnogokremníêvogodetektoraprivimírûvannípotužnostíekspozicíinoídoziudíapazoníenergíivíd5kevdo10mev AT maslovni modelûvannâvídgukuplanarnogokremníêvogodetektoraprivimírûvannípotužnostíekspozicíinoídoziudíapazoníenergíivíd5kevdo10mev AT shlyahovin modelûvannâvídgukuplanarnogokremníêvogodetektoraprivimírûvannípotužnostíekspozicíinoídoziudíapazoníenergíivíd5kevdo10mev AT dubinavn modelirovanieotklikaplanarnogokremnievogodetektorapriizmereniimoŝnostiékspozicionnoidozyvdiapazoneénergiiot5kévdo10mév AT maslovni modelirovanieotklikaplanarnogokremnievogodetektorapriizmereniimoŝnostiékspozicionnoidozyvdiapazoneénergiiot5kévdo10mév AT shlyahovin modelirovanieotklikaplanarnogokremnievogodetektorapriizmereniimoŝnostiékspozicionnoidozyvdiapazoneénergiiot5kévdo10mév |
| first_indexed |
2025-12-01T00:40:28Z |
| last_indexed |
2025-12-01T00:40:28Z |
| _version_ |
1850858898019319808 |