Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate

The results of experiments on further investigation of the growth kinetics of diamond films in a dc glow discharge on modernized equipment are presented. As a result of the research, it was possible to expand the possibilities of using equipment for the synthesis of diamond films in a glow discharge...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Вопросы атомной науки и техники
Date:2019
Main Authors: Gritsyna, V.I., Opalev, O.A., Strel’nitskij, V.E.
Format: Article
Language:English
Published: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2019
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194713
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate / V.I. Gritsyna, O.A. Opalev, V.E. Strel’nitskij // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 1. — С. 176-179. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862617861519835136
author Gritsyna, V.I.
Opalev, O.A.
Strel’nitskij, V.E.
author_facet Gritsyna, V.I.
Opalev, O.A.
Strel’nitskij, V.E.
citation_txt Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate / V.I. Gritsyna, O.A. Opalev, V.E. Strel’nitskij // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 1. — С. 176-179. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Вопросы атомной науки и техники
description The results of experiments on further investigation of the growth kinetics of diamond films in a dc glow discharge on modernized equipment are presented. As a result of the research, it was possible to expand the possibilities of using equipment for the synthesis of diamond films in a glow discharge with a grounded substrate holder. The diamond film growth rates were 3-4 times higher than those obtained in earlier experiments while maintaining high structural characteristics of the synthesized diamond film. The maximum growth rate was 12 μm/h at the pressure of the hydrogen-methane mixture in the discharge chamber of 180 mm Hg. The possibility of obtaining both polycrystalline diamond films without pronounced texture and high-textured diamond films with an orientation of the surface of diamond crystallites (100) parallel to the sample surface is demonstrated. Thus, the presented hydrogen-methane mixture activation system for the synthesis of diamond films is promising for use in technological applications. Наведено результати експериментів щодо подальшого дослідження кінетики росту алмазних плівок у тліючому розряді постійного струму на модернізованому обладнанні. В результаті проведених досліджень вдалося розширити можливості застосування обладнання для синтезу алмазних плівок у тліючому розряді з заземленим підкладкотримачем. Були досягнуті швидкості росту алмазної плівки, що в 3-4 рази перевищують отримані в попередніх експериментах при збереженні високих структурних характеристик синтезованої алмазної плівки. Отримана максимальна швидкість росту склала 12 мкм/год при тиску воднево-метанової суміші в камері розряду 180 мм рт. ст. Показана можливість отримання як полікристалічних алмазних плівок без явно вираженої текстури, так і високотекстурірованих алмазних плівок з орієнтацією поверхні кристалітів алмазу (100) паралельно поверхні зразка. Таким чином, представлена система активації воднево-метанової суміші для синтезу алмазних плівок представляється перспективною для застосування в технологічних цілях. Приведены результаты экспериментов по дальнейшему исследованию кинетики роста алмазных пленок в тлеющем разряде постоянного тока на модернизированном оборудовании. В результате проведенных исследований удалось расширить возможности применения оборудования для синтеза алмазных пленок в тлеющем разряде с заземленным подложкодержателем. Были достигнуты скорости роста алмазной пленки, в 3-4 раза превышающие полученные в более ранних экспериментах при сохранении высоких структурных характеристик синтезируемой алмазной пленки. Полученная максимальная скорость роста составила 12 мкм/ч при давлении водородно-метановой смеси в камере разряда 180 мм рт. ст. Показана возможность получения как поликристаллических алмазных пленок без явно выраженной текстуры, так и высокотекстурированных алмазных пленок с ориентацией поверхности кристаллитов алмаза (100) параллельно поверхности образца. Таким образом, представленная система активации водородно-метановой смеси для синтеза алмазного материала представляется перспективной для применения в технологических целях.
first_indexed 2025-12-07T13:12:13Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194713
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1562-6016
language English
last_indexed 2025-12-07T13:12:13Z
publishDate 2019
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
record_format dspace
spelling Gritsyna, V.I.
Opalev, O.A.
Strel’nitskij, V.E.
2023-11-29T09:17:49Z
2023-11-29T09:17:49Z
2019
Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate / V.I. Gritsyna, O.A. Opalev, V.E. Strel’nitskij // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 1. — С. 176-179. — Бібліогр.: 10 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 52.70.Ds; 52.70 Kz
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194713
The results of experiments on further investigation of the growth kinetics of diamond films in a dc glow discharge on modernized equipment are presented. As a result of the research, it was possible to expand the possibilities of using equipment for the synthesis of diamond films in a glow discharge with a grounded substrate holder. The diamond film growth rates were 3-4 times higher than those obtained in earlier experiments while maintaining high structural characteristics of the synthesized diamond film. The maximum growth rate was 12 μm/h at the pressure of the hydrogen-methane mixture in the discharge chamber of 180 mm Hg. The possibility of obtaining both polycrystalline diamond films without pronounced texture and high-textured diamond films with an orientation of the surface of diamond crystallites (100) parallel to the sample surface is demonstrated. Thus, the presented hydrogen-methane mixture activation system for the synthesis of diamond films is promising for use in technological applications.
Наведено результати експериментів щодо подальшого дослідження кінетики росту алмазних плівок у тліючому розряді постійного струму на модернізованому обладнанні. В результаті проведених досліджень вдалося розширити можливості застосування обладнання для синтезу алмазних плівок у тліючому розряді з заземленим підкладкотримачем. Були досягнуті швидкості росту алмазної плівки, що в 3-4 рази перевищують отримані в попередніх експериментах при збереженні високих структурних характеристик синтезованої алмазної плівки. Отримана максимальна швидкість росту склала 12 мкм/год при тиску воднево-метанової суміші в камері розряду 180 мм рт. ст. Показана можливість отримання як полікристалічних алмазних плівок без явно вираженої текстури, так і високотекстурірованих алмазних плівок з орієнтацією поверхні кристалітів алмазу (100) паралельно поверхні зразка. Таким чином, представлена система активації воднево-метанової суміші для синтезу алмазних плівок представляється перспективною для застосування в технологічних цілях.
Приведены результаты экспериментов по дальнейшему исследованию кинетики роста алмазных пленок в тлеющем разряде постоянного тока на модернизированном оборудовании. В результате проведенных исследований удалось расширить возможности применения оборудования для синтеза алмазных пленок в тлеющем разряде с заземленным подложкодержателем. Были достигнуты скорости роста алмазной пленки, в 3-4 раза превышающие полученные в более ранних экспериментах при сохранении высоких структурных характеристик синтезируемой алмазной пленки. Полученная максимальная скорость роста составила 12 мкм/ч при давлении водородно-метановой смеси в камере разряда 180 мм рт. ст. Показана возможность получения как поликристаллических алмазных пленок без явно выраженной текстуры, так и высокотекстурированных алмазных пленок с ориентацией поверхности кристаллитов алмаза (100) параллельно поверхности образца. Таким образом, представленная система активации водородно-метановой смеси для синтеза алмазного материала представляется перспективной для применения в технологических целях.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Low temperature plasma and plasma technologies
Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
Тліючий розряд постійного струму для синтезу алмазних плівок з високої швидкістю росту
Тлеющий разряд постоянного тока для синтеза алмазных пленок с высокой скоростью роста
Article
published earlier
spellingShingle Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
Gritsyna, V.I.
Opalev, O.A.
Strel’nitskij, V.E.
Low temperature plasma and plasma technologies
title Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
title_alt Тліючий розряд постійного струму для синтезу алмазних плівок з високої швидкістю росту
Тлеющий разряд постоянного тока для синтеза алмазных пленок с высокой скоростью роста
title_full Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
title_fullStr Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
title_full_unstemmed Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
title_short Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
title_sort dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
topic Low temperature plasma and plasma technologies
topic_facet Low temperature plasma and plasma technologies
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194713
work_keys_str_mv AT gritsynavi dcglowdischargeforsynthesisdiamondfilmswithhighgrowthrate
AT opalevoa dcglowdischargeforsynthesisdiamondfilmswithhighgrowthrate
AT strelnitskijve dcglowdischargeforsynthesisdiamondfilmswithhighgrowthrate
AT gritsynavi tlíûčiirozrâdpostíinogostrumudlâsintezualmaznihplívokzvisokoíšvidkístûrostu
AT opalevoa tlíûčiirozrâdpostíinogostrumudlâsintezualmaznihplívokzvisokoíšvidkístûrostu
AT strelnitskijve tlíûčiirozrâdpostíinogostrumudlâsintezualmaznihplívokzvisokoíšvidkístûrostu
AT gritsynavi tleûŝiirazrâdpostoânnogotokadlâsintezaalmaznyhplenoksvysokoiskorostʹûrosta
AT opalevoa tleûŝiirazrâdpostoânnogotokadlâsintezaalmaznyhplenoksvysokoiskorostʹûrosta
AT strelnitskijve tleûŝiirazrâdpostoânnogotokadlâsintezaalmaznyhplenoksvysokoiskorostʹûrosta