Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate
The results of experiments on further investigation of the growth kinetics of diamond films in a dc glow discharge on modernized equipment are presented. As a result of the research, it was possible to expand the possibilities of using equipment for the synthesis of diamond films in a glow discharge...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2019 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2019
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194713 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate / V.I. Gritsyna, O.A. Opalev, V.E. Strel’nitskij // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 1. — С. 176-179. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1859632516779999232 |
|---|---|
| author | Gritsyna, V.I. Opalev, O.A. Strel’nitskij, V.E. |
| author_facet | Gritsyna, V.I. Opalev, O.A. Strel’nitskij, V.E. |
| citation_txt | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate / V.I. Gritsyna, O.A. Opalev, V.E. Strel’nitskij // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 1. — С. 176-179. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The results of experiments on further investigation of the growth kinetics of diamond films in a dc glow discharge on modernized equipment are presented. As a result of the research, it was possible to expand the possibilities of using equipment for the synthesis of diamond films in a glow discharge with a grounded substrate holder. The diamond film growth rates were 3-4 times higher than those obtained in earlier experiments while maintaining high structural characteristics of the synthesized diamond film. The maximum growth rate was 12 μm/h at the pressure of the hydrogen-methane mixture in the discharge chamber of 180 mm Hg. The possibility of obtaining both polycrystalline diamond films without pronounced texture and high-textured diamond films with an orientation of the surface of diamond crystallites (100) parallel to the sample surface is demonstrated. Thus, the presented hydrogen-methane mixture activation system for the synthesis of diamond films is promising for use in technological applications.
Наведено результати експериментів щодо подальшого дослідження кінетики росту алмазних плівок у тліючому розряді постійного струму на модернізованому обладнанні. В результаті проведених досліджень вдалося розширити можливості застосування обладнання для синтезу алмазних плівок у тліючому розряді з заземленим підкладкотримачем. Були досягнуті швидкості росту алмазної плівки, що в 3-4 рази перевищують отримані в попередніх експериментах при збереженні високих структурних характеристик синтезованої алмазної плівки. Отримана максимальна швидкість росту склала 12 мкм/год при тиску воднево-метанової суміші в камері розряду 180 мм рт. ст. Показана можливість отримання як полікристалічних алмазних плівок без явно вираженої текстури, так і високотекстурірованих алмазних плівок з орієнтацією поверхні кристалітів алмазу (100) паралельно поверхні зразка. Таким чином, представлена система активації воднево-метанової суміші для синтезу алмазних плівок представляється перспективною для застосування в технологічних цілях.
Приведены результаты экспериментов по дальнейшему исследованию кинетики роста алмазных пленок в тлеющем разряде постоянного тока на модернизированном оборудовании. В результате проведенных исследований удалось расширить возможности применения оборудования для синтеза алмазных пленок в тлеющем разряде с заземленным подложкодержателем. Были достигнуты скорости роста алмазной пленки, в 3-4 раза превышающие полученные в более ранних экспериментах при сохранении высоких структурных характеристик синтезируемой алмазной пленки. Полученная максимальная скорость роста составила 12 мкм/ч при давлении водородно-метановой смеси в камере разряда 180 мм рт. ст. Показана возможность получения как поликристаллических алмазных пленок без явно выраженной текстуры, так и высокотекстурированных алмазных пленок с ориентацией поверхности кристаллитов алмаза (100) параллельно поверхности образца. Таким образом, представленная система активации водородно-метановой смеси для синтеза алмазного материала представляется перспективной для применения в технологических целях.
|
| first_indexed | 2025-12-07T13:12:13Z |
| format | Article |
| fulltext |
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2019. №1(119)
176 PROBLEMS OF ATOMIC SCIENCE AND TECHNOLOGY. 2019, № 1. Series: Plasma Physics (25), p. 176-179.
DC GLOW DISCHARGE FOR SYNTHESIS DIAMOND FILMS WITH
HIGH GROWTH RATE
V.I. Gritsyna, O.A. Opalev, V.E. Strel’nitskij
National Science Center “Kharkov Institute of Physics and Technology”, Kharkiv, Ukraine
Е-mail: strelnitskij@kipt.kharkov.ua
The results of experiments on further investigation of the growth kinetics of diamond films in a dc glow
discharge on modernized equipment are presented. As a result of the research, it was possible to expand the
possibilities of using equipment for the synthesis of diamond films in a glow discharge with a grounded substrate
holder. The diamond film growth rates were 3-4 times higher than those obtained in earlier experiments while
maintaining high structural characteristics of the synthesized diamond film. The maximum growth rate was 12 μm/h
at the pressure of the hydrogen-methane mixture in the discharge chamber of 180 mm Hg. The possibility of
obtaining both polycrystalline diamond films without pronounced texture and high-textured diamond films with an
orientation of the surface of diamond crystallites (100) parallel to the sample surface is demonstrated. Thus, the
presented hydrogen-methane mixture activation system for the synthesis of diamond films is promising for use in
technological applications.
PACS: 52.70.Ds; 52.70 Kz
INTRODUCTION
Most of the experimental and technological set-ups
existing in the world use the microwave method of
activation of the hydrogen-methane gas mixture for the
synthesis of diamond films. At the same time, intensive
research is underway on the use of other activation
methods. One of such methods of activation of a gas
mixture is a glow discharge in its various modifications
[1-3]. Such studies are conducted with the aim of
reducing the cost of existing experimental equipment
and increasing the efficiency of diamond synthesis
processes, i.e. reduction of the invested energy
consumption per carat of the obtained diamond. The
investigations were carried out with cathodes from
various materials (tungsten, molybdenum, tantalum) and
at various temperatures of the cathode, i.e. with a cold
and hot cathode [2, 4]. In general, when using a glow
discharge as a tool for the synthesis of diamond films,
some progress has been made in the world [5].
Studies on the use of glow discharge for the synthesis
of polycrystalline diamond coatings have been conducted
in the NSC KIPT for a number of years. Positive results
were obtained using a glow discharge stabilized by a
magnetic field; while the substrate holder was under the
floating potential [6]. Later, the laboratory equipment was
upgraded to avoid ion bombardment of substrate during
the synthesis of diamond films. A flat cylindrical cathode
was used and the anode was a substrate holder [7]. As it
was shown earlier, it was possible to achieve stable
parameters of diamond films synthesis at a pressure of
100 mm Hg. The growth rate did not exceed 3 μm/h,
which is clearly not enough for the deposition of films
with a thickness of more than 100 μm [8]. Thus, the
purpose of the work was to expand the capabilities of
modernized equipment, to determine the conditions for
stable burning of a glow discharge at pressures above
100 mm Hg and to obtain high-quality diamond films
with a higher growth rate.
EXPERIMENTAL
The experiments were carried out with a cathode of
66 mm in diameter, and the substrate holder, which
served as an anode and had a diameter of 42 mm. The
stability of the discharge combustion in this system
depends on the geometric parameters of the discharge
system (the ratio of the distance between the cathode
and the anode to the diameter of the anode). If this ratio
is not optimally at a certain pressure, the discharge
passes from the normal glow discharge to the
anomalous one with further disruption to the arc. The
temperature of the substrate holder falls sharply
(Fig. 1,a), while the power input into the discharge
continues to increase linearly (see Fig. 1,b).
Fig. 1. Dependences: a – substrate temperature vs
pressure; b – inputted power into the discharge vs the
pressure
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2019. №1(119) 177
As a result of variations of the geometric parameters
in the discharge system, it was possible to achieve stable
burning of the discharge in hydrogen medium up to a
pressure of 240 mm Hg (Fig. 2).
Fig. 2. Dependence of the substrate temperature vs the
hydrogen pressure in the discharge chamber
The discharge remained as the normal glow
discharge, i.e. with increasing discharge current the
voltage between the cathode and the anode did not
increase; the temperature of the substrate holder
increased proportionately in this case. The obtained
results made it possible to carry out a number of
experiments on the synthesis of diamond films in the
pressure range from 110 to 180 mm Hg. Synthesis of
diamond films was carried out in a hydrogen-methane
mixture with a methane concentration in the discharge
chamber from 1 to 6 %. The working gas flow varied
from 75 to 335 cm
3
/min. As substrates we used samples
of single crystal silicon with dimensions of 8x8 mm and
a thickness of 340 μm. For the formation of diamond
film, the samples were previously seeded with a
diamond powder with a grain size of 2…3 μm.
EXPERIMENTAL RESULTS
It is known that the deposition rate of a diamond
film depends on the ratio of the concentration of
hydrocarbon radicals responsible for diamond growth
and the concentration of atomic hydrogen. Therefore, as
the pressure of the gas medium increases, it is necessary
to increase the concentration of methane in the mixture
in order to ensure the maximum growth rate. The
conducted studies have shown that for the maximum
growth rate of a diamond film at pressures of
100…110 mm Hg. 1 % of methane is sufficient,
whereas at a pressure of 180 mm Hg the optimum
concentration of methane in hydrogen was already from
3 to 4 %. The growth rate varied from 3.5 μm/h at
1…1.5 % methane and pressure of 110 mm Hg up to
7.5…8 μm/h, with a methane concentration of 2.5 %
and a pressure of 160 mm Hg. The best results were
obtained with a gas pressure in the discharge chamber
of 180 mm Hg and methane concentrations in the range
from 3 to 4 %. The growth rate of the diamond film
reached 12 μm/h (Fig. 3).
The growth rate was determined by a weighting
method with averaging over 9 samples of single-crystal
silicon, 340 μm in thickness and 8×8 mm in size. With
an increase in the concentration of methane in hydrogen
above 4 %, i.e. up to 5…6 %, the growth rate decreased
monotonically up to 9...10 μm/h (see black point in
Fig. 3). This is due to the fact, that with increasing
methane concentration in the discharge above a certain
limit, there is already not enough atomic hydrogen to
completely remove the non-diamond carbon impurity
depositing on the surface of the growing diamond film.
We note that the power input into the discharge did not
exceed 4.5 kW at a discharge current from 5 to 7 A,
which is much less than in previously published papers
[9].
100 120 140 160 180
2
4
6
8
10
12
W
,
m
/h
T=1220°C
P, mm Hg
Fig. 3. Dependence of the growth rate of a diamond
film vs the pressure of the hydrogen-methane mixture in
the discharge chamber
As a result of the experiments, diamond films with
thicknesses from 20 to 250 μm were obtained on silicon
substrates. A general view of a polycrystalline diamond
film with a thickness of 210 μm, without pronounced
texturing of the surface, is shown in Fig. 4. It should be
specially noted that when the diamond films thicknesses
exceeding 100 μm there were not observed cracks on
the growing diamond surface, and there was not the
diamond film peeling from the silicon substrate. Such
effects were quite often observed in earlier experiments
using a glow discharge stabilized by a magnetic field,
where the substrate holder was under a floating
potential, and the anode was a ring insert [10].
Fig. 4. View of polycrystalline diamond film with a
thickness of 210 μm. The crystallite size is
40…50 μm
The floating potential on the substrate holder was
200 V or more, which led to ion bombardment of the
mm Hg
178 ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2019. №1(119)
growing surface. This process could cause the formation
of defects, which led to stresses between the diamond
film and the silicon substrate. Especially these negative
processes affected the growth of high-quality diamond
films (≥10
14
∙cm), because the intergrain distances
sharply decreased, which served as "unloading" of the
stresses arising during the growth process. In the current
experiments the substrate holder was under zero
potential, i.e. itself served as an anode, which precluded
the bombardment of it by ions.
While maintaining certain synthesis parameters such
as temperature, methane concentration in hydrogen
medium, gas mixture pressure, it was possible to obtain
well-textured diamond films with the orientation of
diamond crystallites (100) parallel to the sample
surface. Diamond films with this orientation up to
100 μm were obtained. Fig. 5 shows the view of
textured diamond film at the initial stage of growth. The
film thickness is of 20 μm, the crystallite size is of
4…5 μm.
Fig. 5. View of diamond film with texture (100)
the thickness is of 20 μm, the crystallite size is of
4…5 μm
However, a more complete understanding of the
growth processes of textured diamond films requires
further research.
CONCLUSIONS
1. As a result of the research, it was possible to
expand the possibilities of using equipment for the
synthesis of diamond films in a glow discharge with a
grounded substrate holder.
2. The diamond film growth rates were 3…4 times
higher than those obtained in earlier experiments while
maintaining high structural characteristics of the
synthesized diamond film.
3. The possibility of obtaining both polycrystalline
diamond films without pronounced texture and high-
textured diamond films with an orientation of the
surface of diamond crystallites (100) parallel to the
sample surface is demonstrated.
4. The presented system of activation of hydrogen-
methane mixture for the synthesis of diamond coatings
is promising for use in technological purposes.
REFERENCES
1. Jae-Kap Lee, Kwang Yong Eun, Hee-Baik Chae
Young-Joon Baik. Free-standing diamond wafers
deposited by multi-cathode, direct-current, plasma-
assisted chemical vapor deposition // Diamond and
Related Materials. 2000, v. 9, p 364-367.
2. Wook-Seong Lee, Young-Joon Baik, Ki-Woong
Chae. Diamond thick film deposition in wafer scale
using single-cathode direct current plasma assisted
chemical vapour deposition // Thin Solid Films. 2003,
v. 435, p. 89-94.
3. M. Noda, A. Marui, T. Suzuki, M. Umeno.
Deposition of diamond film on silicon and quartz
substrates located near DC plasma // Diamond and
Related Materials. 2005, v. 14, p. 1757-1760.
4. Yizhen Bai, Zengsun Jin, Xianyi Lv, Zhigang Jiang,
Jiay Wang, Hanhua Wu. Influence of cathode
temperature on gas discharge and growth of diamond
films in DC-PCVD processing // Diamond and Related
Materials. 2005, v. 14, p. 1494-1497.
5. Ki-Woong Chae, Young-Joon Baik, Jong-Keuk Park,
Wook-Seong Lee. The 8-inch free-standing CVD
diamond wafer fabricated by DC-PACVD // Diamond
and Related Materials. 2010, v. 19, p. 1168-1171.
6. Е.P. Bereznyak, А.А. Verevkin, I.I. Vyrovets,
V.I. Grytsyna, S.F. Dudnik, V.Е. Opalev, А.S. Ribka,
E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitskij. Production of
freestanding polycrystalline diamond films for ionizing
radiation detectors. Problems of Atomic Science and
Technology. Ser. “Physics of Radiation Damages and
Radiation Material Science” (72). 2011, № 2, p. 137-
140.
7. V.I. Gritsyna, S.F. Dudnik, O.A. Opalev,
V.Е. Strel’nitskij. Using dc glow discharge for diamond
coatings synthesis // Problems of Atomic Science and
Technology. Ser. “Vacuum, Pure Materials,
Superconductors” (113). 2018, № 1, р. 93-95.
8. V.I. Gritsyna, S.F. Dudnik, O.A. Opalev,
E.N. Reshetnyak, V.E. Strel’nitski, Pecularirties of
diamond film synthesis in the dc glow discharge //
Problems of Atomic Science and Technology. Ser.
“Vacuum, Pure Materials, Superconductors” (113). 2018,
№ 1, р. 96-100.
9. I.I. Vyrovets, V.I. Grytsyna, S.F. Dudnik,
V.Е. Kutny, О.А. Opalev, А.S. Ribka, E.N. Reshetnyak,
V.E. Strel’nitskij. Obtaining and Characteristics of
Polycrystalline Diamond Films for Detectors of Ionizing
// Radiation. Proceedings XVIII International
Conference on Physics of Radiation Phenomena and
Radiation Material Science, 2008, Alushta, Cremea,
p. 374-375.
10. О.А. Opalev, V. К. Pashnev, I.К. Kovalchuk,
V.А. Belous, Z.I. Kolupaeva, V.E. Strel’nitskij.
Synthesis of diamond coatings in a glow discharge
stabilized by the magnetic field // Problems of Atomic
Science and Technology. Ser. “Physics of Radiation
Damages and Radiation Material Science” (78) // 2000,
№ 4, p. 158-164.
Article received 30.11.2018
ISSN 1562-6016. ВАНТ. 2019. №1(119) 179
ТЛЕЮЩИЙ РАЗРЯД ПОСТОЯННОГО ТОКА ДЛЯ СИНТЕЗА
АЛМАЗНЫХ ПЛЕНОК С ВЫСОКОЙ СКОРОСТЬЮ РОСТА
В.И. Грицына, О.А. Опалев, В.Е. Стрельницкий
Приведены результаты экспериментов по дальнейшему исследованию кинетики роста алмазных пленок в
тлеющем разряде постоянного тока на модернизированном оборудовании. В результате проведенных
исследований удалось расширить возможности применения оборудования для синтеза алмазных пленок в
тлеющем разряде с заземленным подложкодержателем. Были достигнуты скорости роста алмазной пленки, в
3-4 раза превышающие полученные в более ранних экспериментах при сохранении высоких структурных
характеристик синтезируемой алмазной пленки. Полученная максимальная скорость роста составила
12 мкм/ч при давлении водородно-метановой смеси в камере разряда 180 мм рт. ст. Показана возможность
получения как поликристаллических алмазных пленок без явно выраженной текстуры, так и
высокотекстурированных алмазных пленок с ориентацией поверхности кристаллитов алмаза (100)
параллельно поверхности образца. Таким образом, представленная система активации водородно-метановой
смеси для синтеза алмазного материала представляется перспективной для применения в технологических
целях.
ТЛІЮЧИЙ РОЗРЯД ПОСТІЙНОГО СТРУМУ ДЛЯ СИНТЕЗУ
АЛМАЗНИХ ПЛІВОК З ВИСОКОЇ ШВИДКІСТЮ РОСТУ
В.І. Грицина, О.А. Опалєв, В.Є. Стрельницький
Наведено результати експериментів щодо подальшого дослідження кінетики росту алмазних плівок у
тліючому розряді постійного струму на модернізованому обладнанні. В результаті проведених досліджень
вдалося розширити можливості застосування обладнання для синтезу алмазних плівок у тліючому розряді з
заземленим підкладкотримачем. Були досягнуті швидкості росту алмазної плівки, що в 3-4 рази
перевищують отримані в попередніх експериментах при збереженні високих структурних характеристик
синтезованої алмазної плівки. Отримана максимальна швидкість росту склала 12 мкм/год при тиску
воднево-метанової суміші в камері розряду 180 мм рт. ст. Показана можливість отримання як
полікристалічних алмазних плівок без явно вираженої текстури, так і високотекстурірованих алмазних
плівок з орієнтацією поверхні кристалітів алмазу (100) паралельно поверхні зразка. Таким чином,
представлена система активації воднево-метанової суміші для синтезу алмазних плівок представляється
перспективною для застосування в технологічних цілях.
|
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194713 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T13:12:13Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Gritsyna, V.I. Opalev, O.A. Strel’nitskij, V.E. 2023-11-29T09:17:49Z 2023-11-29T09:17:49Z 2019 Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate / V.I. Gritsyna, O.A. Opalev, V.E. Strel’nitskij // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 1. — С. 176-179. — Бібліогр.: 10 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.70.Ds; 52.70 Kz https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194713 The results of experiments on further investigation of the growth kinetics of diamond films in a dc glow discharge on modernized equipment are presented. As a result of the research, it was possible to expand the possibilities of using equipment for the synthesis of diamond films in a glow discharge with a grounded substrate holder. The diamond film growth rates were 3-4 times higher than those obtained in earlier experiments while maintaining high structural characteristics of the synthesized diamond film. The maximum growth rate was 12 μm/h at the pressure of the hydrogen-methane mixture in the discharge chamber of 180 mm Hg. The possibility of obtaining both polycrystalline diamond films without pronounced texture and high-textured diamond films with an orientation of the surface of diamond crystallites (100) parallel to the sample surface is demonstrated. Thus, the presented hydrogen-methane mixture activation system for the synthesis of diamond films is promising for use in technological applications. Наведено результати експериментів щодо подальшого дослідження кінетики росту алмазних плівок у тліючому розряді постійного струму на модернізованому обладнанні. В результаті проведених досліджень вдалося розширити можливості застосування обладнання для синтезу алмазних плівок у тліючому розряді з заземленим підкладкотримачем. Були досягнуті швидкості росту алмазної плівки, що в 3-4 рази перевищують отримані в попередніх експериментах при збереженні високих структурних характеристик синтезованої алмазної плівки. Отримана максимальна швидкість росту склала 12 мкм/год при тиску воднево-метанової суміші в камері розряду 180 мм рт. ст. Показана можливість отримання як полікристалічних алмазних плівок без явно вираженої текстури, так і високотекстурірованих алмазних плівок з орієнтацією поверхні кристалітів алмазу (100) паралельно поверхні зразка. Таким чином, представлена система активації воднево-метанової суміші для синтезу алмазних плівок представляється перспективною для застосування в технологічних цілях. Приведены результаты экспериментов по дальнейшему исследованию кинетики роста алмазных пленок в тлеющем разряде постоянного тока на модернизированном оборудовании. В результате проведенных исследований удалось расширить возможности применения оборудования для синтеза алмазных пленок в тлеющем разряде с заземленным подложкодержателем. Были достигнуты скорости роста алмазной пленки, в 3-4 раза превышающие полученные в более ранних экспериментах при сохранении высоких структурных характеристик синтезируемой алмазной пленки. Полученная максимальная скорость роста составила 12 мкм/ч при давлении водородно-метановой смеси в камере разряда 180 мм рт. ст. Показана возможность получения как поликристаллических алмазных пленок без явно выраженной текстуры, так и высокотекстурированных алмазных пленок с ориентацией поверхности кристаллитов алмаза (100) параллельно поверхности образца. Таким образом, представленная система активации водородно-метановой смеси для синтеза алмазного материала представляется перспективной для применения в технологических целях. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Low temperature plasma and plasma technologies Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate Тліючий розряд постійного струму для синтезу алмазних плівок з високої швидкістю росту Тлеющий разряд постоянного тока для синтеза алмазных пленок с высокой скоростью роста Article published earlier |
| spellingShingle | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate Gritsyna, V.I. Opalev, O.A. Strel’nitskij, V.E. Low temperature plasma and plasma technologies |
| title | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate |
| title_alt | Тліючий розряд постійного струму для синтезу алмазних плівок з високої швидкістю росту Тлеющий разряд постоянного тока для синтеза алмазных пленок с высокой скоростью роста |
| title_full | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate |
| title_fullStr | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate |
| title_full_unstemmed | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate |
| title_short | Dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate |
| title_sort | dc glow discharge for synthesis diamond films with high growth rate |
| topic | Low temperature plasma and plasma technologies |
| topic_facet | Low temperature plasma and plasma technologies |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194713 |
| work_keys_str_mv | AT gritsynavi dcglowdischargeforsynthesisdiamondfilmswithhighgrowthrate AT opalevoa dcglowdischargeforsynthesisdiamondfilmswithhighgrowthrate AT strelnitskijve dcglowdischargeforsynthesisdiamondfilmswithhighgrowthrate AT gritsynavi tlíûčiirozrâdpostíinogostrumudlâsintezualmaznihplívokzvisokoíšvidkístûrostu AT opalevoa tlíûčiirozrâdpostíinogostrumudlâsintezualmaznihplívokzvisokoíšvidkístûrostu AT strelnitskijve tlíûčiirozrâdpostíinogostrumudlâsintezualmaznihplívokzvisokoíšvidkístûrostu AT gritsynavi tleûŝiirazrâdpostoânnogotokadlâsintezaalmaznyhplenoksvysokoiskorostʹûrosta AT opalevoa tleûŝiirazrâdpostoânnogotokadlâsintezaalmaznyhplenoksvysokoiskorostʹûrosta AT strelnitskijve tleûŝiirazrâdpostoânnogotokadlâsintezaalmaznyhplenoksvysokoiskorostʹûrosta |