Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2019
• Автори: Sardarly, R.M., Samedov, O.A., Salmanov, F.T., Aliyeva, N.A.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2019
• Теми: Physics of radiation damages and effects in solids
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194933
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals / R.M. Sardarly, O.A. Samedov, F.T. Salmanov, N.A. Aliyeva // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 30-33. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

The effect of γ-irradiation on the relaxor properties of the TlInS₂ compound have been studied. It is established that in this compound the Vogel-Fulcher temperature (Tf) shifts towards the low temperatures, and the Burns temperature (Td) moves towards the high temperatures. As a result, the temperature range for the existence of a relaxor state extends by ∼ 40 K. The presence of hopping conduction is established and the parameters characterizing this mechanism are determined. Вивчено вплив γ-опромінення на релаксорні властивості з'єднання TlInS₂. Встановлено, що в цьому з'єднанні температура Фогеля-Фулчера (Tf) зміщується в бік низьких температур, а температура Бернса (Td) – у сторону високих температур. В результаті температурний інтервал існування релаксорного стану розширюється на ∼ 40 K. Встановлено наявність стрибкової провідності і визначенo параметри, що характеризують даний механізм. Изучено влияние γ-облучения на релаксорные свойства соединения TlInS₂. Установлено, что в этом соединении температура Фогеля-Фулчера (Tf) смещается в сторону низких температур, а температура Бернса (Td) – в сторону высоких температур. В результате температурный интервал существования релаксорного состояния расширяется на ∼ 40 K. Установлено наличие прыжковой проводимости и определены параметры, характеризующие данный механизм.