Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals

The effect of γ-irradiation on the relaxor properties of the TlInS₂ compound have been studied. It is established that in this compound the Vogel-Fulcher temperature (Tf) shifts towards the low temperatures, and the Burns temperature (Td) moves towards the high temperatures. As a result, the tempera...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:
Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:Вопросы атомной науки и техники
Datum:2019
Hauptverfasser: Sardarly, R.M., Samedov, O.A., Salmanov, F.T., Aliyeva, N.A.
Format: Artikel
Sprache:English
Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2019
Schlagworte:
Online Zugang:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194933
Tags: Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals / R.M. Sardarly, O.A. Samedov, F.T. Salmanov, N.A. Aliyeva // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 30-33. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194933
record_format dspace
spelling Sardarly, R.M.
Samedov, O.A.
Salmanov, F.T.
Aliyeva, N.A.
2023-12-01T16:09:19Z
2023-12-01T16:09:19Z
2019
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals / R.M. Sardarly, O.A. Samedov, F.T. Salmanov, N.A. Aliyeva // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 30-33. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
1562-6016
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194933
537.226.4
The effect of γ-irradiation on the relaxor properties of the TlInS₂ compound have been studied. It is established that in this compound the Vogel-Fulcher temperature (Tf) shifts towards the low temperatures, and the Burns temperature (Td) moves towards the high temperatures. As a result, the temperature range for the existence of a relaxor state extends by ∼ 40 K. The presence of hopping conduction is established and the parameters characterizing this mechanism are determined.
Вивчено вплив γ-опромінення на релаксорні властивості з'єднання TlInS₂. Встановлено, що в цьому з'єднанні температура Фогеля-Фулчера (Tf) зміщується в бік низьких температур, а температура Бернса (Td) – у сторону високих температур. В результаті температурний інтервал існування релаксорного стану розширюється на ∼ 40 K. Встановлено наявність стрибкової провідності і визначенo параметри, що характеризують даний механізм.
Изучено влияние γ-облучения на релаксорные свойства соединения TlInS₂. Установлено, что в этом соединении температура Фогеля-Фулчера (Tf) смещается в сторону низких температур, а температура Бернса (Td) – в сторону высоких температур. В результате температурный интервал существования релаксорного состояния расширяется на ∼ 40 K. Установлено наличие прыжковой проводимости и определены параметры, характеризующие данный механизм.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Вопросы атомной науки и техники
Physics of radiation damages and effects in solids
Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
Вплив γ-опромінення на діелектричні і електричні властивості кристалів TlInS₂
Влияние γ-облучения на диэлектрические и электрические свойства кристаллов TlInS₂
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
spellingShingle Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
Sardarly, R.M.
Samedov, O.A.
Salmanov, F.T.
Aliyeva, N.A.
Physics of radiation damages and effects in solids
title_short Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
title_full Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
title_fullStr Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
title_full_unstemmed Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals
title_sort impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of tlins₂ crystals
author Sardarly, R.M.
Samedov, O.A.
Salmanov, F.T.
Aliyeva, N.A.
author_facet Sardarly, R.M.
Samedov, O.A.
Salmanov, F.T.
Aliyeva, N.A.
topic Physics of radiation damages and effects in solids
topic_facet Physics of radiation damages and effects in solids
publishDate 2019
language English
container_title Вопросы атомной науки и техники
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Вплив γ-опромінення на діелектричні і електричні властивості кристалів TlInS₂
Влияние γ-облучения на диэлектрические и электрические свойства кристаллов TlInS₂
description The effect of γ-irradiation on the relaxor properties of the TlInS₂ compound have been studied. It is established that in this compound the Vogel-Fulcher temperature (Tf) shifts towards the low temperatures, and the Burns temperature (Td) moves towards the high temperatures. As a result, the temperature range for the existence of a relaxor state extends by ∼ 40 K. The presence of hopping conduction is established and the parameters characterizing this mechanism are determined. Вивчено вплив γ-опромінення на релаксорні властивості з'єднання TlInS₂. Встановлено, що в цьому з'єднанні температура Фогеля-Фулчера (Tf) зміщується в бік низьких температур, а температура Бернса (Td) – у сторону високих температур. В результаті температурний інтервал існування релаксорного стану розширюється на ∼ 40 K. Встановлено наявність стрибкової провідності і визначенo параметри, що характеризують даний механізм. Изучено влияние γ-облучения на релаксорные свойства соединения TlInS₂. Установлено, что в этом соединении температура Фогеля-Фулчера (Tf) смещается в сторону низких температур, а температура Бернса (Td) – в сторону высоких температур. В результате температурный интервал существования релаксорного состояния расширяется на ∼ 40 K. Установлено наличие прыжковой проводимости и определены параметры, характеризующие данный механизм.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194933
citation_txt Impact of γ-irradiation on dielectric and electric properties of TlInS₂ crystals / R.M. Sardarly, O.A. Samedov, F.T. Salmanov, N.A. Aliyeva // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 30-33. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT sardarlyrm impactofγirradiationondielectricandelectricpropertiesoftlins2crystals
AT samedovoa impactofγirradiationondielectricandelectricpropertiesoftlins2crystals
AT salmanovft impactofγirradiationondielectricandelectricpropertiesoftlins2crystals
AT aliyevana impactofγirradiationondielectricandelectricpropertiesoftlins2crystals
AT sardarlyrm vplivγopromínennânadíelektričnííelektričnívlastivostíkristalívtlins2
AT samedovoa vplivγopromínennânadíelektričnííelektričnívlastivostíkristalívtlins2
AT salmanovft vplivγopromínennânadíelektričnííelektričnívlastivostíkristalívtlins2
AT aliyevana vplivγopromínennânadíelektričnííelektričnívlastivostíkristalívtlins2
AT sardarlyrm vliânieγoblučeniânadiélektričeskieiélektričeskiesvoistvakristallovtlins2
AT samedovoa vliânieγoblučeniânadiélektričeskieiélektričeskiesvoistvakristallovtlins2
AT salmanovft vliânieγoblučeniânadiélektričeskieiélektričeskiesvoistvakristallovtlins2
AT aliyevana vliânieγoblučeniânadiélektričeskieiélektričeskiesvoistvakristallovtlins2
first_indexed 2025-11-30T15:39:55Z
last_indexed 2025-11-30T15:39:55Z
_version_ 1850857980830941184