IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals
For the first time, information on the surface relief of the layered GaS and doped GaS:Yb single crystals subjected to gamma-irradiation was obtained using atomic force microscopy (AFM) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). It was found that GaS is characterized by a non-uniform distri...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Authors: | , , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194934 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals / A.M. Pashayev, B.G. Tagiyev, R.S. Madatov, N.N. Gadzhieva, A.A. Aliev, F.G. Asadov // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862570315897372672 |
|---|---|
| author | Pashayev, A.M. Tagiyev, B.G. Madatov, R.S. Gadzhieva, N.N. Aliev, A.A. Asadov, F.G. |
| author_facet | Pashayev, A.M. Tagiyev, B.G. Madatov, R.S. Gadzhieva, N.N. Aliev, A.A. Asadov, F.G. |
| citation_txt | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals / A.M. Pashayev, B.G. Tagiyev, R.S. Madatov, N.N. Gadzhieva, A.A. Aliev, F.G. Asadov // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | For the first time, information on the surface relief of the layered GaS and doped GaS:Yb single crystals subjected to gamma-irradiation was obtained using atomic force microscopy (AFM) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). It was found that GaS is characterized by a non-uniform distribution of irregularities with different heights and periodicities, and when doping crystals with Yb atoms, the distribution of irregularities becomes more orderly, the height and periodicity of irregularities decreases. In the FTIR spectra, changes in the reflection coefficients of the surface of GaS and GaS:Yb single crystals are observed as a function of the gammairradiation dose (Фγ = 30…200 krad), and on the basis of spectroscopic and microscopic changes, it was found that doped single crystals are the most radiation-resistant.
Вперше методами атомно-силової мікроскопії (АСМ) і ІК-фур'є-спектроскопії отримано інформацію про рельєф поверхні нелегованих GaS і легованих монокристалів GaS:Yb, підданих гамма-опроміненню. Встановлено, що для монокристалів GaS характерний нерівномірний розподіл нерівностей з різною висотою і періодичністю, а при легуванні кристалів атомами Yb розподіл нерівностей упорядкується, їх висота і періодичність зменшаться. В ІК-фур’є-спектрах спостерігаються зміни коефіцієнтів відбиття поверхні монокристалів GaS і GaS:Yb в залежності від дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад), і на основі цих змін встановлено, що леговані монокристали є більш радіаційно стійкими.
Впервые методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и ИК-фурье-спектроскопии получена информация о рельефе поверхности нелегированных GaS и легированных монокристаллов GaS:Yb, подвергнутых гамма-облучению. Установлено, что для монокристаллов GaS характерно неравномерное распределение неровностей с различной высотой и периодичностью, а при легировании кристаллов атомами Yb распределение неровностей упорядочится, их высота и периодичность уменьшатся. В ИК-фурьеспектрах наблюдаются изменения коэффициентов отражения поверхности монокристаллов GaS и GaS:Yb в зависимости от дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад), и на основе этих изменений установлено, что легированные монокристаллы являются более радиационно стойкими.
|
| first_indexed | 2025-11-26T02:37:26Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-194934 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-26T02:37:26Z |
| publishDate | 2019 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Pashayev, A.M. Tagiyev, B.G. Madatov, R.S. Gadzhieva, N.N. Aliev, A.A. Asadov, F.G. 2023-12-01T16:09:50Z 2023-12-01T16:09:50Z 2019 IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals / A.M. Pashayev, B.G. Tagiyev, R.S. Madatov, N.N. Gadzhieva, A.A. Aliev, F.G. Asadov // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 78.30.Fs; 61.80.Ed; 61.82.Fk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194934 For the first time, information on the surface relief of the layered GaS and doped GaS:Yb single crystals subjected to gamma-irradiation was obtained using atomic force microscopy (AFM) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). It was found that GaS is characterized by a non-uniform distribution of irregularities with different heights and periodicities, and when doping crystals with Yb atoms, the distribution of irregularities becomes more orderly, the height and periodicity of irregularities decreases. In the FTIR spectra, changes in the reflection coefficients of the surface of GaS and GaS:Yb single crystals are observed as a function of the gammairradiation dose (Фγ = 30…200 krad), and on the basis of spectroscopic and microscopic changes, it was found that doped single crystals are the most radiation-resistant. Вперше методами атомно-силової мікроскопії (АСМ) і ІК-фур'є-спектроскопії отримано інформацію про рельєф поверхні нелегованих GaS і легованих монокристалів GaS:Yb, підданих гамма-опроміненню. Встановлено, що для монокристалів GaS характерний нерівномірний розподіл нерівностей з різною висотою і періодичністю, а при легуванні кристалів атомами Yb розподіл нерівностей упорядкується, їх висота і періодичність зменшаться. В ІК-фур’є-спектрах спостерігаються зміни коефіцієнтів відбиття поверхні монокристалів GaS і GaS:Yb в залежності від дози гамма-опромінення (Фγ = 30...200 крад), і на основі цих змін встановлено, що леговані монокристали є більш радіаційно стійкими. Впервые методами атомно-силовой микроскопии (АСМ) и ИК-фурье-спектроскопии получена информация о рельефе поверхности нелегированных GaS и легированных монокристаллов GaS:Yb, подвергнутых гамма-облучению. Установлено, что для монокристаллов GaS характерно неравномерное распределение неровностей с различной высотой и периодичностью, а при легировании кристаллов атомами Yb распределение неровностей упорядочится, их высота и периодичность уменьшатся. В ИК-фурьеспектрах наблюдаются изменения коэффициентов отражения поверхности монокристаллов GaS и GaS:Yb в зависимости от дозы гамма-облучения (Фγ = 30…200 крад), и на основе этих изменений установлено, что легированные монокристаллы являются более радиационно стойкими. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Physics of radiation damages and effects in solids IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals ІК-спектроскопія і АСМ-мікроскопія поверхні гамма-опромінених шаруватих монокристалів GaS і GaS:Yb ИК-спектроскопия и АСМ-микроскопия поверхности гамма-облученных слоистых монокристаллов GaS и GaS:Yb Article published earlier |
| spellingShingle | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals Pashayev, A.M. Tagiyev, B.G. Madatov, R.S. Gadzhieva, N.N. Aliev, A.A. Asadov, F.G. Physics of radiation damages and effects in solids |
| title | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals |
| title_alt | ІК-спектроскопія і АСМ-мікроскопія поверхні гамма-опромінених шаруватих монокристалів GaS і GaS:Yb ИК-спектроскопия и АСМ-микроскопия поверхности гамма-облученных слоистых монокристаллов GaS и GaS:Yb |
| title_full | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals |
| title_fullStr | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals |
| title_full_unstemmed | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals |
| title_short | IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals |
| title_sort | ir-spectroscopy and afm-microscopy of the surface of gamma-irradiated gas and gas:yb layered single crystals |
| topic | Physics of radiation damages and effects in solids |
| topic_facet | Physics of radiation damages and effects in solids |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194934 |
| work_keys_str_mv | AT pashayevam irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals AT tagiyevbg irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals AT madatovrs irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals AT gadzhievann irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals AT alievaa irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals AT asadovfg irspectroscopyandafmmicroscopyofthesurfaceofgammairradiatedgasandgasyblayeredsinglecrystals AT pashayevam íkspektroskopíâíasmmíkroskopíâpoverhnígammaopromínenihšaruvatihmonokristalívgasígasyb AT tagiyevbg íkspektroskopíâíasmmíkroskopíâpoverhnígammaopromínenihšaruvatihmonokristalívgasígasyb AT madatovrs íkspektroskopíâíasmmíkroskopíâpoverhnígammaopromínenihšaruvatihmonokristalívgasígasyb AT gadzhievann íkspektroskopíâíasmmíkroskopíâpoverhnígammaopromínenihšaruvatihmonokristalívgasígasyb AT alievaa íkspektroskopíâíasmmíkroskopíâpoverhnígammaopromínenihšaruvatihmonokristalívgasígasyb AT asadovfg íkspektroskopíâíasmmíkroskopíâpoverhnígammaopromínenihšaruvatihmonokristalívgasígasyb AT pashayevam ikspektroskopiâiasmmikroskopiâpoverhnostigammaoblučennyhsloistyhmonokristallovgasigasyb AT tagiyevbg ikspektroskopiâiasmmikroskopiâpoverhnostigammaoblučennyhsloistyhmonokristallovgasigasyb AT madatovrs ikspektroskopiâiasmmikroskopiâpoverhnostigammaoblučennyhsloistyhmonokristallovgasigasyb AT gadzhievann ikspektroskopiâiasmmikroskopiâpoverhnostigammaoblučennyhsloistyhmonokristallovgasigasyb AT alievaa ikspektroskopiâiasmmikroskopiâpoverhnostigammaoblučennyhsloistyhmonokristallovgasigasyb AT asadovfg ikspektroskopiâiasmmikroskopiâpoverhnostigammaoblučennyhsloistyhmonokristallovgasigasyb |