Зображення обкладинки

IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals

For the first time, information on the surface relief of the layered GaS and doped GaS:Yb single crystals subjected to gamma-irradiation was obtained using atomic force microscopy (AFM) and Fourier-transform infrared spectroscopy (FTIR). It was found that GaS is characterized by a non-uniform distri...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вопросы атомной науки и техники
Дата:	2019
Автори:	Pashayev, A.M., Tagiyev, B.G., Madatov, R.S., Gadzhieva, N.N., Aliev, A.A., Asadov, F.G.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2019
Теми:	Physics of radiation damages and effects in solids
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/194934
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	IR-spectroscopy and AFM-microscopy of the surface of gamma-irradiated GaS and GaS:Yb layered single crystals / A.M. Pashayev, B.G. Tagiyev, R.S. Madatov, N.N. Gadzhieva, A.A. Aliev, F.G. Asadov // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 2. — С. 34-38. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Photoluminescence of undoped and Yb-doped GaS single crystals irradiated with γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Mechanisms of current passage and excitation of electroluminescence in GaSe:Er monocrystals
за авторством: Tagiyev, B.G., та інші
Опубліковано: (2002)

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2023)

Influence of gas adsorption on the impedance of porous GaAs
за авторством: Milovanov, Y.S., та інші
Опубліковано: (2017)

Hopping conductivity in GaSe monocrystals at low temperatures
за авторством: Pashayev, A.M., та інші
Опубліковано: (2001)

Radiation modification of the structure of layer crystals of sulfide gallium
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of γ-irradiation on the structure of high density polyethylene composites with GaAs and GaAs<Te> fillers
за авторством: Gadzhieva, N.N., та інші
Опубліковано: (2020)

Plateau–plateau transitions in the quantum Hall regime for a single quantum well heterostructure n-InGaAs/GaAs before and after IR illumination
за авторством: Ju. G. Arapov, та інші
Опубліковано: (2015)

Особливості структури сколотих поверхонь шаруватих кристалів GaSe‹Sn›
за авторством: Pashayev, A. M., та інші
Опубліковано: (2011)

Influence the cationic substitution in AgGaGe₃Se₈ on the electro-optical, IR optical and nonlinear properties
за авторством: Krymus, A.S., та інші
Опубліковано: (2017)

Photoconductivity and photoluminescence features of γ-irradiated GaS₀.₇₅Se₀.₂₅‹Er› single crystals
за авторством: Taghiyev, T.B.
Опубліковано: (2011)

New Nd, Er, Yb b-dicarbonyl complexes emitting in IR-region
за авторством: N. B. Ivakha, та інші
Опубліковано: (2015)

Optical characterization of pseudomorphic AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: V. V. Vainberg, та інші
Опубліковано: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vainberg, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Instability of homogeneous composition of highly strained quantum wells in heterostructures GaAs/InxGa₁₋xAs/GaAs
за авторством: Klimovskaya, A.I., та інші
Опубліковано: (2002)

Study of gamma field induced degradation of green GaP light diode electroluminescence characteristics
за авторством: Kanevsky, S.O., та інші
Опубліковано: (2003)

Gas Impurity Track IR-analyser in Atmosphere (Calibration by Ozone and Ozone Contaminant Measurement)
за авторством: Gerasimov, V. G., та інші
Опубліковано: (2013)

Chemical polishing of InAs, InSb, GaAs and GaSb
за авторством: Levchenko, I.V., та інші
Опубліковано: (2017)

Many-body effects in photoluminescence of heavily doped AlGaAs/InGaAs /GaAs heterostructures
за авторством: Zhuchenko, Z.Ya., та інші
Опубліковано: (1999)

A novel Al₀.₃₃Ga₀.₆₇As/In₀.₁₅Ga₀.₈₅As/GaAs quantum well Hall device grown on (111) GaAs
за авторством: Sghaier, H., та інші
Опубліковано: (2012)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: P. Galiy, та інші
Опубліковано: (2015)

Scanning Tunneling Microscopy/Spectroscopy and Low-Energy Electron Diffraction Investigations of GaTe Layered Crystal Cleavage Surface
за авторством: Galiy, P., та інші
Опубліковано: (2015)

Comparison of electron transport in polar materials for the models of low-density and high-density electron gas. Application to bulk GaN
за авторством: Korotyeyev, V.V., та інші
Опубліковано: (2009)

Optical and photoelectrical properties of lamellar gallium sulfide single crystals irradiated by γ-quanta
за авторством: Madatov, R.S., та інші
Опубліковано: (2006)

Pseudomorphic modulation-doped AlGaAs/InGaAs/GaAs heterostructures with strong manifestation of many-body effects
за авторством: Masselink, W.T., та інші
Опубліковано: (2000)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: S. A. Iliash, та інші
Опубліковано: (2016)

Thermally stimulated conductivity in InGaAs/GaAs quantum wire heterostructures
за авторством: Iliash, S.A., та інші
Опубліковано: (2016)

Photoconverters with microrelief p-n-junction on a basis of p AlxGa₁₋x-p GaAs-n GaAs-n⁺ GaAs heterojunction
за авторством: Karimov, A.V., та інші
Опубліковано: (2005)

X-ray dosimetry of copper-doped CdGa₂S₄ single crystals
за авторством: Mustafaeva, S.N., та інші
Опубліковано: (2012)

Insulator–quantum Hall transition in n-InGaAs/GaAs heterostructures
за авторством: A. P. Savelev, та інші
Опубліковано: (2017)

Pressure effect on the Fermi surface and electronic structure of LuGa₃ and TmGa₃
за авторством: Pluzhnikov, V.B., та інші
Опубліковано: (2005)

Linear field dependencies of conductivity and phonon-induced conductivity of 2D gas in δ-doped GaAs
за авторством: Slutskii, M.I.
Опубліковано: (2004)

Солнечные элементы на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2003)

2D magnetofermionic condensate in GaAs/AlGaAs heterostructures
за авторством: L. V. Kulik, та інші
Опубліковано: (2017)

Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2008)

Получение тандемных гетероструктур GaAs—InGaAs—AlGaAs для фотопреобразователей солнечной энергии
за авторством: Николаенко, Ю.Е., та інші
Опубліковано: (2002)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs-InGaAs-AlGaAs
за авторством: Круковский, С.И., та інші
Опубліковано: (2004)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
за авторством: Krukovskiy, S. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)