Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals
The effect of IO⁻₃ ions on spectrometric characteristic of CsI:Tl crystal has been considered. It has been shown that co-doping of CsI:Tl crystal by IO⁻₃ anions permits to obtain clear ingots with increased thallium concentration up to CTl ~ 0.9 mole % in which the concentration quenching of photo-...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| Автори: | Shpilinskaya, A.L., Кudin, A.M., Trefilova, L.N., Zosim, D.J. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195184 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals / A.L. Shpilinskaya, A.M. Кudin, L.N. Trefilova, D.J. Zosim // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 4. — С. 191-197. — Бібліогр.: 28 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009)
Engineering of long length CsI:Tl scintillators for high energy physics
за авторством: Zosim, D.I., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Zosim, D.I., та інші
Опубліковано: (2015)
Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties
за авторством: Ananenko, A., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ananenko, A., та інші
Опубліковано: (2004)
A possible reason for non-proportionality of response in NaI:Tl and CsI:Tl scintillation crystals
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)
Factors influencing on obtaining a light output homogeneous distribution along long-length detectors based on CsI(Tl) scintillators
за авторством: Zosim, D.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zosim, D.I.
Опубліковано: (2018)
Optical and scintillation properties of CsI:In crystals
за авторством: Gridin, S., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gridin, S., та інші
Опубліковано: (2013)
Influence of color centers on the luminescent response of radiation-damaged CsI:Tl crystal
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2018)
Luminescence properties of CsI:Tl crystals codoped with Eu
за авторством: Nagarkar, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Nagarkar, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Тechnique for growth of CSI:TL crystals with internal radioisotope for nuclear physics
за авторством: Shpilinskaya, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shpilinskaya, A.L., та інші
Опубліковано: (2018)
Afterglow suppression in CsI crystal by Eu²⁺ doping
за авторством: Shiran, N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Shiran, N., та інші
Опубліковано: (2011)
Calibrator of radioactive preparation doses for nuclear medicine based on CsI(Tl) crystals
за авторством: Borodenko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borodenko, Yu.A., та інші
Опубліковано: (2011)
CsI(TI) films: deposition, examination of structure and scintillation
за авторством: Lebedinsky, A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Lebedinsky, A., та інші
Опубліковано: (2007)
The effect of oxygen-containing anions on luminescent properties of CsI
за авторством: Shpilinskaya, L.N., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shpilinskaya, L.N., та інші
Опубліковано: (2000)
Time-resolved luminescence spectroscopy study of CsI:Eu crystal
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yakovlev, V., та інші
Опубліковано: (2013)
Сцинтилляционный отклик кристаллов CsI(Tl) и CsI(Na) на возбуждение рентгеновскими и гамма-квантами низких энергий
за авторством: Кудин, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
за авторством: Кудин, А.М., та інші
Опубліковано: (2001)
1D- and 2D-matrices scintillation elements on the crystals base ZnSe(Te), CdWO₄, CsI(Tl), Bi₃Ge₄O₁₂
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Investigation of scintillation characteristics for CsI:TI and Nal:TI crystals under different surface treatment conditions
за авторством: Andryushchenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Andryushchenko, L.A., та інші
Опубліковано: (2006)
Причины нестабильности спектрометрических характеристик кристаллов CsI:Tl с матированной поверхностью
за авторством: Шкоропатенко, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Шкоропатенко, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)
Defect formation in CsI-CsBr mixed crystals
за авторством: Garapyn, I.V., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Garapyn, I.V., та інші
Опубліковано: (2005)
Causes of instability in the spectrometric characteristics of CsI:Ti crystals with a matt surface
за авторством: A. V. Shkoropatenko, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. V. Shkoropatenko, та інші
Опубліковано: (2015)
Radiation damage of CsI:Eu crystals
за авторством: Gektin, A., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gektin, A., та інші
Опубліковано: (2013)
Luminescence modification of CsI crystal activated by CsCI impurity
за авторством: Voloshinovskii, A., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Voloshinovskii, A., та інші
Опубліковано: (2007)
Properties uniformity studies for scintillation elements of 1D- and 2D-matrices on the basis of crystals ZnSe(Te), CdWO₄, CsI(Tl), Bi₃Ge₄O₁₂
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ryzhikov, V.D., та інші
Опубліковано: (2004)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)
Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)
On features of deoxidization of CsI melt with zirconium getter
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Datsko, Yu.N., та інші
Опубліковано: (2016)
Scintillation properties of Eu²⁺-doped SrCl₂ and CsSrCl₃ single crystals
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2012)
Spectral and kinetic characteristics of luminescence in CsI-Ca crystals
за авторством: Myagkota, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Myagkota, S.V., та інші
Опубліковано: (2008)
Radiation-induced processes and defects in purified CsI crystals
за авторством: Garapyn, I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Garapyn, I., та інші
Опубліковано: (2007)
On the behavior of europium oxocompounds in molten CsI
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2010)
Application of a scintillation gamma spectrometer for determination of radon content in water
за авторством: Hakimov, D.А., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Hakimov, D.А., та інші
Опубліковано: (2021)
Revealing the hopping mechanism of conduction in heavily doped silicon diodes
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borblik, V. L., та інші
Опубліковано: (2005)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: V. L. Borblik, та інші
Опубліковано: (2011)
Negative magnetoresistance of heavily doped silicon p-n junction
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Borblik, V.L., та інші
Опубліковано: (2011)
Study of deoxidization process of CsI melt by the action of "Zr-Pt" galvanic couple
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Cherginets, V.L., та інші
Опубліковано: (2016)
Екзоемісійна спектроскопія дефектів опромінених поверхонь кристалів CsI
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Galiy, P. V., та інші
Опубліковано: (2013)
Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2013)
Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2013)
Non-ohmic Mott conductivity and thermometric characteristics of heavily doped silicon structures
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)
за авторством: Shwarts, Yu.M., та інші
Опубліковано: (2000)
Схожі ресурси
-
Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009) -
Suppression mechanism of millisecond afterglow in CsI:Tl crystals by Eu²⁺ impurity
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2009) -
Engineering of long length CsI:Tl scintillators for high energy physics
за авторством: Zosim, D.I., та інші
Опубліковано: (2015) -
Structural dependence of CsI(Tl) film scintillation properties
за авторством: Ananenko, A., та інші
Опубліковано: (2004) -
A possible reason for non-proportionality of response in NaI:Tl and CsI:Tl scintillation crystals
за авторством: Kudin, A.M., та інші
Опубліковано: (2006)