Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals

• Опубліковано в: : Вопросы атомной науки и техники
• Дата: 2019
• Автори: Shpilinskaya, A.L., Кudin, A.M., Trefilova, L.N., Zosim, D.J.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2019
• Теми: Applications and technologies
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195184
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals / A.L. Shpilinskaya, A.M. Кudin, L.N. Trefilova, D.J. Zosim // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 4. — С. 191-197. — Бібліогр.: 28 назв. — англ.

The effect of IO⁻₃ ions on spectrometric characteristic of CsI:Tl crystal has been considered. It has been shown that co-doping of CsI:Tl crystal by IO⁻₃ anions permits to obtain clear ingots with increased thallium concentration up to CTl ~ 0.9 mole % in which the concentration quenching of photo-...