Radiation-induced effects in silicon
Results of complex studies of the structural properties of silicon irradiated with light ions of megaelectronvolt energies by fluences greater than 10¹⁶ cm⁻² are presented. It was found that during irradiation under conditions of large energy release in thin layer of crystal, the favorable condition...
Saved in:
| Published in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Date: | 2019 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2019
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195210 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Radiation-induced effects in silicon / ИОФамилия // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 5. — С. 44-48. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-195210 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Gaidar, G.P. Pinkovska, M.B. Starchyk, M.I. 2023-12-03T15:27:10Z 2023-12-03T15:27:10Z 2019 Radiation-induced effects in silicon / ИОФамилия // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 5. — С. 44-48. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. 1562-6016 PACS 61.82.Fk https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195210 Results of complex studies of the structural properties of silicon irradiated with light ions of megaelectronvolt energies by fluences greater than 10¹⁶ cm⁻² are presented. It was found that during irradiation under conditions of large energy release in thin layer of crystal, the favorable conditions can be created for the controlled introduction of structural defects and the appearance of the effects of ordering and long-range. The possibility of layer-by-layer modification of the properties of silicon at depths up to 780 μm under irradiation with ions was established that can be used to provide the actual needs of micro- and nanoelectronics. Представлено результати комплексних досліджень структурних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами мегаелектронвольтних енергій флюенсами, що перевищують 10¹⁶ cm⁻². Виявлено, що в разі опромінення в умовах великого енерговиділення в тонкому шарі кристала можуть створюватися сприятливі умови для контрольованого введення структурних дефектів і виникнення ефектів упорядкування і далекодії. Встановлено можливість пошарової модифікації властивостей кремнію на глибинах до 780 мкм у разі опромінення іонами, що може бути використано для забезпечення актуальних потреб мікро- і наноелектроніки. Представлены результаты комплексных исследований структурных свойств кремния, облученного легкими ионами мегаэлектронвольтных энергий флюенсами, превышающими 10¹⁶ cm⁻². Выявлено, что при облучении в условиях большого энерговыделения в тонком слое кристалла могут создаваться благоприятные условия для контролируемого введения структурных дефектов и возникновения эффектов упорядочения и дальнодействия. Установлена возможность послойной модификации свойств кремния на глубинах до 780 мкм при облучении ионами, что может быть использовано для удовлетворения актуальных потребностей микро- и наноэлектроники. The authors are sincerely grateful to Sugakov V.I., Corresponding Member of the NAS of Ukraine, for his interest in the work and useful discussion of the results. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Physics of radiation damages and effects in solids Radiation-induced effects in silicon Радіаційно-індуковані ефекти в кремнії Радиационно-индуцированные эффекты в кремнии Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Radiation-induced effects in silicon |
| spellingShingle |
Radiation-induced effects in silicon Gaidar, G.P. Pinkovska, M.B. Starchyk, M.I. Physics of radiation damages and effects in solids |
| title_short |
Radiation-induced effects in silicon |
| title_full |
Radiation-induced effects in silicon |
| title_fullStr |
Radiation-induced effects in silicon |
| title_full_unstemmed |
Radiation-induced effects in silicon |
| title_sort |
radiation-induced effects in silicon |
| author |
Gaidar, G.P. Pinkovska, M.B. Starchyk, M.I. |
| author_facet |
Gaidar, G.P. Pinkovska, M.B. Starchyk, M.I. |
| topic |
Physics of radiation damages and effects in solids |
| topic_facet |
Physics of radiation damages and effects in solids |
| publishDate |
2019 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Радіаційно-індуковані ефекти в кремнії Радиационно-индуцированные эффекты в кремнии |
| description |
Results of complex studies of the structural properties of silicon irradiated with light ions of megaelectronvolt energies by fluences greater than 10¹⁶ cm⁻² are presented. It was found that during irradiation under conditions of large energy release in thin layer of crystal, the favorable conditions can be created for the controlled introduction of structural defects and the appearance of the effects of ordering and long-range. The possibility of layer-by-layer modification of the properties of silicon at depths up to 780 μm under irradiation with ions was established that can be used to provide the actual needs of micro- and nanoelectronics.
Представлено результати комплексних досліджень структурних властивостей кремнію, опроміненого легкими іонами мегаелектронвольтних енергій флюенсами, що перевищують 10¹⁶ cm⁻². Виявлено, що в разі опромінення в умовах великого енерговиділення в тонкому шарі кристала можуть створюватися сприятливі умови для контрольованого введення структурних дефектів і виникнення ефектів упорядкування і далекодії. Встановлено можливість пошарової модифікації властивостей кремнію на глибинах до 780 мкм у разі опромінення іонами, що може бути використано для забезпечення актуальних потреб мікро- і наноелектроніки.
Представлены результаты комплексных исследований структурных свойств кремния, облученного легкими ионами мегаэлектронвольтных энергий флюенсами, превышающими 10¹⁶ cm⁻². Выявлено, что при облучении в условиях большого энерговыделения в тонком слое кристалла могут создаваться благоприятные условия для контролируемого введения структурных дефектов и возникновения эффектов упорядочения и дальнодействия. Установлена возможность послойной модификации свойств кремния на глубинах до 780 мкм при облучении ионами, что может быть использовано для удовлетворения актуальных потребностей микро- и наноэлектроники.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195210 |
| citation_txt |
Radiation-induced effects in silicon / ИОФамилия // Problems of atomic science and technology. — 2019. — № 5. — С. 44-48. — Бібліогр.: 20 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT gaidargp radiationinducedeffectsinsilicon AT pinkovskamb radiationinducedeffectsinsilicon AT starchykmi radiationinducedeffectsinsilicon AT gaidargp radíacíinoíndukovaníefektivkremníí AT pinkovskamb radíacíinoíndukovaníefektivkremníí AT starchykmi radíacíinoíndukovaníefektivkremníí AT gaidargp radiacionnoinducirovannyeéffektyvkremnii AT pinkovskamb radiacionnoinducirovannyeéffektyvkremnii AT starchykmi radiacionnoinducirovannyeéffektyvkremnii |
| first_indexed |
2025-12-01T11:39:17Z |
| last_indexed |
2025-12-01T11:39:17Z |
| _version_ |
1850860125441490944 |