Vector proton beam writing system

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2022
• Hauptverfasser: Polozhii, H.E., Ponomarev, A.G., Kolinko, S.V., Rebrov, V.A.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2022
• Schlagworte: Interaction of relativistic particles with crystals and matter
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195391
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Vector proton beam writing system / H.E. Polozhii, A.G. Ponomarev, S.V. Kolinko, V.A. Rebrov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2022. — № 3. — С. 52-55. — Бібліогр.: 8 назв. — англ.

Vector method for scanning with focused beam of megaelectronvolt-energy in proton-beam writing is described. Vector proton-beam writing method was proven experimentally to have numerous advantages over raster method. Focused beam size and shape are measured by scanning standard copper mesh for e-beam microscopy. Prospectives of hardware and software upgrade are regarded. Vector proton-beam writing technology can be used in many appli-cations, including X-ray optics, electronics prototyping, microrobotics, microfluidics, photonics and microstructure fabrication in new materials. Дано опис векторного методу сканування сфокусованим пучком мегаелектронвольтних енергій в протонно-променевій літографії. Експериментально доведено, що векторний метод протонно-променевої літографії має ряд переваг перед растровим методом. Визначення форми та розмірів сфокусованого пучка здійснюється за рахунок сканування стандартної мідної сітки для електронної мікроскопії. Розглянуті подальші шляхи вдосконалення обладнання та програмного забезпечення. Технологія векторної протонної літографії може бути використана в багатьох застосуваннях, включно з рентгенівською оптикою, прототипуванням електроніки, мікроробототехнікою, рідинними мікроструктурами (мікрофлюїдика), фотонікою і створенням мікроструктур у нових матеріалах.