Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃)
The results of researches of plasma chemical treatment of lithium monocrystalline tantalate (LiTaO₃) from gas type, bias voltage (energy of chemically active ions) and from current of additional bias generator are given. A closed-loop electron drift plasma chemical reactor and gas mixtures containin...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Дата: | 2021 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | English |
| Опубліковано: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2021
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195429 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) / O.A. Fedorovich, O.V. Hladkovska, V.V. Hladkovskyi, A.F. Nedybaliuk // Problems of Atomic Science and Technology. — 2021. — № 4. — С. 188-190. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| id |
nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-195429 |
|---|---|
| record_format |
dspace |
| spelling |
Fedorovich, O.A. Hladkovska, O.V. Hladkovskyi, V.V. Nedybaliuk, A.F. 2023-12-05T10:12:42Z 2023-12-05T10:12:42Z 2021 Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) / O.A. Fedorovich, O.V. Hladkovska, V.V. Hladkovskyi, A.F. Nedybaliuk // Problems of Atomic Science and Technology. — 2021. — № 4. — С. 188-190. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 52.77.Bn, 81.65.Cf DOI: https://doi.org/10.46813/2021-134-188 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195429 The results of researches of plasma chemical treatment of lithium monocrystalline tantalate (LiTaO₃) from gas type, bias voltage (energy of chemically active ions) and from current of additional bias generator are given. A closed-loop electron drift plasma chemical reactor and gas mixtures containing Ar, Ar + ClС₄, and Ar + SF₆ were used for the experiments. It was found that the etching rate of LiTaO₃ for the discharge in the gas mixture Ar + CCl₄ is 14 times higher than all other mixtures that were used. It is shown that the proposed idea and approaches of LiTaO₃ processing can be effectively applied for the production of optical systems with a minimum core thickness of about 2…3 μm. Приведено результати досліджень плазмохімічної обробки монокристалічного танталату літію (LiTaO₃) в залежності від роду газу, напруги зміщення (енергії хімічно активних іонів), а також від струму додаткового генератора зміщення. Для експериментів використано плазмохімічний реактор із замкнутим дрейфом електронів та газові суміші, що містять Ar, Ar+CСl₄ та Ar+SF₆. Виявлено, що швидкість травлення LiTaO₃ для розряду в газовій суміші Ar+CСl₄ у 14 разів вища від усіх інших використовуваних сумішей. Показано, що запропонована ідея та підходи обробки LiTaO₃ можуть бути ефективно застосовані для виробництва оптичних систем з мінімальною товщиною активної зони близько 2…3 мкм. Приведены результаты исследований плазмохимической обработки монокристаллического танталата лития (LiTaO₃) в зависимости от рода газа, напряжения смещения (энергии химически активных ионов), а также от тока дополнительного генератора смещения. Для экспериментов использован плазмохимический реактор с замкнутым дрейфом электронов и газовые смеси, содержащие Ar, Ar + CСl₄ и Ar + SF₆. Обнаружено, что скорость травления LiTaO₃ для разряда в газовой смеси Ar + CСl₄ в 14 раз выше всех используемых смесей. Показано, что предложенная идея и подходы обработки LiTaO₃ могут быть эффективно использованы для производства оптических систем с минимальной толщиной активной зоны около 2…3 мкм. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Applications and technologies Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) Особливості плазмохімічного травлення підкладок танталату літію (LiTaO₃) Особенности плазмохимического травления подложек танталата лития (LiTaO₃) Article published earlier |
| institution |
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| collection |
DSpace DC |
| title |
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) |
| spellingShingle |
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) Fedorovich, O.A. Hladkovska, O.V. Hladkovskyi, V.V. Nedybaliuk, A.F. Applications and technologies |
| title_short |
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) |
| title_full |
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) |
| title_fullStr |
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) |
| title_full_unstemmed |
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) |
| title_sort |
features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (litao₃) |
| author |
Fedorovich, O.A. Hladkovska, O.V. Hladkovskyi, V.V. Nedybaliuk, A.F. |
| author_facet |
Fedorovich, O.A. Hladkovska, O.V. Hladkovskyi, V.V. Nedybaliuk, A.F. |
| topic |
Applications and technologies |
| topic_facet |
Applications and technologies |
| publishDate |
2021 |
| language |
English |
| container_title |
Вопросы атомной науки и техники |
| publisher |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| format |
Article |
| title_alt |
Особливості плазмохімічного травлення підкладок танталату літію (LiTaO₃) Особенности плазмохимического травления подложек танталата лития (LiTaO₃) |
| description |
The results of researches of plasma chemical treatment of lithium monocrystalline tantalate (LiTaO₃) from gas type, bias voltage (energy of chemically active ions) and from current of additional bias generator are given. A closed-loop electron drift plasma chemical reactor and gas mixtures containing Ar, Ar + ClС₄, and Ar + SF₆ were used for the experiments. It was found that the etching rate of LiTaO₃ for the discharge in the gas mixture Ar + CCl₄ is 14 times higher than all other mixtures that were used. It is shown that the proposed idea and approaches of LiTaO₃ processing can be effectively applied for the production of optical systems with a minimum core thickness of about 2…3 μm.
Приведено результати досліджень плазмохімічної обробки монокристалічного танталату літію (LiTaO₃) в залежності від роду газу, напруги зміщення (енергії хімічно активних іонів), а також від струму додаткового генератора зміщення. Для експериментів використано плазмохімічний реактор із замкнутим дрейфом електронів та газові суміші, що містять Ar, Ar+CСl₄ та Ar+SF₆. Виявлено, що швидкість травлення LiTaO₃ для розряду в газовій суміші Ar+CСl₄ у 14 разів вища від усіх інших використовуваних сумішей. Показано, що запропонована ідея та підходи обробки LiTaO₃ можуть бути ефективно застосовані для виробництва оптичних систем з мінімальною товщиною активної зони близько 2…3 мкм.
Приведены результаты исследований плазмохимической обработки монокристаллического танталата лития (LiTaO₃) в зависимости от рода газа, напряжения смещения (энергии химически активных ионов), а также от тока дополнительного генератора смещения. Для экспериментов использован плазмохимический реактор с замкнутым дрейфом электронов и газовые смеси, содержащие Ar, Ar + CСl₄ и Ar + SF₆. Обнаружено, что скорость травления LiTaO₃ для разряда в газовой смеси Ar + CСl₄ в 14 раз выше всех используемых смесей. Показано, что предложенная идея и подходы обработки LiTaO₃ могут быть эффективно использованы для производства оптических систем с минимальной толщиной активной зоны около 2…3 мкм.
|
| issn |
1562-6016 |
| url |
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195429 |
| citation_txt |
Features of plasma chemical etching of lithium tantalate substrate (LiTaO₃) / O.A. Fedorovich, O.V. Hladkovska, V.V. Hladkovskyi, A.F. Nedybaliuk // Problems of Atomic Science and Technology. — 2021. — № 4. — С. 188-190. — Бібліогр.: 4 назв. — англ. |
| work_keys_str_mv |
AT fedorovichoa featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3 AT hladkovskaov featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3 AT hladkovskyivv featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3 AT nedybaliukaf featuresofplasmachemicaletchingoflithiumtantalatesubstratelitao3 AT fedorovichoa osoblivostíplazmohímíčnogotravlennâpídkladoktantalatulítíûlitao3 AT hladkovskaov osoblivostíplazmohímíčnogotravlennâpídkladoktantalatulítíûlitao3 AT hladkovskyivv osoblivostíplazmohímíčnogotravlennâpídkladoktantalatulítíûlitao3 AT nedybaliukaf osoblivostíplazmohímíčnogotravlennâpídkladoktantalatulítíûlitao3 AT fedorovichoa osobennostiplazmohimičeskogotravleniâpodložektantalatalitiâlitao3 AT hladkovskaov osobennostiplazmohimičeskogotravleniâpodložektantalatalitiâlitao3 AT hladkovskyivv osobennostiplazmohimičeskogotravleniâpodložektantalatalitiâlitao3 AT nedybaliukaf osobennostiplazmohimičeskogotravleniâpodložektantalatalitiâlitao3 |
| first_indexed |
2025-12-07T18:47:31Z |
| last_indexed |
2025-12-07T18:47:31Z |
| _version_ |
1850876364645728256 |