Photoluminescence of undoped and Yb-doped GaS single crystals irradiated with γ-quanta

• Veröffentlicht in: Вопросы атомной науки и техники
• Datum: 2021
• Hauptverfasser: Madatov, R.S., Tagiyev, T.B., Khaligzadeh, A.Sh.
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2021
• Schlagworte: Physics of radiation damages and effects in solids
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195442
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Photoluminescence of undoped and Yb-doped GaS single crystals irradiated with γ-quanta / R.S. Madatov, T.B. Tagiyev, A.Sh. Khaligzadeh // Problems of Atomic Science and Technology. — 2021. — № 5. — С. 42-43. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

The infuence of γ-radiation with a dose Dγ = 140 krad on the photoluminescence of Yb-doped GaS single crystals was investigated. Based on the analysis of the experimental results, it is concluded that the doping of the rare-earth element Yb and γ-radiation leads to an increase in the intensity of photoluminescence radiation in GaS. Досліджувався вплив γ-випромінювання з дозою Dγ = 140 крад на фотолюмінесценцію монокристалів GaS, легованих Yb. На основі аналізу експериментальних результатів робляться висновки, що при легуванні домішками редкоземельного елемента Yb і γ-випромінювань інтенсивність фотолюмінесцентного випромінювання в GaS збільшується. Исследовалось влияние γ-излучения с дозой Dγ=140 крад на фотолюминесценцию монокристаллов GaS, легированных Yb. На основе анализа экспериментальных результатов делаются выводы, что при легировании примесями редкоземельного элемента Yb и γ-излучений интенсивность фотолюминесцентного излучения в GaS увеличивается.