Structural features of doped silicon single crystals
The nature of the change in the Fermi level of silicon under the influence of dopants, point defects, and dislocations has been determined. The parameters of the diffusion of impurities, the conditions for their appearance and removal in the process of directional crystallization and the post-crysta...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Вопросы атомной науки и техники |
|---|---|
| Datum: | 2022 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2022
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195817 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Structural features of doped silicon single crystals / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2022. — № 1. — С. 26-31. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862711317739077632 |
|---|---|
| author | Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. |
| author_facet | Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. |
| citation_txt | Structural features of doped silicon single crystals / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2022. — № 1. — С. 26-31. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Вопросы атомной науки и техники |
| description | The nature of the change in the Fermi level of silicon under the influence of dopants, point defects, and dislocations has been determined. The parameters of the diffusion of impurities, the conditions for their appearance and removal in the process of directional crystallization and the post-crystallization period have been established. The expediency of doping silicon with boron and phosphorus was shown, and large single crystals were obtained. The mechanisms of elimination of structural defects have been clarified. The mobility and lifetime of charge carriers in perfect silicon single crystals under radiation exposure have been determined. The expediency of using p-type silicon as a base material for solar modules for space purposes is shown.
Визначено характер зміни рівня Фермі кремнію під впливом домішок, що легують, точкових дефектів і дислокацій. Встановлено параметри дифузії домішок, умови їх виникнення та видалення в процесі спрямованої кристалізації та в посткристалізаційний період. Показано доцільність легування сонячного кремнію бором та фосфором. З’ясовано механізми ліквідації структурних дефектів. Визначено рухливість та час життя носіїв заряду в досконалих монокристалах кремнію в умовах радіаційного впливу. Показано доцільність застосування кремнію р-типу як матеріалу бази сонячних модулів космічного призначення.
Определен характер изменения уровней Ферми кремния под влиянием легирующих примесей, точечных дефектов и дислокаций. Установлены параметры диффузии примесей, условия их возникновения и удаления в процессе направленной кристаллизации и в посткристаллизационный период. Показана целесообразность легирования кремния бором и фосфором, получены крупные монокристаллы. Выяснены механизмы ликвидации структурных дефектов. Определена подвижность и время жизни носителей заряда в совершенных монокристаллах кремния в условиях радиационного воздействия. Показана целесообразность применения кремния р-типа в качестве материала базы солнечных модулей космического назначения.
|
| first_indexed | 2025-12-07T17:29:56Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-195817 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-12-07T17:29:56Z |
| publishDate | 2022 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. 2023-12-07T10:48:44Z 2023-12-07T10:48:44Z 2022 Structural features of doped silicon single crystals / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2022. — № 1. — С. 26-31. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1562-6016 DOI: https://doi.org/10.46813/2022-137-026 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195817 537.311.33.539.1.074.669.054 The nature of the change in the Fermi level of silicon under the influence of dopants, point defects, and dislocations has been determined. The parameters of the diffusion of impurities, the conditions for their appearance and removal in the process of directional crystallization and the post-crystallization period have been established. The expediency of doping silicon with boron and phosphorus was shown, and large single crystals were obtained. The mechanisms of elimination of structural defects have been clarified. The mobility and lifetime of charge carriers in perfect silicon single crystals under radiation exposure have been determined. The expediency of using p-type silicon as a base material for solar modules for space purposes is shown. Визначено характер зміни рівня Фермі кремнію під впливом домішок, що легують, точкових дефектів і дислокацій. Встановлено параметри дифузії домішок, умови їх виникнення та видалення в процесі спрямованої кристалізації та в посткристалізаційний період. Показано доцільність легування сонячного кремнію бором та фосфором. З’ясовано механізми ліквідації структурних дефектів. Визначено рухливість та час життя носіїв заряду в досконалих монокристалах кремнію в умовах радіаційного впливу. Показано доцільність застосування кремнію р-типу як матеріалу бази сонячних модулів космічного призначення. Определен характер изменения уровней Ферми кремния под влиянием легирующих примесей, точечных дефектов и дислокаций. Установлены параметры диффузии примесей, условия их возникновения и удаления в процессе направленной кристаллизации и в посткристаллизационный период. Показана целесообразность легирования кремния бором и фосфором, получены крупные монокристаллы. Выяснены механизмы ликвидации структурных дефектов. Определена подвижность и время жизни носителей заряда в совершенных монокристаллах кремния в условиях радиационного воздействия. Показана целесообразность применения кремния р-типа в качестве материала базы солнечных модулей космического назначения. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Вопросы атомной науки и техники Pure materials and vacuum technologies Structural features of doped silicon single crystals Структурні особливості легованих монокристалів кремнію Cтруктурные особенности легированных монокристаллов кремния Article published earlier |
| spellingShingle | Structural features of doped silicon single crystals Azarenkov, N.A. Semenenko, V.E. Stervoyedov, N.G. Pure materials and vacuum technologies |
| title | Structural features of doped silicon single crystals |
| title_alt | Структурні особливості легованих монокристалів кремнію Cтруктурные особенности легированных монокристаллов кремния |
| title_full | Structural features of doped silicon single crystals |
| title_fullStr | Structural features of doped silicon single crystals |
| title_full_unstemmed | Structural features of doped silicon single crystals |
| title_short | Structural features of doped silicon single crystals |
| title_sort | structural features of doped silicon single crystals |
| topic | Pure materials and vacuum technologies |
| topic_facet | Pure materials and vacuum technologies |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195817 |
| work_keys_str_mv | AT azarenkovna structuralfeaturesofdopedsiliconsinglecrystals AT semenenkove structuralfeaturesofdopedsiliconsinglecrystals AT stervoyedovng structuralfeaturesofdopedsiliconsinglecrystals AT azarenkovna strukturníosoblivostílegovanihmonokristalívkremníû AT semenenkove strukturníosoblivostílegovanihmonokristalívkremníû AT stervoyedovng strukturníosoblivostílegovanihmonokristalívkremníû AT azarenkovna ctrukturnyeosobennostilegirovannyhmonokristallovkremniâ AT semenenkove ctrukturnyeosobennostilegirovannyhmonokristallovkremniâ AT stervoyedovng ctrukturnyeosobennostilegirovannyhmonokristallovkremniâ |