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Structural features of doped silicon single crystals

The nature of the change in the Fermi level of silicon under the influence of dopants, point defects, and dislocations has been determined. The parameters of the diffusion of impurities, the conditions for their appearance and removal in the process of directional crystallization and the post-crysta...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Вопросы атомной науки и техники
Datum:	2022
Hauptverfasser:	Azarenkov, N.A., Semenenko, V.E., Stervoyedov, N.G.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2022
Schlagworte:	Pure materials and vacuum technologies
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/195817
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Structural features of doped silicon single crystals / N.A. Azarenkov, V.E. Semenenko, N.G. Stervoyedov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2022. — № 1. — С. 26-31. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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