Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation

• Опубліковано в: : Problems of Atomic Science and Technology
• Дата: 2023
• Автори: Madatov, R.S., Abasov, F.P., Asadov, F.G.
• Формат: Стаття
• Мова: English
• Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2023
• Теми: Irradiation installations, diagnostic and research methods
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/196114
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irradiation were recorded and studied. Experimental results show that voltage values such as open-circuit voltage (Voc) as well as short-circuit current (Isc) and efficiency (η) change with the magnitude of the collection-dissipation voltage. В результаті даного експериментального дослідження зразки двобар’єрних структур опромінювалися різними дозами від джерела ⁶⁰Со. Виміряно та досліджено вольт-ампернi характеристики двобар’єрних структур з наноструктурованою основою на базi кремнію та їх спектральні зміни фотоструму до та після гамма-опромінення. Експериментальні результати показують, що значення напруги, такі як напруга холостого ходу (Voc), струм короткого замикання (Isc) та ефективність (η) залежать від величини напруги накопичення – розряду.