Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation

Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation

During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irra...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Problems of Atomic Science and Technology
Дата:2023
Автори: Madatov, R.S., Abasov, F.P., Asadov, F.G.
Формат: Стаття
Мова:English
Опубліковано: Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України 2023
Теми:
Irradiation installations, diagnostic and research methods
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/196114
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-196114
record_format dspace
spelling Madatov, R.S.
Abasov, F.P.
Asadov, F.G.
2023-12-10T12:59:51Z
2023-12-10T12:59:51Z
2023
Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
1562-6016
PACS: 541.183:539.26; 537.84:621.315.92
DOI: https://doi.org/10.46813/2023-144-157
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/196114
During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irradiation were recorded and studied. Experimental results show that voltage values such as open-circuit voltage (Voc) as well as short-circuit current (Isc) and efficiency (η) change with the magnitude of the collection-dissipation voltage.
В результаті даного експериментального дослідження зразки двобар’єрних структур опромінювалися різними дозами від джерела ⁶⁰Со. Виміряно та досліджено вольт-ампернi характеристики двобар’єрних структур з наноструктурованою основою на базi кремнію та їх спектральні зміни фотоструму до та після гамма-опромінення. Експериментальні результати показують, що значення напруги, такі як напруга холостого ходу (Voc), струм короткого замикання (Isc) та ефективність (η) залежать від величини напруги накопичення – розряду.
en
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
Problems of Atomic Science and Technology
Irradiation installations, diagnostic and research methods
Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
Управління електрофізичними характеристиками двобар’єрних кремнієвих структур з наноструктурованою основою за допомогою гамма-випромінювання
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
spellingShingle Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
Madatov, R.S.
Abasov, F.P.
Asadov, F.G.
Irradiation installations, diagnostic and research methods
title_short Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
title_full Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
title_fullStr Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
title_full_unstemmed Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
title_sort control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
author Madatov, R.S.
Abasov, F.P.
Asadov, F.G.
author_facet Madatov, R.S.
Abasov, F.P.
Asadov, F.G.
topic Irradiation installations, diagnostic and research methods
topic_facet Irradiation installations, diagnostic and research methods
publishDate 2023
language English
container_title Problems of Atomic Science and Technology
publisher Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
format Article
title_alt Управління електрофізичними характеристиками двобар’єрних кремнієвих структур з наноструктурованою основою за допомогою гамма-випромінювання
description During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irradiation were recorded and studied. Experimental results show that voltage values such as open-circuit voltage (Voc) as well as short-circuit current (Isc) and efficiency (η) change with the magnitude of the collection-dissipation voltage. В результаті даного експериментального дослідження зразки двобар’єрних структур опромінювалися різними дозами від джерела ⁶⁰Со. Виміряно та досліджено вольт-ампернi характеристики двобар’єрних структур з наноструктурованою основою на базi кремнію та їх спектральні зміни фотоструму до та після гамма-опромінення. Експериментальні результати показують, що значення напруги, такі як напруга холостого ходу (Voc), струм короткого замикання (Isc) та ефективність (η) залежать від величини напруги накопичення – розряду.
issn 1562-6016
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/196114
fulltext
citation_txt Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ.
work_keys_str_mv AT madatovrs controloftheelectrophysicalcharacteristicsoftwobarriersiliconstructureswithananostructuredbaseusinggammaradiation
AT abasovfp controloftheelectrophysicalcharacteristicsoftwobarriersiliconstructureswithananostructuredbaseusinggammaradiation
AT asadovfg controloftheelectrophysicalcharacteristicsoftwobarriersiliconstructureswithananostructuredbaseusinggammaradiation
AT madatovrs upravlínnâelektrofízičnimiharakteristikamidvobarêrnihkremníêvihstrukturznanostrukturovanoûosnovoûzadopomogoûgammavipromínûvannâ
AT abasovfp upravlínnâelektrofízičnimiharakteristikamidvobarêrnihkremníêvihstrukturznanostrukturovanoûosnovoûzadopomogoûgammavipromínûvannâ
AT asadovfg upravlínnâelektrofízičnimiharakteristikamidvobarêrnihkremníêvihstrukturznanostrukturovanoûosnovoûzadopomogoûgammavipromínûvannâ
first_indexed 2025-11-24T13:05:23Z
last_indexed 2025-11-24T13:05:23Z
_version_ 1850846780085764096

Схожі ресурси