Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation
During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irra...
Saved in:
| Published in: | Problems of Atomic Science and Technology |
|---|---|
| Date: | 2023 |
| Main Authors: | , , |
| Format: | Article |
| Language: | English |
| Published: |
Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України
2023
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/196114 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Cite this: | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862538589876781056 |
|---|---|
| author | Madatov, R.S. Abasov, F.P. Asadov, F.G. |
| author_facet | Madatov, R.S. Abasov, F.P. Asadov, F.G. |
| citation_txt | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Problems of Atomic Science and Technology |
| description | During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irradiation were recorded and studied. Experimental results show that voltage values such as open-circuit voltage (Voc) as well as short-circuit current (Isc) and efficiency (η) change with the magnitude of the collection-dissipation voltage.
В результаті даного експериментального дослідження зразки двобар’єрних структур опромінювалися різними дозами від джерела ⁶⁰Со. Виміряно та досліджено вольт-ампернi характеристики двобар’єрних структур з наноструктурованою основою на базi кремнію та їх спектральні зміни фотоструму до та після гамма-опромінення. Експериментальні результати показують, що значення напруги, такі як напруга холостого ходу (Voc), струм короткого замикання (Isc) та ефективність (η) залежать від величини напруги накопичення – розряду.
|
| first_indexed | 2025-11-24T13:05:23Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-196114 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1562-6016 |
| language | English |
| last_indexed | 2025-11-24T13:05:23Z |
| publishDate | 2023 |
| publisher | Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Madatov, R.S. Abasov, F.P. Asadov, F.G. 2023-12-10T12:59:51Z 2023-12-10T12:59:51Z 2023 Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation / R.S. Madatov, F.P. Abasov, F.G. Asadov // Problems of Atomic Science and Technology. — 2023. — № 2. — С. 157-159. — Бібліогр.: 16 назв. — англ. 1562-6016 PACS: 541.183:539.26; 537.84:621.315.92 DOI: https://doi.org/10.46813/2023-144-157 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/196114 During this experimental study, samples of double-barrier structures were irradiated with various doses from a ⁶⁰Co source. The current-voltage characteristics of two-barrier structures from a silicon-based nanostructured base and the change in their spectral photocurrent before and after gamma irradiation were recorded and studied. Experimental results show that voltage values such as open-circuit voltage (Voc) as well as short-circuit current (Isc) and efficiency (η) change with the magnitude of the collection-dissipation voltage. В результаті даного експериментального дослідження зразки двобар’єрних структур опромінювалися різними дозами від джерела ⁶⁰Со. Виміряно та досліджено вольт-ампернi характеристики двобар’єрних структур з наноструктурованою основою на базi кремнію та їх спектральні зміни фотоструму до та після гамма-опромінення. Експериментальні результати показують, що значення напруги, такі як напруга холостого ходу (Voc), струм короткого замикання (Isc) та ефективність (η) залежать від величини напруги накопичення – розряду. en Національний науковий центр «Харківський фізико-технічний інститут» НАН України Problems of Atomic Science and Technology Irradiation installations, diagnostic and research methods Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation Управління електрофізичними характеристиками двобар’єрних кремнієвих структур з наноструктурованою основою за допомогою гамма-випромінювання Article published earlier |
| spellingShingle | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation Madatov, R.S. Abasov, F.P. Asadov, F.G. Irradiation installations, diagnostic and research methods |
| title | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation |
| title_alt | Управління електрофізичними характеристиками двобар’єрних кремнієвих структур з наноструктурованою основою за допомогою гамма-випромінювання |
| title_full | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation |
| title_fullStr | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation |
| title_full_unstemmed | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation |
| title_short | Control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation |
| title_sort | control of the electrophysical characteristics of two-barrier silicon structures with a nanostructured base using gamma radiation |
| topic | Irradiation installations, diagnostic and research methods |
| topic_facet | Irradiation installations, diagnostic and research methods |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/196114 |
| work_keys_str_mv | AT madatovrs controloftheelectrophysicalcharacteristicsoftwobarriersiliconstructureswithananostructuredbaseusinggammaradiation AT abasovfp controloftheelectrophysicalcharacteristicsoftwobarriersiliconstructureswithananostructuredbaseusinggammaradiation AT asadovfg controloftheelectrophysicalcharacteristicsoftwobarriersiliconstructureswithananostructuredbaseusinggammaradiation AT madatovrs upravlínnâelektrofízičnimiharakteristikamidvobarêrnihkremníêvihstrukturznanostrukturovanoûosnovoûzadopomogoûgammavipromínûvannâ AT abasovfp upravlínnâelektrofízičnimiharakteristikamidvobarêrnihkremníêvihstrukturznanostrukturovanoûosnovoûzadopomogoûgammavipromínûvannâ AT asadovfg upravlínnâelektrofízičnimiharakteristikamidvobarêrnihkremníêvihstrukturznanostrukturovanoûosnovoûzadopomogoûgammavipromínûvannâ |