Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.)

У доповіді наведено результати фундаментальних і прикладних досліджень, проведених в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України і пов’язаних з пошуком новітніх матеріалів для сонячних комірок, детекторів жорсткого випромінювання, компактних твердотільних лазерів тощо, а тако...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Вісник НАН України
Дата:	2024
Автор:	Хижун, О.Ю.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2024
Теми:	З кафедри Президії НАН України
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/202071
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.) / О.Ю. Хижун // Вісник Національної академії наук України. - 2024. - № 11. - С. 82-87. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

_version_	1860043708515221504
author	Хижун, О.Ю.
author_facet	Хижун, О.Ю.
citation_txt	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.) / О.Ю. Хижун // Вісник Національної академії наук України. - 2024. - № 11. - С. 82-87. — Бібліогр.: 15 назв. — укр.
collection	DSpace DC
container_title	Вісник НАН України
description	У доповіді наведено результати фундаментальних і прикладних досліджень, проведених в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України і пов’язаних з пошуком новітніх матеріалів для сонячних комірок, детекторів жорсткого випромінювання, компактних твердотільних лазерів тощо, а також з детальним вивченням їхньої електронної структури та оптичних властивостей. The report presents the results of fundamental and applied research conducted at the I.M. Frantsevich Institute for Problems of Materials Science of the National Academy of Sciences of Ukraine which are related to the search for the latest materials for solar cells, hard radiation detectors, compact solid-state lasers, etc., as well as a detailed study of their electronic structure and optical properties.
first_indexed	2025-12-07T16:57:11Z
format	Article
fulltext	82 ISSN 1027-3239. Visn. Nac. Acad. Nauk Ukr. 2024. (11) ЕЛЕКТРОННА СТРУКТУРА І ОПТИЧНІ ВЛАСТИВОСТІ НОВІТНІХ МАТЕРІАЛІВ ДЛЯ ФОТОВОЛЬТАЇКИ, НЕЛІНІЙНОЇ ОПТИКИ ТА ДЕТЕКТОРІВ ЖОРСТКОГО ВИПРОМІНЮВАННЯ Стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жов тня 2024 року У доповіді наведено результати фундаментальних і прикладних дослі- джень, проведених в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Фран- цевича НАН України і пов’язаних з пошуком новітніх матеріалів для со- нячних комірок, детекторів жорсткого випромінювання, компактних твердотільних лазерів тощо, а також з детальним вивченням їхньої елек- тронної структури та оптичних властивостей. Шановний Анатолію Глібовичу! Шановні члени Президії! Шановні присутні! У своїй доповіді я хотів би ознайомити вас з основними остан- німи здобутками нашої наукової групи з Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України щодо по- шуку нових функціональних матеріалів. Актуальність функціональних матеріалів. У щорічній допо- віді «Global Trends in Renewable Energy Investment» за 2023 р., яку за Програмою ООН з навколишнього середовища (UNEP) підготували експерти Bloomberg New Energy Finance (BNEF) і Франкфуртської школи фінансів та управління (FSFM), за- значено, що у 2023 р. глобальні інвестиції в енергетику з низь- ким вмістом вуглецю зросли на 17 % і сягнули $1,77 трлн. Ін- вестиції в постачання чистої енергії в усьому світі станом на 2023 р. досягли $135 млрд, а до 2025 р., як очікується, можуть зрости до $259 млрд. Наразі перед дослідниками стоїть завдання знайти ефектив- ні, безпечні і якомога дешевші функціональні матеріали. На сьогодні найпоширенішими напівпровідниковими детекто- рами випромінювання є монокристали кремнію та германію. ХИЖУН Олег Юліанович — доктор фізико-математичних наук, завідувач відділу спектроскопії поверхні новітніх матеріалів Інституту проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН У країни doi: https://doi.org/10.15407/visn2024.11.082 ISSN 1027-3239. Вісн. НАН України, 2024, № 11 83 З КАФЕДРИ ПРЕЗИДІЇ НАН УКРАЇНИ Однак ці матеріали потребують застосування кріогенних температур для зниження рівня шумів. Натомість складні напівпровідники, завдяки їх регульованій питомій густині, за- бороненій зоні та усередненому атомному но- меру, можуть функціонувати за кімнатної тем- ператури. Високоефективні за звичайних умов детектори жорсткого випромінювання можна використовувати в біомедичній діагностиці, в ядерній галузі, у сфері національної безпеки й оборони [1]. Актуальною проблемою сьогодення є по- шук низькоенергетичних фононних матеріалів для використання їх у компактних твердотіль- них лазерах, що випромінюють у середньо- і довгохвильовому інфрачервоному діапазоні. Такі матеріали мають широкі перспективи за- стосування для забезпечення зв’язку в умовах відкритого космосу, оптичного дистанційного зондування LIDAR, дистанційного детекту- вання відбитків пальців, у медицині, для до- слідження перебігу біохімічних ре акцій тощо. До ефективних функціональних матеріалів для сонячних комірок, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання вису- вають такі загальні вимоги: • висока хімічна стабільність; • відсутність деградації фізико-хімічних властивостей з часом; • стійкість до вологи. Експериментальні дослідження нашої на- укової групи з вивчення електронної струк- тури нових функціональних ма теріалів ґрун- туються на унікальному поєднанні методів рентгенівської емісійної спектроскопії (РЕС), рентгенівської абсорбційної спектроскопії (РАС) і рентгенівської фотоелектронної спек- троскопії (РФС). Завдяки цьому ми маємо змогу отримувати вичерпну інформацію про наявність тих чи інших хімічних елементів у зразку, особливості хімічного зв’язку, енерге- тичний розподіл повної густини електронних станів з визначенням внесків окремих атомів і залежності від типу симетрії електронних станів. Ми можемо також досліджувати пар- ціальні внески як у валентній зоні, так і в зоні провідності. Особливістю методологічної схеми наших досліджень є те, що отримані експерименталь- ні дані ми ефективно комбінуємо і доповнює- мо результатами теоретичних розрахунків, які ґрунтуються на теорії функціоналу густини. Причому кореляцію теоретичних та експери- ментальних результатів ми здійснюємо поєд- нанням спектрів у єдиній енергетичній шкалі. Зазначену сучасну експериментально-роз- рахункову методологічну базу було створено в Центрі колективного користування науковим обладнанням НАН України «Високовакуумна аналітична система UHV-Analysis System». Матеріали для фотовольтаїки. Загалом до матеріалів, які використовують для виготов- лення сонячних комірок, висувають три голо- вні вимоги. Такі матеріали повинні, по-перше, мати ширину забороненої зони в межах 1,0— 1,65 еВ; по-друге, бути прямозонними напів- провідниками і, по-третє, мати р-тип електро- провідності. Сучасний етап розвитку енергетики потре- бує створення і впровадження нового поколін- ня фотоелектричних перетворювачів сонячної енергії, які могли б ефективно замінити соняч- ні комірки на основі кремнію. Наразі перспек- тивними для фотовольтаїки вважають матеріа- ли на основі перовскіту, але наші дослідження засвідчують, що халькогеніди АI 2-BII–CIV–X4 (АI = Cu, Ag, Tl; BII = Zn, Cd, Hg; CIV = Ge, Sn; X = S, Se) не поступаються їм, особливо це сто- сується халькогенідів, які містять такі елемен- ти, як мідь, срібло, сірка, селен, талій та сви- нець. До речі, в багатьох випадках використан- ня талію аналогічне використанню елементів першої підгрупи таблиці Менделєєва. Однією з особливостей почетверених сполук Cu(Ag)2BIICIVX4 є те, що для них характерне співіснування кількох кристалографічних по- літипів, наявність сконцентрованих власних структурних дефектів (вакансій, міжвузло- вих атомів, антивузлів), а також можливість включень домішкових подвійних і потрійних сполук. Причому ідентифікувати наявність у цих сполуках окремих політипів традиційним методом рентгеноструктурного аналізу часто неможливо. 84 ISSN 1027-3239. Visn. Nac. Acad. Nauk Ukr. 2024. (11) З КАФЕДРИ ПРЕЗИДІЇ НАН УКРАЇНИ Роботи з ефективного вивчення електрон- ної структури халькогенідів за допомогою тео- ретичних розрахунків розпочалися відтоді, як було розроблено метод градієнтного наближен- ня [2]. Цей метод добре працює, коли ми маємо справу з металами, проте в разі напівпровідни- ків і діелектриків він дає некоректні результати щодо значення енергетичної щілини. Комбіну- ючи теоретичні та експериментальні дані, ми дійшли висновку, що для ефективного опису електронної структури таких почетверених сполук потрібно застосовувати не метод граді- єнтного наближення, а новітній метод модифі- кованого наближення Беке—Джонсона в пара- метризації Трана—Блага [3]. Однак, коли ми по- чали порівнювати теоретичні результати з екс- периментальними даними, виявилося, що цього також недостатньо, оскільки ми дійсно отриму- ємо кращі значення для енергетичної щілини, але, скажімо, для квазівалентних станів, які знаходяться поблизу дна валентної зони, такі розрахунки завжди дають занижені значення, тобто такі зони завжди виявляються зсунутими в бік рівня Фермі. Тому ми почали шукати інші підходи, стали враховувати поправку Хаббарда та ефект спін-орбітальної взаємодії. Ці розра- хунки дуже складні, однак їхні результати добре узгоджуються з експериментом. Розроблена нами методика поєднує дані рентгенівських фотоелектронних спектрів, які дають інформацію про загальну густину елек- тронних станів, дані рентгенівської емісійної спектроскопії, які дають інформацію про пар- ціальні внески валентних електрон них станів атомів — складових досліджуваних сполук, і результати теоретичних розрахунків. Причому ми зіставляємо їх в одній енергетичній шкалі. За результатами досліджень великого класу купрумвмісних об’єктів було встановлено пев- ні загальні особливості електронної структури таких сполук. Зокрема, електронні стани, асо- ційовані з атомом халькогену, є визначальни- ми для заповнення валентної зони і дають най- більший внесок у верхній частині валентної зони, тоді як електронні стани атомів елемен- тів другої підгрупи дають найбільший внесок поблизу дна валентної зони [4—6]. Останнім часом було синтезовано низку сполук на основі талію, і вони також вияви- лися досить перспективними матеріалами для фотовольтаїки, особливо Tl2HgGeSe4. Ця спо- лука має поблизу валентної зони три, досить близькі за енергією, максимуми, і, змінюючи температуру або тиск, можна варіювати елек- тронну структуру і хімічний зв’язок, а отже, впливати на фізико-хімічні властивості мате- ріалу [7, 8]. Зазначені вище експериментальні дослі- дження електронної структури ми проводимо на монокристалах сполук, синтезованих мето- дом Бріджмена—Стокбаргера, таких як комп- лексні галогеніди лужних металів, талію, свин- цю, ртуті; комплексні халькогеніди елементів I–ІІІВ, IVA підгруп та 2D-матеріали на їх осно- ві; вольфрамати перехідних металів тощо. Матеріали для нелінійної оптики. До ма- теріалів, що використовують для нелінійних оптичних середовищ, висувають низку осо- бливих вимог. Такі матеріали повинні, по- перше, мати нецентросиметричну кристалічну структуру; по-друге, добре допуватися інши- ми, насамперед рідкісноземельними елемента- ми; по-третє, мати досить широкі спектральні діапазони прозорості, а також високі харак- теристики генерації другої гармоніки (second harmonic generation). За останні три десятиліття, відтоді як на- укова група Боумена винайшла твердотільний лазерний резонатор на основі чутливого до во- логи кристала Pr3+:LaCl3 (випромінювання з довжиною хвилі 5,2 і 7,2 мкм), було зроблено багато спроб створити нелінійні оптичні крис- тали для середньо- і довгохвильових інфрачер- воних лазерних джерел з високою вихідною потужністю/енергією. Такі оптичні кристали мають бути малочутливими до вологи за кім- натної температури та в умовах навколишньо- го середовища. На сьогодні дослідники розглядають потрій- ні галогеніди свинцю АPb2X5 і Tl3PbX5 (А = Tl, К, Rb; X = Cl, Br, I) як найбільш перспективні низькоенергетичні фононні матеріали для ви- користання їх у компактних твердотільних ла- зерах. Галогеніди цього типу легко легуються ISSN 1027-3239. Вісн. НАН України, 2024, № 11 85 З КАФЕДРИ ПРЕЗИДІЇ НАН УКРАЇНИ рідкоземельними іонами, вони є прозорими в широкому спектральному діапазоні (від 0,3 до 30 мкм), мають відносно високу хімічну ста- більність, а також хороші термічні й механічні властивості. Однак, незважаючи на великий потенціал практичного застосування цих спо- лук, їхню електронну структуру та оптичні властивості вивчено ще недостатньо, що по- яснюється як проблемами синтезу високоя- кісних монокристалів АPb2X5 і Tl3PbX5, так і складністю дослідження їхньої електронної структури [9]. Нещодавно ми синтезували нові класи спо- лук TlInGe2X6 i PbGa2GeX6 (X = S, Se), а та- кож сполуки TlGaSn2Se6 і TlInGe3S8, які ви- явилися дуже перспективними як матеріали для нелінійної оптики, а також для детекторів жорсткого випромінювання. Вивчаючи їхні фі- зико-хімічні властивості, ми показали надзви- чайно високі характеристики генерації другої гармоніки та широкі зони гомогенності в них [10—12]. Матеріали для детекторів жорсткого ви- промінювання. Матеріали, з яких виготовля- ють детектори жорсткого випромінювання, повинні мати такі характеристики [13]: 1) великі усереднені значення Z; 2) великі значення μe і μh; 3) високі механічні властивості та незначні поляризаційні ефекти. У цьому аспекті матеріали типу вольфра- матів MWO4, галогеніди АPb2X5, Tl3PbX5 та Tl4HgХ6 мають високий потенціал широкого технологічного застосування в таких сферах, як виготовлення сцинтиляційних детекторів, оптичних волокон, датчиків вологості, фотоа- нодів, оптичних пристроїв запису зі зміненням фази, лазерних матриць, каталізаторів гетеро- генних реакцій, барвників тощо. Це зумовлено їхніми фізико-хімічними властивостями, на- самперед термічною стабільністю, високими значеннями показника заломлення та коефіці- єнта поглинання рентгенівського випроміню- вання. Водночас електронну структуру таких матеріалів вивчали переважно теоретично, експериментальних досліджень або взагалі не було, або, якщо їх і проводили, вони не були комплексними. Ми вперше детально досліди- ли властивості вольфраматів перехідних мета- лів, галогенідів АPb2X5, Tl3PbX5 та Tl4HgХ6 і досягли досить хорошої узгодженості експери- ментальних і теоретичних даних [14, 15]. Висновки. Під час проведених нами дослі- джень було отримано низку важливих науко- во-практичних результатів. Зокрема, методом Бріджмена—Стокбаргера синтезовано такі кристали: 1) галогеніди АPb2Х5, Tl3PbХ5, Tl4HgХ6 i CsPb(Sn)X3 (А = K, Rb, Tl; X = Cl, Br, I), а та- кож тверді розчини на їх основі, які є дуже пер- спективними як матеріали для детекторів жор- сткого випромінювання, а деякі сполуки, напри- клад АPb2Х5 і Tl3PbХ5, — як низькоенергетичні фононні матеріали для вико ристання в компак- тних твердотільних лазерах, що випромінюють у середньо- і довгохвильовому ІЧ-діапазоні; 2) халькогеніди АI 2BIIDIVQ4 (AI = Cu, Ag, Tl; BII = Zn, Cd, Hg; DIV = Si, Ge, Sn; Q = S, Se, Te), які є перспективними матеріалами для соняч- них комірок та нелінійної оптики; 3) новий клас сполук TlInGe2X6 (X = S, Se), TlGaSn2Se6, TlInGe3S8 як перспективні детек- тори та матеріали для нелінійної оптики; 4) вольфрамати типу AWO4 (A = Fe, Co, Cu, Zn, Cd) як сцинтиляційні матеріали. Встановлено, що основний внесок у валент- ну смугу (переважно в її верхній частині) га- логенідів АPb2Х5, Tl4HgХ6 i CsPb(Sn)X3 ро- блять р-електронні стани атомів галогену, а у валентну смугу халькогенідів АI 2BIIDIVQ4 — Qр-електронні стани, для яких характерна на- явність високого ступеня гібридизації з елек- тронними станами інших атомів — компонен- тів досліджуваних сполук. Показано, що низка досліджуваних халько- генідів АI 2BIIDIVQ4 характеризуються р-типом електропровідності, великими значеннями ко- ефіцієнта оптичного поглинання та прямозон- ними енергетичними щілинами з ідеальними параметрами ширини заборонен ої зони. Це зу- мовлює можливість їх успішного використан- ня як матеріалів для фотовольтаїки. Крім того, встановлено, що сполуки TlInGe2Q6 (Q = S, Se) і TlGaSn2Se6 демонстру- 86 ISSN 1027-3239. Visn. Nac. Acad. Nauk Ukr. 2024. (11) З КАФЕДРИ ПРЕЗИДІЇ НАН УКРАЇНИ ють яскраво виражену анізотропію оптичних характеристик. Результати наших робіт свідчать, що в дослі- дженнях енергетичного розподілу валентних електронних станів, при встановленні вели- чини енергетичної щілини та її природи, спек- тральних особливостей основних оптичних характеристик досліджуваних сполук найкра- щого узгодження між експериментальними і розрахунковими даними можна досягти, якщо в «першопринципних» зонних розрахунках, що ґрунтуються на теорії функціоналу густи- ни, використовувати новітнє наближення мо- дифікованого функціонала Беке—Джонсона у формі Трана—Блага для обмінно-кореляційно- го потенціалу, а також застосовувати поправку Хаббарда для сильнокорельованих електро- нів та враховувати ефект спін-орбітальної взаємодії. Надалі ми плануємо зосередити наші зусил- ля на таких напрямах: 1) дослідження функціональних властивос- тей моношарів сполук стосовно можливості змінення сорбційних властивостей щодо моле- кул газів; 2) вивчення змін енергії емісії широкозон- них оксидів та фторидів, легованих іонами Cr3+ i Ni2+ під дією високого гідростатичного тиску; 3) дослідження фізико-хімічних властивос- тей сполук АI 2BIIСIVХ4 (АI = Cu, Ag, Tl; BII = Zn, Cd, Hg; CIV = Ge, Sn; X = S, Se) при фор- муванні неперервних твердих розчинів, несте- хіометрії, а також у разі змінення температури; 4) вивчення електронної структури кванто- вих точок; 5) дослідження змін електронної структури і Eg при переході до нанорозмірних монокрис- талів у галогенідах TlPb2X5 i Tl3PbX5 (X = Cl, Br, I). Дякую за увагу! За матеріалами засідання підготувала О.О. Мележик REFERENCES 1. Mirzaei A., Huh J.S., Kim S.S., Kim H.W. Room Temperature Hard Radiation Detectors Based on Solid State Com- pound Semiconductors: An Overview. Electronic Materials Letters. 2018. 14(3): 261—287. https://doi.org/10.1007/s13391-018-0033-2 2. Perdew J.P., Burke S., Ernzerhof M. Generalized Gradient Approximation Made Simple. Physical Review Letters. 1996. 77: 3865—3868. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.77.3865 3. Tran F., Blaha P. Accurate Band Gaps of Semiconductors and Insulators with a Semilocal Exchange-Correlation Potential. Physical Review Letters. 2009. 102: 226401. https://doi.org/10.1103/PhysRevLett.102.226401 4. Khyzhun O.Y., Bekenev V.L., Ocheretova V.A., Fedorchuk A.O., Parasyuk O.V. Electronic structure of Cu2ZnGeSe4 single crystal: Ab initio FP-LAPW calculations and X-ray spectroscopy measurements. Physica B: Condensed Matter. 2015. 461: 75—84. https://doi.org/10.1016/j.physb.2014.12.016 5. Vu T.V., Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Tkach V.A., Khang D., Marchuk O.V., Parasyuk O.V., Khyzhun O.Y. First- principles DFT computation and X-ray spectroscopy study of the electronic band structure and optical constants of Cu2HgGeS4. Solid State Sciences. 2020. 104: 106287. https://doi.org/10.1016/j.solidstatesciences.2020.106287 6. Vu T.V., Marchuk O.V., Smitiukh O.V., Tkach V.A., Myronchuk D., Myronchuk G.L., Khyzhun O.Y. High-temperature orthorhombic phase of Cu2HgGeS4: Electronic structure and principal optical constants as evidenced from the ex- periment and theory. Journal of Solid State Chemistry. 2022. 313: 123313. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2022.123313 7. Vu T.V., Khyzhun O.Y., Myronchuk G.L., Denysyuk M., Piskach L., Selezen A.O., Radkowska I., Fedorchuk A.O., Petrovska S.S., Tkach V.A., Piasecki M. Insights from Experiment and Theory on Peculiarities of the Electronic Structure and Optical Properties of the Tl2HgGeSe4 Crystal. Inorganic Chemistry. 2023. 62(41): 16691—16709. https://pubs.acs.org/doi/10.1021/acs.inorgchem.3c01756 8. Halati M.S., Khyzhun O.Y., Khireddine A. et al. Structural, elastic, electronic, optical and anisotropy properties of newly quaternary Tl2HgGeSe4 via DFPT predictions associated to XPES and RS experiments. Scientific Reports. 2024. 14: 16293. https://doi.org/10.1038/s41598-024-67231-2 9. Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Vu V.T., Denysyuk N.M., Shkumat P.N., Tarasova A.Y., Isaenko L.I., Khyzhun O.Y. Electronic structure and optical properties of RbPb2Br5. Journal of Physics and Chemistry of Solids. 2016. 91: 25—33. https://doi.org/10.1016/j.jpcs.2015.12.003 ISSN 1027-3239. Вісн. НАН України, 2024, № 11 87 З КАФЕДРИ ПРЕЗИДІЇ НАН УКРАЇНИ 10. Denysyuk N.M., Bekenev V.L., Karpets M.V., Parasyuk O.V., Danylchuk S.P., Khyzhun O.Y. Electronic structure of the high-temperature tetragonal Tl3PbBr5 phase. Journal of Alloys and Compounds. 2013. 576: 271—278. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2013.04.162 11. Fedorchuk A.O., Parasyuk O.V., Cherniushok O., Andriyevsky B., Myronchuk G.L., Khyzhun O.Y., Lakshminaray- ana G., Jedryka J., Kityk I.V., ElNaggar A.M., Albassam A.A., Piasecki M. PbGa2GeS6 crystal as a novel nonlinear optical material: Band structure aspects. Journal of Alloys and Compounds. 2018. 740: 294—304. https://doi.org/10.1016/j.jallcom.2017.12.353 12. Vu T.V., Lavrentyev A.A., Gabrelian B.V., Parasyuk O.V., Khyzhun O.Y., First-principles DFT calculations of the electronic structure and optical properties of TlInGe2Se6, a prospective NLO material. Materials Chemistry and Phys- ics. 2018. 219: 162—174. https://doi.org/10.1016/j.matchemphys.2018.08.017 13. Yanagida T. Inorganic scintillating materials and scintillation detectors. Proceedings of the Japan Academy, Series B. 2018. 94(2): 75—97. https://doi.org/10.2183/pjab.94.007 14. Atuchin V.V., Galashov E.N., Khyzhun O.Y., Bekenev V.L., Pokrovsky L.D., Borovlev Yu.A., Zhdankov V.N. Low Thermal Gradient Czochralski growth of large CdWO4 crystals and electronic properties of (010) cleaved surface. Journal of Solid State Chemistry. 2016. 236: 24—31. https://doi.org/10.1016/j.jssc.2015.05.017 15. Piasecki M., Parasyuk O.V., Pavlyuk V., Khyzhun O.Y., Kityk I.V., Myronchuk G.L., Wojciechowski K.T., Levko- vets S.I., Piskach L.V., Fedorchuk A.O., Fochuk P.M., Wood V., Yarema M. Searching for better X-ray and -ray photodetectors: structure–composition properties of the TlPb2Br5xIx quaternary system. Materials Advances. 2022. 3(9): 4006—4014. https://doi.org/10.1039/D1MA01259B Oleg Yu. Khyzhun I.M. Frantsevich Institute for Problems of Materials Science of the National Academy of Sciences of Ukraine, Kyiv, Ukraine ORСID: https://orcid.org/0000-0002-2403-8607 ELECTRONIC STRUCTURE AND OPTICAL PROPERTIES OF THE NOVEL MATERIALS FOR PHOTOVOLTAICS, NONLINEAR OPTICS AND HARD RADIATION DETECTORS Transcript of scientific report at the meeting of the Presidium of NAS of Ukraine, October 23, 2024 The report presents the results of fundamental and applied research conducted at the I.M. Frantsevich Institute for Problems of Materials Science of the National Academy of Sciences of Ukraine which are related to the search for the latest materials for solar cells, hard radiation detectors, compact solid-state lasers, etc., as well as a detailed study of their electronic structure and optical properties. Cite this article: Khyzhun O.Yu. Electronic structure and optical properties of the novel materials for photovoltaics, nonlinear optics and hard radiation detectors. Visn. Nac. Akad. Nauk Ukr. 2024. (11): 82—87. https://doi.org/10.15407/visn2024.11.082
id	nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-202071
institution	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn	1027-3239
language	Ukrainian
last_indexed	2025-12-07T16:57:11Z
publishDate	2024
publisher	Видавничий дім "Академперіодика" НАН України
record_format	dspace
spelling	Хижун, О.Ю. 2025-02-25T10:34:35Z 2024 Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.) / О.Ю. Хижун // Вісник Національної академії наук України. - 2024. - № 11. - С. 82-87. — Бібліогр.: 15 назв. — укр. 1027-3239 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/202071 DOI: doi.org/10.15407/visn2024.11.082 У доповіді наведено результати фундаментальних і прикладних досліджень, проведених в Інституті проблем матеріалознавства ім. І.М. Францевича НАН України і пов’язаних з пошуком новітніх матеріалів для сонячних комірок, детекторів жорсткого випромінювання, компактних твердотільних лазерів тощо, а також з детальним вивченням їхньої електронної структури та оптичних властивостей. The report presents the results of fundamental and applied research conducted at the I.M. Frantsevich Institute for Problems of Materials Science of the National Academy of Sciences of Ukraine which are related to the search for the latest materials for solar cells, hard radiation detectors, compact solid-state lasers, etc., as well as a detailed study of their electronic structure and optical properties. uk Видавничий дім "Академперіодика" НАН України Вісник НАН України З кафедри Президії НАН України Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.) Electronic structure and optical properties of the novel materials for photovoltaics, nonlinear optics and hard radiation detectors (Transcript of scientific report at the meeting of the Presidium of NAS of Ukraine, October 23, 2024) Article published earlier
spellingShingle	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.) Хижун, О.Ю. З кафедри Президії НАН України
title	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.)
title_alt	Electronic structure and optical properties of the novel materials for photovoltaics, nonlinear optics and hard radiation detectors (Transcript of scientific report at the meeting of the Presidium of NAS of Ukraine, October 23, 2024)
title_full	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.)
title_fullStr	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.)
title_full_unstemmed	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.)
title_short	Електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні Президії НАН України 23 жовтня 2024 р.)
title_sort	електронна структура і оптичні властивості новітніх матеріалів для фотовольтаїки, нелінійної оптики та детекторів жорсткого випромінювання (стенограма доповіді на засіданні президії нан україни 23 жовтня 2024 р.)
topic	З кафедри Президії НАН України
topic_facet	З кафедри Президії НАН України
url	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/202071
work_keys_str_mv	AT hižunoû elektronnastrukturaíoptičnívlastivostínovítníhmateríalívdlâfotovolʹtaíkinelíníinoíoptikitadetektorívžorstkogovipromínûvannâstenogramadopovídínazasídanníprezidíínanukraíni23žovtnâ2024r AT hižunoû electronicstructureandopticalpropertiesofthenovelmaterialsforphotovoltaicsnonlinearopticsandhardradiationdetectorstranscriptofscientificreportatthemeetingofthepresidiumofnasofukraineoctober232024

Репозитарії

Схожі ресурси