Функція Лагранжа для шаруватого надпровідника скінченних розмірів

• Veröffentlicht in: Доповіді НАН України
• Datum: 2024
• Hauptverfasser: Бухтатий, А.Є., Майзеліс, З.О., Ямпольський, В.О.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: Видавничий дім "Академперіодика" НАН України 2024
• Schlagworte: Фізика
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/202281
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: Функція Лагранжа для шаруватого надпровідника скінченних розмірів / А.Є. Бухтатий, З.О. Майзеліс, В.О. Ямпольський // Доповіді Національної академії наук України. — 2024. — № 1. — С. 13-19. — Бібліогр.: 10 назв. — укр.

Теоретично досліджено поширення джозефсонівських плазмових хвиль в обмежених зразках шаруватого надпровідника за допомогою підходу Лагранжа. З базових експериментальних результатів отримано вирази для функції Лагранжа для зв’язаних ступенів вільності фази параметра порядку в надпровідних шарах і електромагнітного поля. Показано, що у k-просторі функція Лагранжа представляє собою суму зліченої множини незалежних внесків, які відповідають різним можливим хвилеводним модам у зразку, які розбито на звичайні та надзвичайні моди. Отримано дисперсійні залежності мод. Результати можуть бути застосовані для побудови електронних пристроїв терагерцевого діапазону. The theoretical investigation of Josephson plasma wave propagation in confined samples of a layered superconductor was conducted using the Lagrangian approach. Based on fundamental experimental results, an expression for the Lagrange function governing the coupled degrees of freedom of the order parameter phase in the layers of the sample and the electromagnetic field was derived. It is shown that, in k-space, the Lagrange function represents of a counted set of independent contributions corresponding to various possible waveguide modes in the sample, categorized as ordinary and extraordinary modes. Dispersion dependences for the modes were obtained. The results of this study can be applied to the construction of electronic devices in the Terahertz frequency range.