Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок

Запропоновано математичну модель для розрахунку напружено-деформованого стану кристалічних шарів напівпровідникової наноструктури, зумовленого наявністю квантових точок, як сторонніх включень в основній матриці ізотропного матеріалу. Одержано та кількісно проаналізовано розв’язок задачі пружності дл...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології
Date:2006
Main Authors: Литвин, П., Мороз, Г., Прокопенко, І., Чапля, Є.
Format: Article
Language:Ukrainian
Published: Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України 2006
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21362
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок / П. Литвин, Г. Мороз, І. Прокопенко, Є. Чапля // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2006. — Вип. 4. — С. 47-59. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-21362
record_format dspace
spelling Литвин, П.
Мороз, Г.
Прокопенко, І.
Чапля, Є.
2011-06-16T08:12:50Z
2011-06-16T08:12:50Z
2006
Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок / П. Литвин, Г. Мороз, І. Прокопенко, Є. Чапля // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2006. — Вип. 4. — С. 47-59. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
1816-1545
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21362
539.3
Запропоновано математичну модель для розрахунку напружено-деформованого стану кристалічних шарів напівпровідникової наноструктури, зумовленого наявністю квантових точок, як сторонніх включень в основній матриці ізотропного матеріалу. Одержано та кількісно проаналізовано розв’язок задачі пружності для окремого включення, пари та ансамблю включень залежно від їх розміру, взаємного розташування, товщини покриваючого шару, пружних характеристик матеріалу тощо. Показано, що побудована модель якісно добре описує закономірності розподілу енергії пружної деформації на поверхні верхнього шару. Проілюстровано, зокрема, що розподіл енергії пружної деформації у покриваючому шарі сприяє формуванню великих квантових точок над великими, а малі квантові точки на цей процес практично не впливають (так званий фільтраційний ефект).
The mathematical model for calculating the stress-strained state of semiconductor nanostructure crystal layers, which induced by quantum dots as foreign inclusions in main isotropic material, is proposed. Solutions of elastic problems for unique inclusion, pair and ensemble of inclusions are received and quantitative analyzed according to inclusions size, their reciprocal disposition, thickness of overlying layer, material elastic constants etc. It is shown that received model qualitatively describe regularity of elastic strain energy distribution on the overlay surface. It is illustrated, in particular, that elastic strain energy distribution in overlay conduces generating big quantum dots over big ones and that small quantum dots don’t impact practically on this process (so-called filtration effect).
Предложена математическая модель для расчета напряженно-деформированного состояния кристаллических слоев полупроводниковой наноструктуры, обусловленного наличием квантовых точек, как сторонних включений в основной матрице изотропного материала. Получены и количественно проанализированы решения задач упругости для отдельного включения, пары и ансамбля включений в зависимости от их размера, взаимного размещения, толщины покрывающего слоя, упругих характеристик материала и т. д. Показано, что полученная модель качественно хорошо описывает закономерности распределения энергии упругой деформации на поверхности верхнего слоя. Проиллюстрировано, в частности, что распределение энергии упругой деформации в покрывающем слое способствует формированию больших квантовых точек над большими, а малые квантовые точки на этот процесс практически не влияют (так называемый фильтрационный эффект).
uk
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології
Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
Elastic Strain Energy Calculation Model of Layer with Inclusions of Quantum Dots Type
Расчетная модель упругой энергии деформации слоя с включениями типа квантовых точек
Article
published earlier
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
collection DSpace DC
title Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
spellingShingle Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
Литвин, П.
Мороз, Г.
Прокопенко, І.
Чапля, Є.
title_short Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
title_full Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
title_fullStr Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
title_full_unstemmed Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
title_sort розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
author Литвин, П.
Мороз, Г.
Прокопенко, І.
Чапля, Є.
author_facet Литвин, П.
Мороз, Г.
Прокопенко, І.
Чапля, Є.
publishDate 2006
language Ukrainian
container_title Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології
publisher Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
format Article
title_alt Elastic Strain Energy Calculation Model of Layer with Inclusions of Quantum Dots Type
Расчетная модель упругой энергии деформации слоя с включениями типа квантовых точек
description Запропоновано математичну модель для розрахунку напружено-деформованого стану кристалічних шарів напівпровідникової наноструктури, зумовленого наявністю квантових точок, як сторонніх включень в основній матриці ізотропного матеріалу. Одержано та кількісно проаналізовано розв’язок задачі пружності для окремого включення, пари та ансамблю включень залежно від їх розміру, взаємного розташування, товщини покриваючого шару, пружних характеристик матеріалу тощо. Показано, що побудована модель якісно добре описує закономірності розподілу енергії пружної деформації на поверхні верхнього шару. Проілюстровано, зокрема, що розподіл енергії пружної деформації у покриваючому шарі сприяє формуванню великих квантових точок над великими, а малі квантові точки на цей процес практично не впливають (так званий фільтраційний ефект). The mathematical model for calculating the stress-strained state of semiconductor nanostructure crystal layers, which induced by quantum dots as foreign inclusions in main isotropic material, is proposed. Solutions of elastic problems for unique inclusion, pair and ensemble of inclusions are received and quantitative analyzed according to inclusions size, their reciprocal disposition, thickness of overlying layer, material elastic constants etc. It is shown that received model qualitatively describe regularity of elastic strain energy distribution on the overlay surface. It is illustrated, in particular, that elastic strain energy distribution in overlay conduces generating big quantum dots over big ones and that small quantum dots don’t impact practically on this process (so-called filtration effect). Предложена математическая модель для расчета напряженно-деформированного состояния кристаллических слоев полупроводниковой наноструктуры, обусловленного наличием квантовых точек, как сторонних включений в основной матрице изотропного материала. Получены и количественно проанализированы решения задач упругости для отдельного включения, пары и ансамбля включений в зависимости от их размера, взаимного размещения, толщины покрывающего слоя, упругих характеристик материала и т. д. Показано, что полученная модель качественно хорошо описывает закономерности распределения энергии упругой деформации на поверхности верхнего слоя. Проиллюстрировано, в частности, что распределение энергии упругой деформации в покрывающем слое способствует формированию больших квантовых точек над большими, а малые квантовые точки на этот процесс практически не влияют (так называемый фильтрационный эффект).
issn 1816-1545
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21362
citation_txt Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок / П. Литвин, Г. Мороз, І. Прокопенко, Є. Чапля // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2006. — Вип. 4. — С. 47-59. — Бібліогр.: 5 назв. — укр.
work_keys_str_mv AT litvinp rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok
AT morozg rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok
AT prokopenkoí rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok
AT čaplâê rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok
AT litvinp elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype
AT morozg elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype
AT prokopenkoí elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype
AT čaplâê elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype
AT litvinp rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček
AT morozg rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček
AT prokopenkoí rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček
AT čaplâê rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček
first_indexed 2025-12-07T18:40:13Z
last_indexed 2025-12-07T18:40:13Z
_version_ 1850875904946864128