Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок
Запропоновано математичну модель для розрахунку напружено-деформованого стану кристалічних шарів напівпровідникової наноструктури, зумовленого наявністю квантових точок, як сторонніх включень в основній матриці ізотропного матеріалу. Одержано та кількісно проаналізовано розв’язок задачі пружності дл...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
|---|---|
| Дата: | 2006 |
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України
2006
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21362 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок / П. Литвин, Г. Мороз, І. Прокопенко, Є. Чапля // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2006. — Вип. 4. — С. 47-59. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862723204528734208 |
|---|---|
| author | Литвин, П. Мороз, Г. Прокопенко, І. Чапля, Є. |
| author_facet | Литвин, П. Мороз, Г. Прокопенко, І. Чапля, Є. |
| citation_txt | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок / П. Литвин, Г. Мороз, І. Прокопенко, Є. Чапля // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2006. — Вип. 4. — С. 47-59. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології |
| description | Запропоновано математичну модель для розрахунку напружено-деформованого стану кристалічних шарів напівпровідникової наноструктури, зумовленого наявністю квантових точок, як сторонніх включень в основній матриці ізотропного матеріалу. Одержано та кількісно проаналізовано розв’язок задачі пружності для окремого включення, пари та ансамблю включень залежно від їх розміру, взаємного розташування, товщини покриваючого шару, пружних характеристик матеріалу тощо. Показано, що побудована модель якісно добре описує закономірності розподілу енергії пружної деформації на поверхні верхнього шару. Проілюстровано, зокрема, що розподіл енергії пружної деформації у покриваючому шарі сприяє формуванню великих квантових точок над великими, а малі квантові точки на цей процес практично не впливають (так званий фільтраційний ефект).
The mathematical model for calculating the stress-strained state of semiconductor nanostructure crystal layers, which induced by quantum dots as foreign inclusions in main isotropic material, is proposed. Solutions of elastic problems for unique inclusion, pair and ensemble of inclusions are received and quantitative analyzed according to inclusions size, their reciprocal disposition, thickness of overlying layer, material elastic constants etc. It is shown that received model qualitatively describe regularity of elastic strain energy distribution on the overlay surface. It is illustrated, in particular, that elastic strain energy distribution in overlay conduces generating big quantum dots over big ones and that small quantum dots don’t impact practically on this process (so-called filtration effect).
Предложена математическая модель для расчета напряженно-деформированного состояния кристаллических слоев полупроводниковой наноструктуры, обусловленного наличием квантовых точек, как сторонних включений в основной матрице изотропного материала. Получены и количественно проанализированы решения задач упругости для отдельного включения, пары и ансамбля включений в зависимости от их размера, взаимного размещения, толщины покрывающего слоя, упругих характеристик материала и т. д. Показано, что полученная модель качественно хорошо описывает закономерности распределения энергии упругой деформации на поверхности верхнего слоя. Проиллюстрировано, в частности, что распределение энергии упругой деформации в покрывающем слое способствует формированию больших квантовых точек над большими, а малые квантовые точки на этот процесс практически не влияют (так называемый фильтрационный эффект).
|
| first_indexed | 2025-12-07T18:40:13Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-21362 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1816-1545 |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2025-12-07T18:40:13Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Литвин, П. Мороз, Г. Прокопенко, І. Чапля, Є. 2011-06-16T08:12:50Z 2011-06-16T08:12:50Z 2006 Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок / П. Литвин, Г. Мороз, І. Прокопенко, Є. Чапля // Фіз.-мат. моделювання та інформ. технології. — 2006. — Вип. 4. — С. 47-59. — Бібліогр.: 5 назв. — укр. 1816-1545 https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21362 539.3 Запропоновано математичну модель для розрахунку напружено-деформованого стану кристалічних шарів напівпровідникової наноструктури, зумовленого наявністю квантових точок, як сторонніх включень в основній матриці ізотропного матеріалу. Одержано та кількісно проаналізовано розв’язок задачі пружності для окремого включення, пари та ансамблю включень залежно від їх розміру, взаємного розташування, товщини покриваючого шару, пружних характеристик матеріалу тощо. Показано, що побудована модель якісно добре описує закономірності розподілу енергії пружної деформації на поверхні верхнього шару. Проілюстровано, зокрема, що розподіл енергії пружної деформації у покриваючому шарі сприяє формуванню великих квантових точок над великими, а малі квантові точки на цей процес практично не впливають (так званий фільтраційний ефект). The mathematical model for calculating the stress-strained state of semiconductor nanostructure crystal layers, which induced by quantum dots as foreign inclusions in main isotropic material, is proposed. Solutions of elastic problems for unique inclusion, pair and ensemble of inclusions are received and quantitative analyzed according to inclusions size, their reciprocal disposition, thickness of overlying layer, material elastic constants etc. It is shown that received model qualitatively describe regularity of elastic strain energy distribution on the overlay surface. It is illustrated, in particular, that elastic strain energy distribution in overlay conduces generating big quantum dots over big ones and that small quantum dots don’t impact practically on this process (so-called filtration effect). Предложена математическая модель для расчета напряженно-деформированного состояния кристаллических слоев полупроводниковой наноструктуры, обусловленного наличием квантовых точек, как сторонних включений в основной матрице изотропного материала. Получены и количественно проанализированы решения задач упругости для отдельного включения, пары и ансамбля включений в зависимости от их размера, взаимного размещения, толщины покрывающего слоя, упругих характеристик материала и т. д. Показано, что полученная модель качественно хорошо описывает закономерности распределения энергии упругой деформации на поверхности верхнего слоя. Проиллюстрировано, в частности, что распределение энергии упругой деформации в покрывающем слое способствует формированию больших квантовых точек над большими, а малые квантовые точки на этот процесс практически не влияют (так называемый фильтрационный эффект). uk Центр математичного моделювання Інституту прикладних проблем механіки і математики ім. Я.С. Підстригача НАН України Фізико-математичне моделювання та інформаційні технології Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок Elastic Strain Energy Calculation Model of Layer with Inclusions of Quantum Dots Type Расчетная модель упругой энергии деформации слоя с включениями типа квантовых точек Article published earlier |
| spellingShingle | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок Литвин, П. Мороз, Г. Прокопенко, І. Чапля, Є. |
| title | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок |
| title_alt | Elastic Strain Energy Calculation Model of Layer with Inclusions of Quantum Dots Type Расчетная модель упругой энергии деформации слоя с включениями типа квантовых точек |
| title_full | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок |
| title_fullStr | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок |
| title_full_unstemmed | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок |
| title_short | Розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок |
| title_sort | розрахункова модель пружної енергії деформації шару з включеннями типу квантових точок |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/21362 |
| work_keys_str_mv | AT litvinp rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok AT morozg rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok AT prokopenkoí rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok AT čaplâê rozrahunkovamodelʹpružnoíenergíídeformacííšaruzvklûčennâmitipukvantovihtočok AT litvinp elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype AT morozg elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype AT prokopenkoí elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype AT čaplâê elasticstrainenergycalculationmodeloflayerwithinclusionsofquantumdotstype AT litvinp rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček AT morozg rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček AT prokopenkoí rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček AT čaplâê rasčetnaâmodelʹuprugoiénergiideformaciisloâsvklûčeniâmitipakvantovyhtoček |