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Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals

Features of the concentration dependences of the anisotropy parameter of thermo-emf of electron-phonon drag M in germanium and silicon crystals of n-type conductivity were found in a wide range of charge carrier concentrations. Insensitivity of the anisotropy parameter M to the presence of impuritie...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2017
Hauptverfasser:	Gaidar, G.P., Baranskii, P.I.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214903
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Dependence of the anisotropy parameter of drag thermo-emf on the impurity concentration in the n-type germanium and silicon crystals / G.P. Gaidar, P.I. Baranskii // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 1. — С. 123-128. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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