Influence of the composition of (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ solid solutions on their physical properties
The single crystals of (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ (х = 0…0.5) solid solutions have been grown. The photoelectric, X-ray dosimetric, dielectric, and optical characteristics of the (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ solid solutions with various compositions have been determined. The maximum and spectral range of photos...
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| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2017 |
| Hauptverfasser: | Mustafaeva, S.N., Jafarova, S.G., Kerimova, E.M., Gasanov, N.Z., Asadov, S.M. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214909 |
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| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Influence of the composition of (TlGaS₂)₁₋ₓ(TlInSe₂)ₓ solid solutions on their physical properties / S.N. Mustafaeva, S.G. Jafarova, E.M. Kerimova, N.Z. Gasanov, S.M. Asadov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 1. — С. 74-78. — Бібліогр.: 11 назв. — англ. |
Institution
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