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New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures

The new experimental data concerning the effect of a magnetic field on the electric properties of silicon diodes with high doping levels both in the emitter and base (conduction of which at low temperatures is determined by the excess tunnel current) have been analyzed. In addition to previous inves...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2017
ISSN:	1560-8034
Hauptverfasser:	Borblik, V. L., Shwarts, Yu. M., Shwarts, M. M., Aleinikov, A. B.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214933
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	New evidence of the hopping nature of the excess tunnel current in heavily doped silicon - diodes at cryogenic temperatures / V. L. Borblik, Yu. M. Shwarts, M. M. Shwarts, A. B. Aleinikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 195-198. — Бібліогр.: 11 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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