In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection
This paper reports on the development and investigations of In–Hg₁₋ₓCdxTe–In structures with symmetric nonlinear I–V curves that are sensitive to sub-terahertz radiation. It is shown that at low currents photoresponse of the detectors based on these structures is due to the presence of potential bar...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2017 |
| Автори: | , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2017
|
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214937 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | In–HgCdTe–In structures with symmetric nonlinear I–V characteristics for sub-THz direct detection / N.I. Kukhtaruk, V.V. Zabudsky, A.V. Shevchik-Shekera, N.N. Mikhailov, F.F. Sizov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 2. — С. 173-178. — Бібліогр.: 13 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!