Зображення обкладинки

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation

In this work, we consider the approach for simulation of X-ray rocking curves inherent to InSb(111) crystals implanted with Be⁺ ions with various energies and doses. The method is based on the semi-kinematical theory of X-ray diffraction in the case of Bragg geometry. A fitting procedure that relies...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2017
Автори:	Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Gudymenko, O.Yo.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214945
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation / O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, O.Yo. Gudymenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 3. — С. 355-361. — Бібліогр.: 30 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Modeling of X-ray rocking curves for layers after two-stage ion-implantation
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

X-Ray Diffractometry of Lanthanum-Doped Iron—Yttrium Garnet Structures after Ion Implantation
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2013)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: O. I. Liubchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: Fodchuk, І.М., та інші
Опубліковано: (2010)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

Structural-phase changes in the near-surface layers of the titanium alloy TiNi, after ion implantation
за авторством: A. D. Pogrebnjak, та інші
Опубліковано: (2009)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: M. A. Lisovenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Ion implantation, ion-beam mixing during simultaneous ion implantation and metal deposition
за авторством: Lisovenko, M.A., та інші
Опубліковано: (2013)

Anisotropy of elastic deformations in multilayer (In,Ga)As/GaAs structures with quantum wires: X-ray diffractometry study
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2005)

Pulse pressure classes and pacing parameters in patients at the annual stage after implantation
за авторством: M. V. Pochinskaja, та інші
Опубліковано: (2017)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Gamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: M. D. Borcha, та інші
Опубліковано: (2019)

AES and XPS characterization of TiN layers formed and modified by ion implantation
за авторством: Melnik, V., та інші
Опубліковано: (1999)

Structural changes in Cz-Si single crystals irradiated with high-energy electrons from data of high-resolution X-ray diffractometry
за авторством: I. M. Fodchuk, та інші
Опубліковано: (2010)

The research of X-ray and gamma radiation absorption by layered structures
за авторством: Deiev, O.S., та інші
Опубліковано: (2016)

Investigation of photodiode formation processes in insb by using beryllium ion implantation
за авторством: Yu. V. Holtvianskyi, та інші
Опубліковано: (2017)

Investigation of Plasmon Gold Film Nanostructures by Means of both X-Ray Reflectometry and Diffractometry
за авторством: A. I. Gudymenko, та інші
Опубліковано: (2015)

Influence of helium ion implantation on the form of an elementary cell in near-surface layers of single crystals
за авторством: I. P. Yaremii, та інші
Опубліковано: (2013)

Distribution of chemical elements in the surface layer of the films implanted ions SI+ with yttrium iron garnet
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2014)

Research of recombination characteristics of Cz-Si implanted with iron ions
за авторством: D. V. Hamov, та інші
Опубліковано: (2013)

Using of X-pinch as a source in X-ray radiography studying of initial stage of wire explosion
за авторством: Agafonov, A.V., та інші
Опубліковано: (2006)

Low-energy X-ray radiation after the biological shielding of electron accelerators
за авторством: Bochek, G.L., та інші
Опубліковано: (2018)

Ion sources optimization for high energy ion implantation by computer simulation
за авторством: Litovko, I.V., та інші
Опубліковано: (2008)

Formation of structural heterogeneity of the near-surface layer of films of iron-yttrium granatos by implantation of Si+ ions
за авторством: B. K. Ostafiichuk, та інші
Опубліковано: (2011)

Simulation and Diagnostics of Strains in the Subsurface Layers of Gadolinium—Gallium Garnet Single Crystals Implanted with F+ Ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Oxygen ion-beam modification of vanadium oxide films for reaching a high value of the resistance temperature coefficient
за авторством: Sabov, T.M., та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of X-ray suppression system upon parameters of electrostatic accelerator ion beam
за авторством: I. G. Ignatev, та інші
Опубліковано: (2014)

X-ray diffraction investigation of GaN layers on Si(111) and Al2O3(0001) substrates
за авторством: N. V. Safriuk, та інші
Опубліковано: (2013)

Study of damaged layer depth in thermoelectric materials by X-ray diffraction interferometry
за авторством: V. P. Shafranyuk
Опубліковано: (2016)

Activation of porous Si blue emission due to preanodization ion implantation
за авторством: Rozhin, A.G., та інші
Опубліковано: (2001)

Progress in riboon ion beam implantation systems development
за авторством: Masunov, E.S., та інші
Опубліковано: (2010)

The study of the oxide coating effect on bone–implant interface formation by means of electron microscopy method with energy dispersive x-ray analysis
за авторством: Gudakova, A.A., та інші
Опубліковано: (2007)

Relative sensitivity of X-Ray TV systems based on pulsed X-Ray units
за авторством: N. G. Belyj, та інші
Опубліковано: (2013)

X-ray diffraction method application to assess the energy losses on explosive-rock contact under various blasting
за авторством: I. Kratkovskyi, та інші
Опубліковано: (2020)

Ion beam technologies of surface modification. I. Ion cleaning and high dose implantation
за авторством: V. A. Belous, та інші
Опубліковано: (2003)

Modelling and diagnostics of damages and strains in a crystal of Gd3Ga5O12 after implantation of F ions
за авторством: V. O. Kotsiubynskyi, та інші
Опубліковано: (2014)

Dynamical Diffractometry of Defects and Strains in Gd3Ga5O12 Garnet Crystals After Implantation with F+ Ions
за авторством: O. S. Skakunova, та інші
Опубліковано: (2013)

Magnetic structure of subsurface layers of single crystalline yttrium-iron garnet films implanted with Si+ ions with various energies
за авторством: Pylypiv, V.M., та інші
Опубліковано: (2012)

Magnetic structure of subsurface layers of single crystalline yttrium-iron garnet films implanted with Si+ ions with various energies
за авторством: V. M. Pylypiv, та інші
Опубліковано: (2012)