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Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence

The luminescence spectra of SiC crystals and films with grain boundaries (GB) on the atomic level were observed. The GB spectra are associated with luminescence centers localized in areas of specific structural abnormalities in the crystal, without reference to the one-dimensional layer-disordering....

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2017
Hauptverfasser:	Vlaskina, S.I., Mishinova, G.N., Vlaskin, V.I., Rodionov, V.E., Svechnikov, G.S.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2017
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/214947
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Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Nanograin boundaries and silicon carbide photoluminescence / S.I. Vlaskina, G.N. Mishinova, V.I. Vlaskin, V.E. Rodionov, G.S. Svechnikov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2017. — Т. 20, № 3. — С. 344-348. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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