Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator

We have investigated the influence of the average radius r and its dispersion ∆r of the semiconductor quantum dots (QDs) used in luminescent solar concentrators (LSCs) on reabsorption. To minimize the detrimental reabsorption losses in LSCs, six semiconductors used to fabricate QDs with a wide range...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2018
Автори: Shkrebtii, A.I., Sachenko, A.V., Sokolovskyi, I.O., Kostylyov, V.P., Kulish, M.R.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215144
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Impact of semiconductor quantum dots bandgap on the reabsorption in luminescent concentrator / A.I. Shkrebtii, A.V. Sachenko, I.O. Sokolovskyi, V.P. Kostylyov, M.R. Kulish // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 1. — С. 58-64. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine