Зображення обкладинки

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates

The comparative analysis of optical characteristics inherent to TiO₂/SiC and TiO₂/por-SiC/SiC structures has been performed. It has been shown that, in these structures, regardless of the substrate structure, formation of TiO₂ layers with approximately the same width, 60 nm, takes place. In this cas...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2018
Автори: Bacherikov, Yu.Yu., Dmitruk, N.L., Konakova, R.V., Kolomys, O.F., Okhrimenko, O.B., Strelchuk, V.V., Lytvyn, O.S., Kapitanchuk, L.M., Svetlichnyi, A.M.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:
Sensors
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215195
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates / Yu.Yu. Bacherikov, N.L. Dmitruk, R.V. Konakova, O.F. Kolomys, O.B. Okhrimenko, V.V. Strelchuk, O.S. Lytvyn, L.M. Kapitanchuk, A.M. Svetlichnyi // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 2. — С. 200-205. — Бібліогр.: 24 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси