Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
Annealing of complex semiconductors GaP and CdP₂, irradiated at room temperature by high fluences of electrons within 1…30 MeV energy interval and 80 MeV α-particles, was carried out, and main electrical parameters (conductivity σ, carrier concentration n, and mobility µ) as well as the positron lif...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215205 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing / M. Zavada, O. Konoreva, P. Lytovchenko, V. Opilat, M. Pinkovska, O. Radkevych, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 2. — С. 130-133. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: M. Zavada, та інші
Опубліковано: (2018)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Rotation of a thin heated plate caused by its own coherent thermal radiation
за авторством: Pipa, V.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Pipa, V.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
Influence of the near-surface regions of the space charge in semiconductor crystals on defect transformation stimulated by the action of magnetic fields
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
Features of the dielectric properties of medical thermal indicators based on dispersions of cholesteric liquid crystals in the polymer matrix
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Conductivity of molecular semiconductor material based on monomeric and polymeric methacroylacetophenone
за авторством: Berezhnytska, O.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Berezhnytska, O.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation of chitosan
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Preparation of quaternary compounds Cu₂ZnSnS₄ by using the self-propagating high-temperature synthesis
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)
Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Determination of crystallization conditions of Ge/GaAs heterostructures in the scanning LPE method
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Tsybulenko, V.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Model phonon spectra of Cu₇SiS₅I and Ag₇SiS₅I crystals
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vora, A.M.
Опубліковано: (2020)
Empirical prediction of thermal properties, microhardness and sound velocity of cubic zinc-blende AlN
за авторством: Daoud, S.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Daoud, S.
Опубліковано: (2019)
Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
Growth-sector dependence of morphological, structural, and optical features in boron-doped HPHT diamond crystals
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon
за авторством: Ismailov, K.А., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ismailov, K.А., та інші
Опубліковано: (2021)
Studying the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I mixed crystals by using the micro-indentation method
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Temperature dependence of dielectric properties of the liquid crystal 6CB with the embedded Ag₇GeS₅I nanoparticles
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Influence of cation substitution on the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I mixed crystals and composites on their base
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Preparation and electrical properties of composites based on (Cu₆PS₅I)₁₋ₓ(Cu₇PS₆)ₓ mixed crystals
за авторством: Izai, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Izai, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of anion substitution on electrical conductivity of composites based on liquid crystal with Cu₆PS₅X (X = I, Br) nanoparticles
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)