Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
Annealing of complex semiconductors GaP and CdP₂, irradiated at room temperature by high fluences of electrons within 1…30 MeV energy interval and 80 MeV α-particles, was carried out, and main electrical parameters (conductivity σ, carrier concentration n, and mobility µ) as well as the positron lif...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215205 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing / M. Zavada, O. Konoreva, P. Lytovchenko, V. Opilat, M. Pinkovska, O. Radkevych, V. Tartachnyk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 2. — С. 130-133. — Бібліогр.: 7 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!