Зображення обкладинки

Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments

We present the experimental and theoretical results of analysis of the optically-induced cyclotron resonance measurements carried out using the charge carriers in silicon (Si) nanostructures at 9 GHz and 4 K. Effective mass values for electrons were determined as m*el = 0.93m₀ and m*el = 0.214m₀. Th...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2018
Автори:	Savchenko, D.V., Kalabukhova, E.N., Shanina, B.D., Bagraev, N.T., Klyachkin, L.E., Malyarenko, A.M., Khromov, V.S.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Теми:	Semiconductor Physics
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215291
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments / D.V. Savchenko, E.N. Kalabukhova, B.D. Shanina, N.T. Bagraev, L.E. Klyachkin, A.M. Malyarenko, V.S. Khromov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 3. — С. 249-255. — Бібліогр.: 12 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Electron and hole effective masses in heavily boron doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: D. V. Savchenko, та інші
Опубліковано: (2018)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Growth-sector dependence of morphological, structural, and optical features in boron-doped HPHT diamond crystals
за авторством: Strelchuk, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation of chitosan
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)

EPR study of paramagnetic centers in SiO₂:C:Zn nanocomposites obtained by infiltration of fumed silica with luminescent Zn(acac)₂ solution
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: D. Prikhodko, та інші
Опубліковано: (2019)

Low temperature thermal conductivity of heavily boron-doped synthetic diamond: Influence of boron-related structure defects
за авторством: Prikhodko, D., та інші
Опубліковано: (2019)

Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Doping the thin films by using the original Close Space Sublimation method
за авторством: Khomchenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)

Conversion of Lagenaria Siceraria peel to reduced graphene oxide doped with zinc oxide nanoparticles for supercapacitor applications
за авторством: Pratheepa, M.I., та інші
Опубліковано: (2021)

Studying the properties of Gd₂O₃–WO₃–CaO–SiO₂–B₂O₃ glasses doped with Tb³⁺
за авторством: Nawarut Jarucha, та інші
Опубліковано: (2020)

Dynamics of the conductance temperature dependence for a composite based on linear polyethylene with impurity of soot and calcite
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)

Influence of intrinsic point defects and substitutional impurities (Cl, I → S) on the electronic structure of 2H-Sn₂
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)

The phenomenon of magnetic exchange bias in ferromagnetic nanocomposites grown by electron beam evaporation
за авторством: Radchenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Electronic structure, optical, and photoelectrical properties of crystalline Si₂Te₃
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)

High-temperature quantum kinetic effect in silicon nanosandwiches
за авторством: Bagraev, N.T., та інші
Опубліковано: (2017)

Non-recombination injection mode
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)

Features of the dielectric properties of medical thermal indicators based on dispersions of cholesteric liquid crystals in the polymer matrix
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Elastic properties of CdTe₁₋ₓSeₓ (x = 1/16) solid solution: First principles study
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)

Synthesis and characterisation of new potassium-containing argyrodite-type compounds
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)

Mechanical properties of superionic ceramics based on (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I solid solutions
за авторством: Bilanych, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)

Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)

Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)

New possibilities for phase-variation structural diagnostics of multiparametrical monocrystalline systems with defects
за авторством: Molodkin, V.B., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: G. P. Gaidar
Опубліковано: (2013)

Features of piezoresistance in heavily doped n-silicon crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2013)

Scintillation characteristics of heavily doped CsI:Tl, IO₃ crystals
за авторством: Shpilinskaya, A.L., та інші
Опубліковано: (2019)

Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)

Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)

Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)

Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)