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Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC

This work presents theoretical studies of the neutral divacancy, i.e., the Ky5 center that is one of the dominant defects in 3C-SiC bulk crystals subjected to relatively high doses of neutron irradiation. Being the paramagnetic center, the extended defect Ky5 shows the value of the zero field splitt...

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Bibliographische Detailangaben
Veröffentlicht in:	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Datum:	2018
Hauptverfasser:	Shanina, B.D., Bratus', V.Ya.
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2018
Schlagworte:	Semiconductor Physics
Online Zugang:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215294
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Zitieren:	Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC / B.D. Shanina, V.Ya. Bratus' // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 3. — С. 225-230. — Бібліогр.: 18 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

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