Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
The criteria for formation of an inhomogeneous structure based on vitreous Ge₂S₃ with modifiers Al, Bi, Pb, and Te that are identified due to changes in the condensed medium (evaporation temperature, condensation velocity, increasing or decreasing the intensity of the fluctuations of the active fiel...
Збережено в:
| Опубліковано в: : | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2018 |
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2018
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215325 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures / N.V. Yurkovych, M.I. Mar'yan, V. Seben // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2018. — Т. 21, № 4. — С. 365-373. — Бібліогр.: 24 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!