Зображення обкладинки

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers

Compositionally graded AlₓGa₁₋ₓN alloys with the Al concentration in the (7 ≤ x ≤ 32) range were implanted with Ar+ ions to study the structural and strain changes (strain engineering). It was shown that ion implantation leads to ~0.3…0.46% hydrostatic strains and a relatively low damage of the crys...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2019
ISSN:1560-8034
Автори: Liubchenko, O.I., Kladko, V.P., Stanchu, H.V., Sabov, T.M., Melnik, V.P., Kryvyi, S.B., Belyaev, A.Ye.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2019
Теми:
Sensors
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215418
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers / O.I. Liubchenko, V.P. Kladko, H.V. Stanchu, T.M. Sabov, V.P. Melnik, S.B. Kryvyi, A.Ye. Belyaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 1. — С. 119-129. — Бібліогр.: 40 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Схожі ресурси