Latreche, A. (2019). Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes. Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics.
Чикаго стиль цитування (17-те видання)Latreche, A. "Combination of Thermionic Emission and Tunneling Mechanisms to Analyze the Leakage Current for 4H-SiC Schottky Barrier Diodes." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics 2019.
Стиль цитування MLA (8-ме видання)Latreche, A. "Combination of Thermionic Emission and Tunneling Mechanisms to Analyze the Leakage Current for 4H-SiC Schottky Barrier Diodes." Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics, 2019.
Попередження: стилі цитування не завжди правильні на всі 100%.