Formation of nanocrystals and their properties during tin-induced and laser light-stimulated crystallization of amorphous silicon
The effect of laser light intensity and temperature on the induced tin crystallization of amorphous silicon has been investigated using the methods of Raman scattering and optical microscopy. The existence of non-thermal mechanisms of the laser light influence on the formation of silicon nanocrystal...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215463 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Formation of nanocrystals and their properties during tin-induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon / V.B. Neimash, A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, P.Ye. Shepeliavyi, P.M. Litvinchuk, V.V. Melnyk, I.V. Olhovik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 2. — С. 206-214. — Бібліогр.: 30 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineБудьте першим, хто залишить коментар!