Formation of nanocrystals and their properties during tin-induced and laser light-stimulated crystallization of amorphous silicon

The effect of laser light intensity and temperature on the induced tin crystallization of amorphous silicon has been investigated using the methods of Raman scattering and optical microscopy. The existence of non-thermal mechanisms of the laser light influence on the formation of silicon nanocrystal...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2019
Автори: Neimash, V.B., Nikolenko, A.S., Strelchuk, V.V., Shepeliavyi, P.Ye., Litvinchuk, P.M., Melnyk, V.V., Olhovik, I.V.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2019
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215463
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:Formation of nanocrystals and their properties during tin-induced and laser light stimulated crystallization of amorphous silicon / V.B. Neimash, A.S. Nikolenko, V.V. Strelchuk, P.Ye. Shepeliavyi, P.M. Litvinchuk, V.V. Melnyk, I.V. Olhovik // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 2. — С. 206-214. — Бібліогр.: 30 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine