Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
In this paper, a review of microwave avalanche transit-time diode (IMPATT diode) structures has been presented. The structure of an IMPATT diode with a sharp p-n junction on Si has been considered, and the functions of the ohmic contacts have been shown. Physical and technical requirements for conta...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215465 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes / Ya.Ya. Kudryk, V.S. Slipokurov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 2. — С. 193-200. — Бібліогр.: 39 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk, та інші
Опубліковано: (2019)
Peculiarities of the study of Au-Ti-Pd-n⁺-n-n⁺-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2019)
Method for data processing in application to ohmic contacts
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2019)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: P. M. Romanets, та інші
Опубліковано: (2019)
Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
Combination of thermionic emission and tunneling mechanisms to analyze the leakage current for 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2015)
Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Belyaev, A.E., та інші
Опубліковано: (2008)
Phase transition in vanadium oxide films formed by multistep deposition
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kladko, V.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: Marki, R., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Marki, R., та інші
Опубліковано: (2020)
Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Operating modes of avalanche-generator diodes of microwave range
за авторством: P. P. Maksimov
Опубліковано: (2016)
за авторством: P. P. Maksimov
Опубліковано: (2016)
Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: A. E. Belyaev, та інші
Опубліковано: (2015)
Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)
Dynamics of two-frequency avalanche-generator diodes of microwave range
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: K. A. Lukin, та інші
Опубліковано: (2015)
Influence of the mirror image forces on dispersion and phonon acoustic mode width of quasi-Rayleigh wave interacting with the adsorbed atoms
за авторством: Seneta, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Seneta, M.Ya., та інші
Опубліковано: (2018)
Doping the thin films by using the original Close Space Sublimation method
за авторством: Khomchenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Khomchenko, V.S., та інші
Опубліковано: (2020)
Energy of interaction between polarons and spatial configuration of bipolaron in two-dimensional systems
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kashirina, N.I., та інші
Опубліковано: (2020)
New technological possibilities to prepare InP epitaxial layers, as well as ohmic and barrier contacts to them, and the properties of microwave diodes made on their basis
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Arsentyev, I.N., та інші
Опубліковано: (2005)
Influence of cation substitution on the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I mixed crystals and composites on their base
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Studying the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I mixed crystals by using the micro-indentation method
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Model research of phonon spectra of argyrodites family
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Model phonon spectra of Cu₇SiS₅I and Ag₇SiS₅I crystals
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Mechanical properties of superionic ceramics based on (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I solid solutions
за авторством: Bilanych, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Bilanych, V.S., та інші
Опубліковано: (2021)
EPR study of paramagnetic centers in SiO₂:C:Zn nanocomposites obtained by infiltration of fumed silica with luminescent Zn(acac)₂ solution
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
The phenomenon of magnetic exchange bias in ferromagnetic nanocomposites grown by electron beam evaporation
за авторством: Radchenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Radchenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n⁺-n-n⁺-Si in IMPATT diodes
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Romanets, P.M., та інші
Опубліковано: (2016)
Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
за авторством: Ya. Ya. Kudryk
Опубліковано: (2015)
Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)