Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
It has been shown that the density of surface states at the interface of the Al-Al₂O₃–p-CdTe–Mo structure is sufficiently low. It was found that at the interface, being in the thermodynamically equilibrium state, there is a bend of the edge of the allowed bands, as evidenced by the values of the sur...
Збережено в:
| Дата: | 2019 |
|---|---|
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215469 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe / A.K. Uteniyazov, K.A. Ismailov // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 2. — С. 165-170. — Бібліогр.: 15 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of ultrasound treatment on the electro-physical properties of the structure of Al-Al2O3-p-CdTe
за авторством: A. K. Uteniyazov, та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: A. K. Uteniyazov, та інші
Опубліковано: (2019)
Elastic properties of CdTe₁₋ₓSeₓ (x = 1/16) solid solution: First principles study
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Ilchuk, H.A., та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon
за авторством: Saparniyazova, Z.M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Saparniyazova, Z.M., та інші
Опубліковано: (2021)
The mechanism of current transport in the structure Al-p-CdTe-Mo with different thickness of the base
за авторством: Mirsagatov, Sh.A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Mirsagatov, Sh.A., та інші
Опубліковано: (2015)
Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Non-recombination injection mode
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2021)
Empirical prediction of thermal properties, microhardness and sound velocity of cubic zinc-blende AlN
за авторством: Daoud, S.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Daoud, S.
Опубліковано: (2019)
Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Nature and kinetics of paramagnetic defects in chitosan induced by beta-irradiation of chitosan
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Konchits, A.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Гетероструктури n-ZnO:Al/porous-CdTe/p-CdTe в якості фотоелектричних перетворювачів
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Дяденчук, А.Ф., та інші
Опубліковано: (2017)
Electronic structure, optical, and photoelectrical properties of crystalline Si₂Te₃
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bletskan, D.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Effect of defects originating under the proton irradiation on the electrophysical and detector properties of CdTe:Cl and CdZnTe
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kondrik, A.I.
Опубліковано: (2021)
Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon
за авторством: Ismailov, K.А., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Ismailov, K.А., та інші
Опубліковано: (2021)
Current-voltage characteristics of the injection photodetector based on M(In)-CdS-Si-M(In) structure
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sapaev, I.B., та інші
Опубліковано: (2019)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Studying the properties of Gd₂O₃–WO₃–CaO–SiO₂–B₂O₃ glasses doped with Tb³⁺
за авторством: Nawarut Jarucha, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Nawarut Jarucha, та інші
Опубліковано: (2020)
Properties of nanosized ZnO:Ho films deposited using explosive evaporation
за авторством: Kаsumov, А.М., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kаsumov, А.М., та інші
Опубліковано: (2021)
Dose dependence of tensoresistance for the symmetrical orientation of the deformation axis relatively to all isoenergetic ellipsoids in γ-irradiated (⁶⁰Co) n-Si crystals
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Gaidar, G.P.
Опубліковано: (2018)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Conduction mechanisms of the reverse leakage current of β-Ga₂O₃ Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2019)
Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
EPR study of paramagnetic centers in SiO₂:C:Zn nanocomposites obtained by infiltration of fumed silica with luminescent Zn(acac)₂ solution
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Features of a shock wave in CdTe by pulsed laser irradiation
за авторством: B. K. Dauletmuratov
Опубліковано: (2011)
за авторством: B. K. Dauletmuratov
Опубліковано: (2011)
Features of a shock wave in CdTe by pulsed laser irradiation
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Dauletmuratov, B.K.
Опубліковано: (2011)
Influence of cation substitution on the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeSe₅I mixed crystals and composites on their base
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bendak, A.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Conductivity of molecular semiconductor material based on monomeric and polymeric methacroylacetophenone
за авторством: Berezhnytska, O.S., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Berezhnytska, O.S., та інші
Опубліковано: (2019)
Studying the mechanical properties of (Cu₁₋ₓAgₓ)₇GeS₅I mixed crystals by using the micro-indentation method
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Electrical and photoelectric properties of heterostructures NiO/p-CdTe and NiO/n-CdTe
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: G. P. Parkhomenko, та інші
Опубліковано: (2016)
Influence of g-irradiation on photoluminescence spectra of CdTe:Cl
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2002)
за авторством: Vakhnyak, N.D., та інші
Опубліковано: (2002)
Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)