Empirical prediction of thermal properties, microhardness and sound velocity of cubic zinc-blende AlN
Based on some empirical formulas and some data reported in the literature, this contribution aims to study the correlation between several physical properties of cubic zincblende aluminium nitride (c-AlN) semiconducting material. So, we report an empirical prediction at room temperature of the Debye...
Збережено в:
| Опубліковано в: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Дата: | 2019 |
| ISSN: | 1560-8034 |
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2019
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215591 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Цитувати: | Empirical prediction of thermal properties, microhardness and sound velocity of cubic zinc-blende AlN / S. Daoud // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2019. — Т. 22, № 4. — С. 404-409. — Бібліогр.: 43 назв. — англ. |
Репозитарії
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of UkraineСхожі ресурси
Empirical prediction of thermal properties, microhardness and sound velocity of cubic zinc-blende AlN
за авторством: S. Daoud
Опубліковано: (2019)
за авторством: S. Daoud
Опубліковано: (2019)
Conversion of Lagenaria Siceraria peel to reduced graphene oxide doped with zinc oxide nanoparticles for supercapacitor applications
за авторством: Pratheepa, M.I., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Pratheepa, M.I., та інші
Опубліковано: (2021)
Features of current transport in Al–Al₂O₃–-CdTe–Mo structure
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)
Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)
Rotation of a thin heated plate caused by its own coherent thermal radiation
за авторством: Pipa, V.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Pipa, V.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Thin dysprosium oxide films formed by rapid thermal annealing on porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Features of the dielectric properties of medical thermal indicators based on dispersions of cholesteric liquid crystals in the polymer matrix
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)
Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)
Crystal structure and electrical properties of Ag₆PS₅I single crystal
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Dielectric properties of nematic liquid crystal with impurities of supramolecular Ni-TMTAA-TCNQ complexes
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Vovk, V.E., та інші
Опубліковано: (2020)
Account of surface contribution to the thermodynamic properties of lead selenide films
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Nykyruy, L.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Diffusion properties of electrons in GaN crystals subjected to electric and magnetic fields
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Syngaivska, G.I., та інші
Опубліковано: (2018)
Modified expressions of field and thermionic-field emission for Schottky barrier diodes in the reverse regime
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2021)
Comparative characteristics of TiO₂(Er₂O₃, Dy₂O₃)/por-SiC/SiC heterostructures (Review)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)
Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)
Model phonon spectra of Cu₇SiS₅I and Ag₇SiS₅I crystals
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Reduction of reverse leakage current at the TiO₂/GaN interface in field plate Ni/Au/-GaN Schottky diodes
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Shashikala, B.N., та інші
Опубліковано: (2021)
Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Nanostructured SiC as a promising material for the cold electron emitters
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Goriachko, A.M., та інші
Опубліковано: (2021)
Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)
Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)
Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)
Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)
Influence of anion substitution on electrical conductivity of composites based on liquid crystal with Cu₆PS₅X (X = I, Br) nanoparticles
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2019)
Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)
Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Electrical properties of cation-substituted Ag₇(Si₁₋ₓGeₓ)S₅I single crystals
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Studenyak, I.P., та інші
Опубліковано: (2021)
Sensory features of thiacalix[4]arene molecules towards volatile halogen-aromatic compounds
за авторством: Kazantseva, Z.I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Kazantseva, Z.I., та інші
Опубліковано: (2020)
Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)
Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)
Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)
Features of structural changes in mosaic Ge:Sb according to X-ray diffractometry and electron backscatter diffraction data
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Borcha, M.D., та інші
Опубліковано: (2019)
1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)
Dynamics of the conductance temperature dependence for a composite based on linear polyethylene with impurity of soot and calcite
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Poberezhets, S.I., та інші
Опубліковано: (2019)
Studying the properties of Gd₂O₃–WO₃–CaO–SiO₂–B₂O₃ glasses doped with Tb³⁺
за авторством: Nawarut Jarucha, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Nawarut Jarucha, та інші
Опубліковано: (2020)
Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)