Зображення обкладинки

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon

In this paper, we showed that the effective lifetime of minority charge carriers in double-sided macroporous silicon is determined from a system of two transcendental equations. This system of equations is transformed into a system of equations for determining the effective lifetime of minority char...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2020
Автори:	Onyshchenko, V.F., Karachevtseva, L.A.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Теми:	Semiconductor Physics
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215666
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon / V.F. Onyshchenko, L.A. Karachevtseva // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 1. — С. 29-36. — Бібліогр.: 15 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of pore depth on the effective minority carrier lifetime in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2019)

Effective minority carrier lifetime and distribution of steady-state excess minority carriers in macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Relaxation of excess minority carrier distribution in macroporous silicon
за авторством: L. A. Karachevtseva, та інші
Опубліковано: (2018)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2017)

Effective lifetime of minority carriers in black silicon nano-textured by cones and pyramids
за авторством: V. F. Onyshchenko, та інші
Опубліковано: (2017)

Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: Marki, R., та інші
Опубліковано: (2020)

Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon
за авторством: Saparniyazova, Z.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Characterization of nano-bio silicon carbide
за авторством: Vlaskina, S.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Electron and hole effective masses in heavily boron-doped silicon nanostructures determined using cyclotron resonance experiments
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Photoeffect Peculiarities in Macroporous Silicon Structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2010)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)

Thermal annealing ambiance effect on phosphorus passivation and reactivation mechanisms in silicon-based Schottky diodes hydrogenated by MW-ECR plasma
за авторством: Belfennache, D., та інші
Опубліковано: (2021)

Key parameters of commercial silicon solar cells with rear metallization
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of electrically neutral nickel atoms on electrical and recombination parameters of silicon
за авторством: Bakhadyrkhanov, M.K., та інші
Опубліковано: (2020)

Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
за авторством: Leyderman, A.Yu., та інші
Опубліковано: (2020)

Photoconductivity relaxation and electron transport in macroporous silicon structures
за авторством: Karachevtseva, L.A., та інші
Опубліковано: (2017)

Current and electroluminescence intensity oscillations under bipolar lateral electric transport in the double-GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
за авторством: Vinoslavskii, M.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Formation of complexes consisting of impurity Mn atoms and group VI elements in the crystal lattice of silicon
за авторством: Ismailov, K.А., та інші
Опубліковано: (2021)

Calculation of spin-Hamiltonian constants for extended defects (Vsᵢ-Vc)⁰ (Ky5) in silicon carbide polytype 3C-SiC
за авторством: Shanina, B.D., та інші
Опубліковано: (2018)

Distribution of photocarriers in macroporous silicon in case of the spatially inhomogeneous generation of charge carriers
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2016)

Taking the Coulomb effects into account in the reactions of one-electron charge exchange
за авторством: Lazur, V.Yu., та інші
Опубліковано: (2019)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)

Dependence of minority charge carriers lifetime on point defects type and their concentration in single-crystal silicon
за авторством: Zaitsev, R.V., та інші
Опубліковано: (2011)

Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
за авторством: Latreche, A.
Опубліковано: (2020)

The phenomenon of magnetic exchange bias in ferromagnetic nanocomposites grown by electron beam evaporation
за авторством: Radchenko, M.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Photoconductivity in macroporous silicon with regular structure of macropores
за авторством: Ivanov, V.I., та інші
Опубліковано: (2007)

Peculiarities of specular infrared reflection spectra of ZnO-based ceramics
за авторством: Melnichuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Electronic and optical properties of β-HgS
за авторством: Akinlami, J.O., та інші
Опубліковано: (2019)

Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)

Photoconductivity in bilateral macroporous silicon
за авторством: V. F. Onyshchenko
Опубліковано: (2022)

Properties of nanosized ZnO:Ho films deposited using explosive evaporation
за авторством: Kаsumov, А.М., та інші
Опубліковано: (2021)

Model research of phonon spectra of argyrodites family
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2018)

Model phonon spectra of Cu₇SiS₅I and Ag₇SiS₅I crystals
за авторством: Nebola, I.I., та інші
Опубліковано: (2020)

Mechanical properties of Cu₆PS₅І superionic crystals and thin films
за авторством: Bilanych, V.V., та інші
Опубліковано: (2019)

EPR study of paramagnetic centers in SiO₂:C:Zn nanocomposites obtained by infiltration of fumed silica with luminescent Zn(acac)₂ solution
за авторством: Savchenko, D.V., та інші
Опубліковано: (2021)

Features of electrochemical processes at the boundary p-GaAs-HF water solution
за авторством: Pashchenko, G.A., та інші
Опубліковано: (2018)