Зображення обкладинки

Shunt current in InAs diffused photodiodes

The shunt current has been investigated in ⁺- type InAs diffused photodiodes. The mesastructures were prepared by etching in Br₂-HBr solution and sequentially etched in CP-4 and in a lactic acid-based etchant. The surface of mesastructures was passivated in an alcohol solution of Na₂S. After each ch...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2020
Автори:	Sukach, A.V., Tetyorkin, V.V., Tkachuk, A.I.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Теми:	Sensors
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215708
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Shunt current in InAs diffused photodiodes / A.V. Sukach, V.V. Tetyorkin, A.I. Tkachuk // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 2. — С. 208-213. — Бібліогр.: 23 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

Shunt current in InAs diffused photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2020)

Dark current and 1/f noise in forward-biased InAs photodiodes
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2021)

InAs photodiodes (review)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2015)

Tunneling current via dislocations in InAs and InSb infrared photodiodes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

InAs photodiodes (Review. Part IV)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2018)

Reduced graphene oxide obtained using the spray pyrolysis technique for gas sensing
за авторством: Slobodian, O.M., та інші
Опубліковано: (2019)

Studying the optical characteristics of aviation fuel samples stored under various conditions
за авторством: Andrieiev, O.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Comparison of properties inherent to thin titanium oxide films formed by rapid thermal annealing on SiC and porous SiC substrates
за авторством: Bacherikov, Yu.Yu., та інші
Опубліковано: (2018)

Localized surface plasmon resonance nanochips with molecularly imprinted polymer coating for explosives sensing
за авторством: Chegel, V.I., та інші
Опубліковано: (2020)

The role of shear modulus and viscosity of thin organic films on the adsorption response of QCM sensors
за авторством: Kazantseva, Z.I., та інші
Опубліковано: (2018)

The effect of ion implantation on structural damage in compositionally graded AlGaN layers
за авторством: Liubchenko, O.I., та інші
Опубліковано: (2019)

Diagnostics of cattle leucosis by using a biosensor based on the surface plasmon resonance phenomenon
за авторством: Klestova, Z.S., та інші
Опубліковано: (2019)

Vitamin B12-functionalized patterned Si surface for solar energy conversion
за авторством: Smertenko, P.S., та інші
Опубліковано: (2018)

Quantum efficiency improvement of optical radiation trap-detectors
за авторством: Tatyanko, D.N., та інші
Опубліковано: (2019)

Nonmonotonic (in concentration) conductivity of aqueous solutions of fungal melanin
за авторством: Kovalchuk, O.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part I)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

InSb Photodiodes (Review, Part II)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Reverse current-voltage characteristics and carrier transport mechanisms in InAs photodi-odes
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2011)

Peculiarities of manufacture, electrical and photoelectrical properties of diffusion Gep-i-n- photodiodes
за авторством: V. P. Maslov, та інші
Опубліковано: (2018)

Trotsenko. InSb photodiodes (Review. Part III)
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2017)

Spectral photosensitivity of diffused Ge-p–i–n photodiods
за авторством: A. V. Fedorenko
Опубліковано: (2020)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2013)

Influence of alternating current on the current states of a quantum interferometer shunted by superconducting inductance
за авторством: S. I. Link, та інші
Опубліковано: (2018)

Study of the piezoelectric sensor KD-35 properties on the calibration device by the method of external pulse and on a real Earth track
за авторством: Shcherbina, S.V., та інші
Опубліковано: (2016)

Information technology to ensure the survivability of sensor networks
за авторством: Petrivskyi, V.Y., та інші
Опубліковано: (2022)

Electrical properties of InSb p-n junctions prepared by diffusion methods
за авторством: A. V. Sukach, та інші
Опубліковано: (2016)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in reverse biased InSb p-n junctions
за авторством: Sukach, A.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Study on the formation of current characteristics of a silicon photodiode with rectifying barriers
за авторством: A. V. Karimov, та інші
Опубліковано: (2013)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: A. Sukach, та інші
Опубліковано: (2014)

Carrier transport mechanisms in InSb diffusion p-n junctions
за авторством: Sukach, A., та інші
Опубліковано: (2014)

InAs фотодіоди (огляд)
за авторством: Сукач, А.В., та інші
Опубліковано: (2015)

Space vector control of shunt active filters
за авторством: V. V. Chopyk, та інші
Опубліковано: (2013)

Heterostructure infrared photodiodes
за авторством: Rogalski, A.
Опубліковано: (2000)

Modern gravimeters of aviation gravimetric system
за авторством: Bezvesilnaya, E., та інші
Опубліковано: (2015)

Development of a detection block of a combined mode scintillator-photodiode system (counting-current) for azimuthal detecting complexes
за авторством: Nekrasov, V.V., та інші
Опубліковано: (2004)

Characterization of grain boundaries in CdTe polycrystalline films
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2015)

Injection current and infrared photosensitivity in isotype p-PbTe/p-CdTe heterojunctions
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2013)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)