High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings

IR light absorption oscillations in 2D macroporous silicon with CdTe, ZnO, and CdS surface nanocrystals, microporous, and SiO₂ layers were compared, taking into account the electro-optical Wannier–Stark effect. We proposed a high-coherent optical quantum computer based on ZnO nanoparticles on macrop...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:2020
Автори: Karachevtseva, L.A., Lytvynenko, O.O.
Формат: Стаття
Мова:Англійська
Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Теми:
Онлайн доступ:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215850
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings / L.A. Karachevtseva, O.O. Lytvynenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 316-322. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862654475107303424
author Karachevtseva, L.A.
Lytvynenko, O.O.
author_facet Karachevtseva, L.A.
Lytvynenko, O.O.
citation_txt High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings / L.A. Karachevtseva, O.O. Lytvynenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 316-322. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
description IR light absorption oscillations in 2D macroporous silicon with CdTe, ZnO, and CdS surface nanocrystals, microporous, and SiO₂ layers were compared, taking into account the electro-optical Wannier–Stark effect. We proposed a high-coherent optical quantum computer based on ZnO nanoparticles on macroporous silicon surface with the broadening parameter of the Wannier–Stark steps of 10⁻³ and the IR oscillation coherence of 0.250.4% at room temperature. This value is much less than the coherence of cold atoms (5%) and diamond crystal with the nitrogen impurity (10–17%). A logical qubit of this quantum computer is the presence/absence of the infinite resonance scattering of oscillated electron by the Wannier levels in the electric field at the silicon matrix – nanocoating boundary. The scattering amplitudes are controlled and measured at room temperature by using the resonant maxima of IR absorption. Одним з перспективних матеріалів для розробки двовимірних фотонних структур є макропористий кремній, отриманий за допомогою фотоанодного травлення. Наявність періодично розташованих циліндричних пор, розділених кремнієвими колонами, забезпечує велику ефективну поверхню структур, покращує оптичні та фотофізичні характеристики макропористого кремнію. У даній роботі досліджено осциляції ІЧ-поглинання двовимірними структурами макропористого кремнію з мікропористими шарами кремнію, SiO₂ нанопокриттями та CdTe, ZnO поверхневими нанокристалами з урахуванням електрооптичного ефекту Ваньє–Штарка. Аналіз експериментальних спектрів поглинання здійснено в рамках моделі резонансного розсіювання електронів з нескінченною амплітудою на поверхневих станах у сильному електричному полі, з різницею між двома резонансними енергіями, що дорівнює сходинці Ваньє–Штарка. Постійність періоду осциляцій вказує на реалізацію ефекту Ваньє–Штарка на довільно розподілених поверхневих станах на межі «кремнійно-нанопокриття». Проведено порівняння ІЧ-поглинання світла в 2D-структурах макропористого кремнію з поверхневими нанопокриттями, проаналізовано зрушення і відхилення вершин коливань. Когерентність осциляцій ІЧ-спектрів підвищується в результаті зменшення концентрації поверхневих станів та оптимальної площі контакту нанокристалів до поверхні макропор. Таким чином, зсув осциляцій для наночастинок ZnO з оптимальним розміром нанокристалів (3,7…4,4 нм) призводить до відхилень коливань у межах 0,26…0,42 меВ, тобто узгодженість коливань досягає 0,25…0,4%. Малий параметр уширення сходинок Ваньє–Штарка Г = 0,3…0,8 см⁻¹ дорівнює цьому параметру для поверхневих тонких плівок напівпровідників II–VI. Контрольованість і когерентність дослідженої системи визначаються формуванням когерентних рівнів Ваньє у вузькій трикутній потенціальній ямі, сформованій в електричному полі на границі «кремній–нанопокриття». У результаті було запропоновано висококогерентний оптичний квантовий комп’ютер на основі реалізації квантового електрооптичного ефекту Ваньє–Штарка на кремнієвій матриці з макропорами та шаром нанокристалів на поверхні макропор.
first_indexed 2026-04-16T18:55:33Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215850
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1560-8034
language English
last_indexed 2026-04-16T18:55:33Z
publishDate 2020
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Karachevtseva, L.A.
Lytvynenko, O.O.
2026-03-30T13:34:54Z
2020
High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings / L.A. Karachevtseva, O.O. Lytvynenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 316-322. — Бібліогр.: 20 назв. — англ.
1560-8034
PACS: 71.70.Ej, 78.20.Jq
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215850
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.316
IR light absorption oscillations in 2D macroporous silicon with CdTe, ZnO, and CdS surface nanocrystals, microporous, and SiO₂ layers were compared, taking into account the electro-optical Wannier–Stark effect. We proposed a high-coherent optical quantum computer based on ZnO nanoparticles on macroporous silicon surface with the broadening parameter of the Wannier–Stark steps of 10⁻³ and the IR oscillation coherence of 0.250.4% at room temperature. This value is much less than the coherence of cold atoms (5%) and diamond crystal with the nitrogen impurity (10–17%). A logical qubit of this quantum computer is the presence/absence of the infinite resonance scattering of oscillated electron by the Wannier levels in the electric field at the silicon matrix – nanocoating boundary. The scattering amplitudes are controlled and measured at room temperature by using the resonant maxima of IR absorption.
Одним з перспективних матеріалів для розробки двовимірних фотонних структур є макропористий кремній, отриманий за допомогою фотоанодного травлення. Наявність періодично розташованих циліндричних пор, розділених кремнієвими колонами, забезпечує велику ефективну поверхню структур, покращує оптичні та фотофізичні характеристики макропористого кремнію. У даній роботі досліджено осциляції ІЧ-поглинання двовимірними структурами макропористого кремнію з мікропористими шарами кремнію, SiO₂ нанопокриттями та CdTe, ZnO поверхневими нанокристалами з урахуванням електрооптичного ефекту Ваньє–Штарка. Аналіз експериментальних спектрів поглинання здійснено в рамках моделі резонансного розсіювання електронів з нескінченною амплітудою на поверхневих станах у сильному електричному полі, з різницею між двома резонансними енергіями, що дорівнює сходинці Ваньє–Штарка. Постійність періоду осциляцій вказує на реалізацію ефекту Ваньє–Штарка на довільно розподілених поверхневих станах на межі «кремнійно-нанопокриття». Проведено порівняння ІЧ-поглинання світла в 2D-структурах макропористого кремнію з поверхневими нанопокриттями, проаналізовано зрушення і відхилення вершин коливань. Когерентність осциляцій ІЧ-спектрів підвищується в результаті зменшення концентрації поверхневих станів та оптимальної площі контакту нанокристалів до поверхні макропор. Таким чином, зсув осциляцій для наночастинок ZnO з оптимальним розміром нанокристалів (3,7…4,4 нм) призводить до відхилень коливань у межах 0,26…0,42 меВ, тобто узгодженість коливань досягає 0,25…0,4%. Малий параметр уширення сходинок Ваньє–Штарка Г = 0,3…0,8 см⁻¹ дорівнює цьому параметру для поверхневих тонких плівок напівпровідників II–VI. Контрольованість і когерентність дослідженої системи визначаються формуванням когерентних рівнів Ваньє у вузькій трикутній потенціальній ямі, сформованій в електричному полі на границі «кремній–нанопокриття». У результаті було запропоновано висококогерентний оптичний квантовий комп’ютер на основі реалізації квантового електрооптичного ефекту Ваньє–Штарка на кремнієвій матриці з макропорами та шаром нанокристалів на поверхні макропор.
en
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Optics
High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings
Висококогерентні осциляції в ІЧ-спектрах макропористого кремнію з нанопокриттями
Article
published earlier
spellingShingle High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings
Karachevtseva, L.A.
Lytvynenko, O.O.
Optics
title High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings
title_alt Висококогерентні осциляції в ІЧ-спектрах макропористого кремнію з нанопокриттями
title_full High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings
title_fullStr High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings
title_full_unstemmed High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings
title_short High-coherent oscillations in IR spectra of macroporous silicon with nanocoatings
title_sort high-coherent oscillations in ir spectra of macroporous silicon with nanocoatings
topic Optics
topic_facet Optics
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215850
work_keys_str_mv AT karachevtsevala highcoherentoscillationsinirspectraofmacroporoussiliconwithnanocoatings
AT lytvynenkooo highcoherentoscillationsinirspectraofmacroporoussiliconwithnanocoatings
AT karachevtsevala visokokogerentníoscilâcíívíčspektrahmakroporistogokremníûznanopokrittâmi
AT lytvynenkooo visokokogerentníoscilâcíívíčspektrahmakroporistogokremníûznanopokrittâmi