Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2020
• Автори: Leyderman, A.Yu., Uteniyazov, A.K., Nsanbaev, M.T.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
• Теми: Semiconductor Physics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215854
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity / A.Yu. Leyderman, A.K. Uteniyazov, M.T. Nsanbaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 290-293. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

The recombination rate of non-equilibrium carriers has been calculated for the model of the semiconductor with donor-acceptor pairs, the recombination activity of which decreases during excitation. It has been shown that, even at a very low inertia of intracomplex exchange, this process can lead to decreasing the recombination rate. The obtained results demonstrate a principal distinction from the classical Shockley–Read statistics. Швидкість рекомбінації нерівноважних носіїв була розрахована для моделі напівпровідника з донорно-акцепторними парами, активність рекомбінації яких знижується під час збудження. Було показано, що навіть при дуже низькій інерційності внутрішньокомплексного обміну цей процес може призвести до зниження швидкості рекомбінації. Отримані результати демонструють принципову відмінність від класичної статистики Шоклі–Ріда.