Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity
The recombination rate of non-equilibrium carriers has been calculated for the model of the semiconductor with donor-acceptor pairs, the recombination activity of which decreases during excitation. It has been shown that, even at a very low inertia of intracomplex exchange, this process can lead to...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2020 |
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215854 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity / A.Yu. Leyderman, A.K. Uteniyazov, M.T. Nsanbaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 290-293. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862536421255938048 |
|---|---|
| author | Leyderman, A.Yu. Uteniyazov, A.K. Nsanbaev, M.T. |
| author_facet | Leyderman, A.Yu. Uteniyazov, A.K. Nsanbaev, M.T. |
| citation_txt | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity / A.Yu. Leyderman, A.K. Uteniyazov, M.T. Nsanbaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 290-293. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | The recombination rate of non-equilibrium carriers has been calculated for the model of the semiconductor with donor-acceptor pairs, the recombination activity of which decreases during excitation. It has been shown that, even at a very low inertia of intracomplex exchange, this process can lead to decreasing the recombination rate. The obtained results demonstrate a principal distinction from the classical Shockley–Read statistics.
Швидкість рекомбінації нерівноважних носіїв була розрахована для моделі напівпровідника з донорно-акцепторними парами, активність рекомбінації яких знижується під час збудження. Було показано, що навіть при дуже низькій інерційності внутрішньокомплексного обміну цей процес може призвести до зниження швидкості рекомбінації. Отримані результати демонструють принципову відмінність від класичної статистики Шоклі–Ріда.
|
| first_indexed | 2026-04-15T11:39:08Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215854 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-15T11:39:08Z |
| publishDate | 2020 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Leyderman, A.Yu. Uteniyazov, A.K. Nsanbaev, M.T. 2026-03-30T13:35:57Z 2020 Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity / A.Yu. Leyderman, A.K. Uteniyazov, M.T. Nsanbaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 290-293. — Бібліогр.: 6 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 72.10.-d, 73.61.Ga, 73.40.Sx https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215854 https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.290 The recombination rate of non-equilibrium carriers has been calculated for the model of the semiconductor with donor-acceptor pairs, the recombination activity of which decreases during excitation. It has been shown that, even at a very low inertia of intracomplex exchange, this process can lead to decreasing the recombination rate. The obtained results demonstrate a principal distinction from the classical Shockley–Read statistics. Швидкість рекомбінації нерівноважних носіїв була розрахована для моделі напівпровідника з донорно-акцепторними парами, активність рекомбінації яких знижується під час збудження. Було показано, що навіть при дуже низькій інерційності внутрішньокомплексного обміну цей процес може призвести до зниження швидкості рекомбінації. Отримані результати демонструють принципову відмінність від класичної статистики Шоклі–Ріда. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor Physics Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity Статистика рекомбінації нерівноважних носіїв у моделі напівпровідника з донорно-акцепторними парами зі змінною активністю рекомбінації Article published earlier |
| spellingShingle | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity Leyderman, A.Yu. Uteniyazov, A.K. Nsanbaev, M.T. Semiconductor Physics |
| title | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity |
| title_alt | Статистика рекомбінації нерівноважних носіїв у моделі напівпровідника з донорно-акцепторними парами зі змінною активністю рекомбінації |
| title_full | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity |
| title_fullStr | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity |
| title_full_unstemmed | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity |
| title_short | Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity |
| title_sort | recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity |
| topic | Semiconductor Physics |
| topic_facet | Semiconductor Physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215854 |
| work_keys_str_mv | AT leydermanayu recombinationstatisticsofnonequilibriumcarriersinthemodelofasemiconductorwithdonoracceptorpairspossessingvariablerecombinationactivity AT uteniyazovak recombinationstatisticsofnonequilibriumcarriersinthemodelofasemiconductorwithdonoracceptorpairspossessingvariablerecombinationactivity AT nsanbaevmt recombinationstatisticsofnonequilibriumcarriersinthemodelofasemiconductorwithdonoracceptorpairspossessingvariablerecombinationactivity AT leydermanayu statistikarekombínacíínerívnovažnihnosíívumodelínapívprovídnikazdonornoakceptornimiparamizízmínnoûaktivnístûrekombínacíí AT uteniyazovak statistikarekombínacíínerívnovažnihnosíívumodelínapívprovídnikazdonornoakceptornimiparamizízmínnoûaktivnístûrekombínacíí AT nsanbaevmt statistikarekombínacíínerívnovažnihnosíívumodelínapívprovídnikazdonornoakceptornimiparamizízmínnoûaktivnístûrekombínacíí |