Зображення обкладинки

Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity

The recombination rate of non-equilibrium carriers has been calculated for the model of the semiconductor with donor-acceptor pairs, the recombination activity of which decreases during excitation. It has been shown that, even at a very low inertia of intracomplex exchange, this process can lead to...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Опубліковано в: :	Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Дата:	2020
Автори:	Leyderman, A.Yu., Uteniyazov, A.K., Nsanbaev, M.T.
Формат:	Стаття
Мова:	Англійська
Опубліковано:	Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Теми:	Semiconductor Physics
Онлайн доступ:	https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215854
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Цитувати:	Recombination statistics of non-equilibrium carriers in the model of a semiconductor with donor-acceptor pairs possessing variable recombination activity / A.Yu. Leyderman, A.K. Uteniyazov, M.T. Nsanbaev // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 290-293. — Бібліогр.: 6 назв. — англ.

Репозитарії

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine

Схожі ресурси

The influence of charge carrier relaxation on spectra of donor-acceptor recombination taking into account Coulomb correlations
за авторством: N. A. Bogoslovskij, та інші
Опубліковано: (2019)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2018)

Influence of inter-electron scattering on the form of the non-equilibrium distribution function of band carriers
за авторством: Boiko, I.I.
Опубліковано: (2019)

Emission characteristics of donor-acceptor pairs in ZnSe and CdS crystals
за авторством: Oleshko, V.I., та інші
Опубліковано: (2011)

Recombination of non-equilibrium charge carriers injected into Ge through intermediate defective layer
за авторством: Nadtochiy, V., та інші
Опубліковано: (2005)

Investigation of conformational changes in proteins using donor-acceptor pair of fluorescent probes
за авторством: I. V. Govor
Опубліковано: (2015)

Effect of ultrasound irradiation on the electro-physical properties of the structure of Al-Al₂O₃-CdTe
за авторством: Uteniyazov, A.K., та інші
Опубліковано: (2019)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Recombination and trapping of excess carriers in n-InSb
за авторством: V. V. Tetyorkin, та інші
Опубліковано: (2024)

Exciton-enhanced recombination in silicon at high concentrations of charge carriers
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2000)

Effect of different parameters on the carrier mobility in NWTFET
за авторством: Marki, R., та інші
Опубліковано: (2020)

Analysis of the near-band-edge luminescence of semiconductors containing isolated and bound shallow acceptors and donors
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2002)

Effect of the diffusion temperature on the interaction of clusters with impurity atoms in silicon
за авторством: Saparniyazova, Z.M., та інші
Опубліковано: (2021)

Cyclotron radiation of semiconductor crystals
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Effective minority carrier lifetime in double-sided macroporous silicon
за авторством: Onyshchenko, V.F., та інші
Опубліковано: (2020)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: Kondratenko, S.V.
Опубліковано: (2015)

Recombination of charge carriers in heterostructures with Ge nanoislands grown on Si(100)
за авторством: S. V. Kondratenko
Опубліковано: (2015)

Features of charge pairs recombination in the track regions of organic solid scintillators
за авторством: Tarasenko, O.A.
Опубліковано: (2012)

Inversion of spin levels in exchange-coupled pairs under combined time reversal
за авторством: Geru, I.I.
Опубліковано: (2018)

1/f noise and carrier transport mechanisms in InSb p⁺-n junctions
за авторством: Tetyorkin, V.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Self-organization in irradiated semiconductor crystals caused by thermal annealing
за авторством: Zavada, M., та інші
Опубліковано: (2018)

Conductivity of molecular semiconductor material based on monomeric and polymeric methacroylacetophenone
за авторством: Berezhnytska, O.S., та інші
Опубліковано: (2019)

Synergetics of the instability and randomness in the formation of gradient-modified semiconductor structures
за авторством: Yurkovych, N.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts, metal-semiconductor (Review)
за авторством: Sachenko, A.V., та інші
Опубліковано: (2018)

Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Horishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Donor-acceptor interaction in films of tetracene–tetracyanoquinodimethane heterostructures and composites
за авторством: M. P. Gorishnyi, та інші
Опубліковано: (2018)

Features of charge pairs recombination in the track regions of organic solid scintillators. Part II
за авторством: Tarasenko, O.A.
Опубліковано: (2013)

Transformation of structural defects in semiconductors under the action of electromagnetic and magnetic fields, causing resonant phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2019)

Transformation of defects in semiconductor structures under the influence of microwave electromagnetic radiation, which is stimulated by drift phenomena
за авторством: Milenin, G.V., та інші
Опубліковано: (2020)

Optical properties of π-conjugated donor-acceptor systems with controlled hyperpolarizability
за авторством: Piryatinski, Yu.P., та інші
Опубліковано: (2008)

Kinetic model of donor–acceptor interaction in photosynthetic reaction centres of bacteria
за авторством: T. V. Serdenko, та інші
Опубліковано: (2013)

Capture coefficients of free excitons by shallow acceptors and donors in gallium arsenide
за авторством: Glinchuk, K.D., та інші
Опубліковано: (2003)

Semiconductor surface spectroscopy using transverse acousto-electric effect: Role of surface charge in photo-processes at ZnS/Si interface
за авторством: Tatyanenko, N.P., та інші
Опубліковано: (2018)

Recombinational origin of the nuclear introns
за авторством: O. V. Pidpala, та інші
Опубліковано: (2017)

Defects with deep donor and acceptor levels in nanocrystals of CdTe and CdSe
за авторством: Babentsov, V.N.
Опубліковано: (2006)

Low-Frequency Carbon Recombination Lines
за авторством: Konovalenko, O. O., та інші
Опубліковано: (2013)

Low-Frequency Carbon Recombination Lines
за авторством: Konovalenko, A.A., та інші
Опубліковано: (2001)

Experimental studies of the recombination processes in II-VI semiconductors (bulk crystals and epilayers) at variable excitation levels
за авторством: Brodyn, M.S., та інші
Опубліковано: (1999)

Size Effects in Resistance and Thermopower in Magnetic Field of Bi Nanowires Alloyed with Acceptor and Donor Impurities
за авторством: A. A. Nikolaeva, та інші
Опубліковано: (2011)

Analysis of features of recombination mechanisms in silicon solar cells
за авторством: R. M. Korkishko, та інші
Опубліковано: (2014)