Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes

• Опубліковано в: : Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Дата: 2020
• Автор: Latreche, A.
• Формат: Стаття
• Мова: Англійська
• Опубліковано: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
• Теми: Semiconductor Physics
• Онлайн доступ: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215857
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Цитувати: Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 271-275. — Бібліогр.: 27 назв. — англ.

The current-voltage-temperature profiling method has been used with 4H-SiC Schottky barrier diodes and presented for determining the electron effective mass in 4H-SiC. The extracted electron effective mass has been found to be temperature dependent; it decreases with increasing temperature. Moreover, a good agreement was found between our obtained values of electron effective mass (* = 0.18₀, 0.21₀) at room temperature and other values that are obtained by different methods. Метод профілювання струму, напруги та температури було використано для діодів з бар’єром Шотткі на основі 4H-SiC і представлено для визначення ефективної маси електрона у 4H-SiC. Виявлено, що ефективна маса електрона залежала від температури: вона зменшується зі збільшенням температури. Крім того, було знайдено хорошу узгодженість між отриманими нами значеннями ефективної маси електрона (* = 0,18₀, 0,21₀) при кімнатній температурі та іншими значеннями, отриманими різними методами.