Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes
The current-voltage-temperature profiling method has been used with 4H-SiC Schottky barrier diodes and presented for determining the electron effective mass in 4H-SiC. The extracted electron effective mass has been found to be temperature dependent; it decreases with increasing temperature. Moreove...
Gespeichert in:
| Veröffentlicht in: | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
|---|---|
| Datum: | 2020 |
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Englisch |
| Veröffentlicht: |
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
2020
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215857 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| Zitieren: | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 271-275. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
Institution
Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine| _version_ | 1862596947879133184 |
|---|---|
| author | Latreche, A. |
| author_facet | Latreche, A. |
| citation_txt | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 271-275. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. |
| collection | DSpace DC |
| container_title | Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics |
| description | The current-voltage-temperature profiling method has been used with 4H-SiC Schottky barrier diodes and presented for determining the electron effective mass in 4H-SiC. The extracted electron effective mass has been found to be temperature dependent; it decreases with increasing temperature. Moreover, a good agreement was found between our obtained values of electron effective mass (* = 0.18₀, 0.21₀) at room temperature and other values that are obtained by different methods.
Метод профілювання струму, напруги та температури було використано для діодів з бар’єром Шотткі на основі 4H-SiC і представлено для визначення ефективної маси електрона у 4H-SiC. Виявлено, що ефективна маса електрона залежала від температури: вона зменшується зі збільшенням температури. Крім того, було знайдено хорошу узгодженість між отриманими нами значеннями ефективної маси електрона (* = 0,18₀, 0,21₀) при кімнатній температурі та іншими значеннями, отриманими різними методами.
|
| first_indexed | 2026-04-16T03:41:10Z |
| format | Article |
| fulltext | |
| id | nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215857 |
| institution | Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine |
| issn | 1560-8034 |
| language | English |
| last_indexed | 2026-04-16T03:41:10Z |
| publishDate | 2020 |
| publisher | Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України |
| record_format | dspace |
| spelling | Latreche, A. 2026-03-30T13:36:49Z 2020 Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes / A. Latreche // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 271-275. — Бібліогр.: 27 назв. — англ. 1560-8034 PACS: 85.30.De, 85.30.Kk, 85.30.Mn https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215857 https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.271 The current-voltage-temperature profiling method has been used with 4H-SiC Schottky barrier diodes and presented for determining the electron effective mass in 4H-SiC. The extracted electron effective mass has been found to be temperature dependent; it decreases with increasing temperature. Moreover, a good agreement was found between our obtained values of electron effective mass (* = 0.18₀, 0.21₀) at room temperature and other values that are obtained by different methods. Метод профілювання струму, напруги та температури було використано для діодів з бар’єром Шотткі на основі 4H-SiC і представлено для визначення ефективної маси електрона у 4H-SiC. Виявлено, що ефективна маса електрона залежала від температури: вона зменшується зі збільшенням температури. Крім того, було знайдено хорошу узгодженість між отриманими нами значеннями ефективної маси електрона (* = 0,18₀, 0,21₀) при кімнатній температурі та іншими значеннями, отриманими різними методами. en Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics Semiconductor Physics Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes Визначення температурної залежності ефективної маси електрона в 4H-SiC від зворотних вольт-амперних характеристик діодів з бар’єром Шотткі на основі 4H-SiC Article published earlier |
| spellingShingle | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes Latreche, A. Semiconductor Physics |
| title | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes |
| title_alt | Визначення температурної залежності ефективної маси електрона в 4H-SiC від зворотних вольт-амперних характеристик діодів з бар’єром Шотткі на основі 4H-SiC |
| title_full | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes |
| title_fullStr | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes |
| title_full_unstemmed | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes |
| title_short | Determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4H-SiC from reverse current-voltage characteristics of 4H-SiC Schottky barrier diodes |
| title_sort | determination of the temperature dependence of electron effective mass in 4h-sic from reverse current-voltage characteristics of 4h-sic schottky barrier diodes |
| topic | Semiconductor Physics |
| topic_facet | Semiconductor Physics |
| url | https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215857 |
| work_keys_str_mv | AT latrechea determinationofthetemperaturedependenceofelectroneffectivemassin4hsicfromreversecurrentvoltagecharacteristicsof4hsicschottkybarrierdiodes AT latrechea viznačennâtemperaturnoízaležnostíefektivnoímasielektronav4hsicvídzvorotnihvolʹtampernihharakteristikdíodívzbarêromšottkínaosnoví4hsic |