Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal

In the present work, structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal grown using the direct vapour transport (DVT) method have been reported. The crystal has been structurally characterized by XRD, determining its lattice parameters and , and by measuring the X-ray...

Full description

Saved in:
Bibliographic Details
Published in:Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Date:2020
Main Author: Vora, A.M.
Format: Article
Language:English
Published: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
Subjects:
Online Access:https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215858
Tags: Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
Cite this:Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal / A.M. Vora // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 267-270. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.

Institution

Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
_version_ 1862734555880882176
author Vora, A.M.
author_facet Vora, A.M.
citation_txt Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal / A.M. Vora // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 267-270. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
collection DSpace DC
container_title Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
description In the present work, structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal grown using the direct vapour transport (DVT) method have been reported. The crystal has been structurally characterized by XRD, determining its lattice parameters and , and by measuring the X-ray density. The obtained data of the Hall effect and thermoelectric power measurements support that this crystal is of -type in nature. The direct and indirect band gap measurements were also carried out for this semiconducting material. It has been ascertained that the rhenium doping has a considerable effect on the properties of the MoSe₂ single crystal. У цій роботі повідомлено про структурні, електричні та оптичні властивості монокристала MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉, вирощеного методом прямого перенесення пари. Структуру кристала проаналізовано методом рентгенівської дифракції, визначено його параметри решітки і та виміряно рентгенівську густину. Отримані дані з вимірювання ефекту Холла та термоелектричної потужності підтверджують, що цей кристал є -типу. Для цього напівпровідного матеріалу також проводилися прямі та непрямі вимірювання забороненої зони. Було встановлено, що легування ренієм значно впливає на властивості монокристала MoSe₂.
first_indexed 2026-04-17T16:08:24Z
format Article
fulltext
id nasplib_isofts_kiev_ua-123456789-215858
institution Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
issn 1560-8034
language English
last_indexed 2026-04-17T16:08:24Z
publishDate 2020
publisher Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
record_format dspace
spelling Vora, A.M.
2026-03-30T13:37:11Z
2020
Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal / A.M. Vora // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 267-270. — Бібліогр.: 25 назв. — англ.
1560-8034
PACS: 61.50.-f, 61.66.-f, 72.20.Pa, 78.20.-e
https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215858
https://doi.org/10.15407/spqeo23.03.267
In the present work, structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal grown using the direct vapour transport (DVT) method have been reported. The crystal has been structurally characterized by XRD, determining its lattice parameters and , and by measuring the X-ray density. The obtained data of the Hall effect and thermoelectric power measurements support that this crystal is of -type in nature. The direct and indirect band gap measurements were also carried out for this semiconducting material. It has been ascertained that the rhenium doping has a considerable effect on the properties of the MoSe₂ single crystal.
У цій роботі повідомлено про структурні, електричні та оптичні властивості монокристала MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉, вирощеного методом прямого перенесення пари. Структуру кристала проаналізовано методом рентгенівської дифракції, визначено його параметри решітки і та виміряно рентгенівську густину. Отримані дані з вимірювання ефекту Холла та термоелектричної потужності підтверджують, що цей кристал є -типу. Для цього напівпровідного матеріалу також проводилися прямі та непрямі вимірювання забороненої зони. Було встановлено, що легування ренієм значно впливає на властивості монокристала MoSe₂.
en
Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України
Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
Semiconductor Physics
Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
Вивчення структурних, електричних та оптичних властивостей монокристала MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉
Article
published earlier
spellingShingle Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
Vora, A.M.
Semiconductor Physics
title Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
title_alt Вивчення структурних, електричних та оптичних властивостей монокристала MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉
title_full Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
title_fullStr Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
title_full_unstemmed Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
title_short Study of structural, electrical, and optical properties of MoRe₀.₀₀₁Se₁.₉₉₉ single crystal
title_sort study of structural, electrical, and optical properties of more₀.₀₀₁se₁.₉₉₉ single crystal
topic Semiconductor Physics
topic_facet Semiconductor Physics
url https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215858
work_keys_str_mv AT voraam studyofstructuralelectricalandopticalpropertiesofmore0001se1999singlecrystal
AT voraam vivčennâstrukturnihelektričnihtaoptičnihvlastivosteimonokristalamore0001se1999