The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties

• Veröffentlicht in: Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics
• Datum: 2020
• ISSN: 1560-8034
• Hauptverfasser: Rudenko, T.E., Nazarov, A.N., Lysenko, V.S.
• Format: Artikel
• Sprache: Englisch
• Veröffentlicht: Інститут фізики напівпровідників імені В.Є. Лашкарьова НАН України 2020
• Schlagworte: Physics of microelectronic devices
• Online Zugang: https://nasplib.isofts.kiev.ua/handle/123456789/215861
• Назва журналу: Digital Library of Periodicals of National Academy of Sciences of Ukraine
• Zitieren: The advancement of silicon-on-insulator (SOI) devices and their basic properties / T.E. Rudenko, A.N. Nazarov, V.S. Lysenko // Semiconductor Physics Quantum Electronics & Optoelectronics. — 2020. — Т. 23, № 3. — С. 227-252. — Бібліогр.: 171 назв. — англ.

Silicon-on-insulator (SOI) is the most promising present-day silicon technology. The use of SOI provides significant benefits over traditional bulk silicon technology in the fabrication of many integrated circuits (ICs), and in particular, complementary metal-oxide-semiconductor (CMOS) ICs. It also allows extending the miniaturization of CMOS devices into the nanometer region. In this review paper, we briefly describe the evolution of SOI technology and its main areas of application. The basic technological methods for the fabrication of SOI wafers are presented. The principal advantages of SOI devices over bulk silicon devices are described. The types of SOI metal-oxide-semiconductor field-effect transistors (MOSFETs) and their basic electrical properties are considered. Кремній-на-ізоляторі (КНІ) є найбільш перспективною кремнієвою технологією на сьогоднішній день. Використання технології КНІ забезпечує значні переваги порівняно з традиційною технологією об’ємного кремнію при виготовленні багатьох типів інтегральних схем (ІС), зокрема, комплементарних метал-оксидно-напівпровідників (КМОН) ІС. Технологія КНІ також дозволяє подальшу мініатюризацію КМОН-приладів у нанометровому діапазоні. У цьому огляді коротко описано еволюцію технології КНІ та її основні області застосування. Представлено основні технологічні методи виготовлення пластин КНІ. Описано принципові переваги КНІ-приладів порівняно з приладами на об’ємному кремнії. Розглянуто типи КНІ метал-оксидно-напівпровідникових (МОН) транзисторів і їх основні електричні властивості.